CN112713097B 天线封装结构及封装方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）

道78号（经营场所江阴市东盛西路9短组件之间传导路径，有更好的电性和天线性2于所述临时键合层上形成重新布线层，所述重新布线层于所述第一天线层上形成与所述第一天线层电连接采用第一封装层封装所述第一金属馈线柱，并使所述第一封装层显露于所述第一封装层上形成与所述第一金属馈线柱电于所述第二天线层上形成与所述第二天线层电连接采用第二封装层封装所述第二金属馈线柱，并使所述第二封装层显露于所述第二封装层上形成与所述第二金属馈线柱电基于所述临时键合层剥离所述重新布线层及所述支撑基底，露出采用第三封装层封装所述半导体芯片、所述金属凸块，并于3.根据权利要求1所述的天线封装方法，其特征在于，所述临时键合层包括光热转换采用溅射工艺于所述第一介质层表面形成种子层，于所述种子层上形成第一金属层，并对所述第一金属层及所述种子层进行刻蚀形成图形化的于所述图形化的第一金属布线层表面形成第二介质层，并对于所述图形化通孔内填充导电栓塞，然后采用溅射3述第一下金属层表面，采用打线工艺或电镀工艺或化学镀工艺形成所述第一金属馈线柱；重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面第一金属馈线柱，形成于所述第一天线层上并与所述第一4第二天线层上，所述第二金属馈线柱经由所述第二保护粘附层形成于所述第二天线层表14.根据权利要求10所述的天线封装结构，其特征在于，所述半导体芯片的数量为多5[0001]本发明属于封装领域及通讯设备领域，特别是涉及一种天线封装结构及封装方传统PCB封装在5G毫米波传输下损耗太大，并且在现有的封装工艺中难以实现对天线电路6天线层之后还包括步骤：于所述第一封装层上形成覆盖所述第二天线层的第二保护粘附78[0055]图5显示为本发明实施例的天线封装方法中形成第二介质层及第二金属布线层的[0056]图6显示为本发明实施例的天线封装方法中形成多层叠层结构的重新布线层的示[0061]图11显示为本发明实施例的天线封装方法中形成第一保护粘附层后的结构示意9[0068]图18显示为本发明实施例的天线封装方法中形成半导体芯片及第一开口的示意[0105]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘[0121]如图1中的S1及图2所示，提供支撑基底101，于所述支撑基底上形成临时键合层用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述重新布线层及所述支撑基底101重新布线层包括与所述临时键合层102连接的第一面以及与所述第一一金属布线层202表面形成第二介质层203，并对所述第二介质层203进行刻蚀形成具有图第二介质层203表面形成第二金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的第二金属布布线层上形成覆盖所述第一天线层301的第一保护粘附层306，所述第一金属馈线柱303经由所述第一保护粘附层306形成于所述第一天线层301表面，所述第一封装层305形成于所一天线层表面形成第一下金属层302，所述第一金属馈线柱303形成于所述第一下金属层一金属馈线柱303。所述第一下金属层302可以有效加强第一金属馈线柱303与所述第一天括于所述第一保护粘附层306中形成开口以形成所述第一金属馈线柱30方式包括：基于所述第一金属馈线柱303与所述第一天线层301及所述第二天线层307中的属馈线柱303形成在所述第一天线层301的表面，通过所述第一金属馈线柱303的布置使得所述第一金属馈线柱303与所述第一天线层301和所述第二天线层307中一些金属层的特定述第一金属馈线柱303与所述第一天线层301和第二天线层307均电连接，在芯片电信号传使所述第一封装层305显露所述第一金属馈线[0141]如图1中的S6及图12所示，于所述第一封装层305上形成与所述第一金属馈线柱述第一天线层301通过所述第一金属馈线柱303电连接，多层天线层可增强接收信号能力，二保护粘附层形成于所述第二天线层表面，后续所述第二封装层311形成于所述第二保护[0144]如图1中的S7及图13所示，于所述第二天线层307上形成与所述第二天线层307电二天线层表面形成第二下金属层308，所述第二金属馈线柱309形成于所述第二下金属层二金属馈线柱309。所述第二下金属层308可以有效加强第二金属馈线柱309与所述第二天于所述第二保护粘附层中形成开口以形成所述第二金属馈方式包括：基于所述第二金属馈线柱309与所述第二天线层307及所述第三天线层312中的至少一者形成第二电磁屏蔽结构以实现封装属馈线柱309形成在所述第二天线层307的表面，通过所述第二金属馈线柱309的布置使得所述第二金属馈线柱309与所述第二天线层307和所述第三天线层312中一些金属层的特定述第二金属馈线柱309与所述第二天线层307和第三天线层312均电连接，在芯片电信号传[0149]如图1中的S8及图14-15所示，采用第二封装层311封装所述并使所述第二封装层311显露所述第二金属馈线[0151]如图1中的S9及图16所示，于所述第二封装层311上形成与所述第二金属馈线柱成第一开口501，并于所述第一面上形成至少一个与所述重新布线层电连接的半导体芯片[0158]具体的，将所述金属凸块502初步固定于所述重新布线层的所述第一开口中，其中，所述金属凸块502可以为锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种，本发明在Ball示例将underfill(底部填充)工艺置于Ballmount(形成金属凸块)之前，目的是防止金属部分填充胶，本示例进行上述工艺顺序的设计可以有效防止金属凸块对底部填充层的影导体芯片401进行围坝点胶以形成围坝点胶保护层403，所述围坝点胶保护层403至少形成于所述半导体芯片401的底部及四周，且所述围坝点胶保护层403及所述底部填充层402将技术，在半导体芯片401的四周进行围坝，再给中间进行点胶，形成所述围坝点胶保护层坝点胶保护层时，如图22所示，所述第三封装层503同时将所述围坝点胶层保护层一同封述重新布线层中形成有自所述第一面打开的第[0166]第一金属馈线柱303，形成于所述第一天线层301上并与所述第一天线层301电连[0169]第二金属馈线柱309，形成于所述第二天线层307上并与所述第二天线层307电连[0171]第三天线层312，形成于所述第二封装层311上并与所述第二金属馈线柱309电连所述第一金属馈线柱303电连接，所述第三天线层312与所述第二天线层307通过所述第二[0179]作为示例，所述天线封装结构还包括第一保护粘附层306，所述第一保护粘附层[0181]具体的，所述重新布线层上形成有覆盖所述第一天线层301的第一保护粘附层306，所述第一金属馈线柱303经由所述第一保护粘附层306形成于所述第一天线层301表所述围坝点胶保护层403将所述半导体芯片40[0189]本发明的封装结构中还形成所述底部填充层402，从而可以提高半导体芯片的封