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PAGEPAGE5实验项目：实验二集成逻辑门电路的参数测试实验日期：协同实验者：实验目的掌握TTL和CMOS与非门主要参数的意义及测试方法。进一步熟悉数字逻辑实验箱的基本功能和使用方法。实验仪器及设备1．数字逻辑实验箱DSB-31台2．万用表2只3．元器件：74LS20（T063）CC4012各一块2CK114只电阻及导线若干实验线路图实验内容（简单实验步骤、实验数据及波形）TTL与非门74LS20静态参数测试导通电源电流ICCL和截止电源电流ICCH。测试电路如图2-1。74LS20为双与非门，两个门的输入端作相同处理。测得ICCL=12mA，ICCH=1.6mA图2-1图2-2低电平输入电流IiL和高电平输入电流IiH。每一门和每一输入端都测试一次。测试电路如图2-2。参数1A1B1C1D2A2B2C2DIIl（mA）1.11.21.11.01.01.11.11.0IiH（uA）999910998电压传输特性。调节电位器RW，使Vi从0V向5V变化，逐点测试Vi和VO值，将结果记录入下表中。测试电路如图2-3。图2-3Vi（V）0.30.511.21.31.351.41.451.51.61.72.43.6VO（V）3.63.632.72.42.11.61.31.00.70.30.30.3CMOS双四输入与非门CC4012静态参数测试将CC4012正确插入面包板，测电压传输特性。测试电路和方法同上，输出端为空载测量。将结果记录入下表中。Vi（V）00.5122.32.42.452.52.552.62.734.55VO（V）55555555000000五、实验结果分析（回答问题）1由以上测试结果与规范值比较可知，所有被测集成块的逻辑参数性能都正常。2根据实测数据作两条电压传输特性曲线，从曲线中读出各有关参数值。比较TTL与CMOS门电路电压传输特性曲线的异同：同：都有饱和区、截止区、转折区异：CMOS门无线性区，且输出高低电平接近电源和地，转折电压为电源的一半，有更强的抗干扰能力。TTL与非门参数（V）VOHVOLVONVOFFVTHVNLVNH3.60.31.80.81.40.40.8TTL与非门电压传输特性CMOS与非门电压传输特性CMOS与非门参数（V）VOHVOLVONVOFFVTHVNLVNH502.552.452.52.452.45回答问题：1测量TTL与非门输出低电平时要加负载，因为要求集成块有一定带负载的能力，而TTL与非门输出低电平时会有较大负载电流。图2-3中R选用360Ω是根据最大允许负载电流为：扇出系数（8）×低电平输入电流IiL（1.6mA）得到的。若R很小会使负载电流过大，无法得到正常的输出低电平。2与非门输入端悬空可以当作输入为“1”，因为悬空相当于Ri=∞，由输入端负载特性可得此结论。TTL或非门闲置输入端的处置方法：与其它输入端并联；接地。实验中所得ICCL和ICCH为整个器件值，单个门电路的ICCL和ICCH为所测值

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