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输入串联以及输出并联的三相CLL谐振变换器设计案例目录TOC\o"1-2"\h\u21309输入串联以及输出并联的三相CLL谐振变换器设计案例 )利用二端口等效公式，可以得到CLL谐振变换器对应的谐振元件参数如表3-3所示：表3-3谐振腔参数表三相变压器的集成与优化本节将对这种原边串联副边并联的三相CLL谐振变换器拓扑结构，采取180°相移的控制方式在磁性能上的优势之处。当变压器或者电感等存在多个磁柱时，通过合理布局磁柱的位置可以实现在磁盖中的磁通抵消，下面给出一个示例，如图3-5所示是将一个磁柱拆分为四个磁柱并进行磁通抵消布置的示例：图3-5磁通抵消结构示例这种做法的代价是增加了一部分的占地面积，将具有不同相位的磁柱，放置在合适的位置，使得相邻磁柱之间的磁通的流通方向相反，如图所示，这使得磁盖中磁密有了客观的下降，如此布置不仅降低了磁通损耗，而且由于磁密的下降，可以实现磁盖厚度的下调，设计综合性能优异的磁芯。那么关于本文所设计的原边串联副边并联的三相CLL谐振变换器，由于其相移180°的特殊控制，可以更好的实现磁通抵消结构，这是传统控制的三相结构所做不到的，由于三相结构仅移相120°相邻两相并不能很好的完成磁通相抵消的效果，如图所示是设计的磁芯结构中及其磁通流向图：3-6三相CLL谐振变换器的分立结构及其磁通流向图3-7三相CLL谐振变换器集成磁芯结构及其磁通流向图如图中所示，上下相邻两个磁柱构成一相，具体的磁芯设计方法，这里不做展开。图3-6与图3-7对比可以得到，可以看出这种结构降低了磁盖中的磁密，这将进一步导致的磁芯损耗的下降，是只有这种

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