CN112992637B 衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法 （Asmip私人控股有限公司）

US2008179288A1,200TW466541B,2001.12.01US2006254717A1,2006.一种能够选择性地在其斜角区域中处理薄膜的衬底处理设备包括用于支撑待处理衬底的2衬底支撑板上的气体供应单元，所述气体供应单元其中，所述内部和气体供应单元之间的第一距离小于所述衬底支撑板的上表面从所述外围部分朝向衬底支撑其中，所述气体供应单元供应至少第一气体，所述第一其中，由于气体供应单元和衬底之间的第一距离内的3和Cl2中的至少一种；其中，在产生气体的自由基期间，第二气体通过所述至少一个其中，当将待处理衬底安装在所述内部上时，待处理衬底与气所述外围部分和气体供应单元之间的第二距离为约3m在分布有多个注入孔的区域中的气体供应单元的第一下表面与分布有多个注入孔的其中，待处理衬底的上表面与气体供应单元的第一下表面之间3将待处理衬底安装在根据权利要求8所述的衬底处理设备的衬其中，在产生等离子体期间，在所述内部和气体供应单元之离子体少于在所述外围部分和气体供应单元之间4[0002]本申请基于2019年12月02日在美国专利和商标局提交的美国专利申请号62/衬底支撑板的衬底处理设备以及使用该衬底支撑板的[0006]一个或多个实施例包括选择性地处理沉积在衬底边缘(例如斜角区域)上的薄[0007]一个或多个实施例包括选择性地去除衬底边缘比如斜角边缘区域上的薄膜。另的流量控制)来确保衬底上的斜角蚀刻宽度的对称性，而与衬底支撑板比如基座上的衬底[0008]其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从5元之间的第一距离可以小于外围部分和气体供应供应单元之间的距离可以为约1mm或更小，并且外围部分和气体供应单元之间的第二距离个注入孔的区域中的气体供应单元的第一下表面与分布有多个注入孔的区域之外的气体面之间的距离以及待处理衬底的上表面与气体供应单元的第二下表面之间的距离是恒定6类的表达在元素列表之前时修饰整个元素列表并不修饰[0044]图2是根据本发明构思的实施例的衬底支撑板的视图。图2(a)是衬底支撑板的平7[0047]外围部分P可以形成为围绕内部I。例如，当内部I是具有圆形上表面的板状结构分P延伸的第一部分F1和从外围部分P向衬底支撑板的上表面延伸的第二部由此可以实现对位于衬底支撑板上的待处理衬底的边缘区域(例如斜角区域)上的薄膜的路径将气体均匀地供应到位于衬底支撑板上的待处理衬底[0054]图3是根据本发明构思的实施例的衬底处理设备的视图。根据这些实施例的衬底[0055]图3示出了半导体处理设备100的横截面。半导体处理设备100可以包括衬底支撑板103和在衬底支撑板103上的气体供应8[0056]气体供应单元109可以包括多个注入孔。多个注入孔可以形成为面对衬底支撑板5和6等)。注入孔的这种分布形状可以有助于促进在待处理衬底的边缘区域上的薄膜的部[0058]同样如上所述，衬底支撑板103可以包括根据上述实施例的衬底支撑板的至少一供应单元109的下表面可以不平坦(参见图15)，即使在这种情况下，内部和气体供应单元109之间的第一距离也可以小于外围部分和气体供应单元109[0060]根据一些示例，当将待处理衬底安装在内部I上时，待处理衬底与气体供应单元实现对位于衬底支撑板103上的待处理衬底的边缘区[0061]在上述实施例中，当气体供应单元109的下表面是平坦的并且实现第一距离和第域中的气体供应单元109的第一下表面与分布有多个注入孔的区域之外的气体供应单元109的第二下表面齐平时(参见图4)，待处理衬底与气体供应单元109之间的距离可以是恒设置在外围部分P和气体供应单元109之间的待处理衬底的边缘区域上的薄膜(参见图1的aF供应的第二气体的流量比，可以执行相对于处于未对准状态的待处理衬底去除边缘区域更详细地，反应空间125可形成在衬底支撑板103和气体供应单元109之间，同时反应器壁101的下表面与用作下电极的衬底支撑板103接触。反应空间125可以包括在内部和气体供9应单元109之间的第一反应空间125-1以及在外围部分和气体供应单元109之间的第二反应[0065]在一些实施例中，第一反应空间125-1可以配置为在待处理衬底的中央区域上处应空间125-1和第二反应空间125-2中产[0066]如上所述，由于第一反应空间125-1中的衬底支撑板103与气体供应单元109之间的距离小于第二反应空间125-2中的衬底支撑板103与气体供应单元109之间的距离，因此第一反应空间125-1的等离子体可以少于第二反应空间125-2的等离子体。在本说明书中，空间中形成等离子体而在第一反应空间中不形成等[0067]衬底支撑板103可以配置为与反应器壁101面密封。反应空间125可以通过面密封和气体供应单元109与反应器壁之间形成排气[0068]气体流动控制装置105和气体供应单元109可以设置在反应器壁101和衬底支撑板单元109可以包括具有多个通孔的气体注入装置和堆叠在气体注入装置[0069]气体流动控制装置105可包括板和从该板突出的侧壁123。可以在侧壁123中形成[0070]可以在反应器壁101与气体流动控制装置105之间以及在气体流动控制装置105与[0071]气体供应单元109可以在诸如电容耦合等离子体(CCP)方法的等离子体处理中用[0072]更详细地，在外部等离子体发生器(未示出)中产生的等离子体可以通过RF杆313[0074]如图3所示，在反应器壁101的上部中形成有穿透反应器壁101和气体流动控制装因此从外部气体供应单元(未示出)通过气体入口113供应的反应气体可被均匀地供应到气反应器壁101和气体流动控制装置105的侧壁(以及气体供应单元109的侧壁)彼此分开，因形成第一反应空间125-1和第二反应空间12部和气体供应单元109之间的第一距离可以小于外围部分和气体供应单元109之间的第二分与气体供应单元109之间的距离较大的情况下在第二反应空间125-2中产生的自由基的[0080]-第三操作：产生的等离子体用于去除待处理衬底的边缘区域上的至少一部分薄衬底支撑板103的外围部分中相对较多地形成，所以可以在待处理衬底的边缘区域中去除[0081]图4示意性地示出了根据本发明构思的实施例的衬底处理设备。根据实施例的衬[0082]参照图4，第一气体G1和第二气体G2可被供应到半导体处理设备的反应空间12处理衬底S上的薄膜不反应的成分。可以通过气体供应单元109的注入孔133供应第一气体加电力时，在内部I和气体供应单元109之间的第一反应空间125-1中产生相对少量等离子[0086]在去除边缘区域上的薄膜之后的残留气体通过形成在反应器壁101和气体供应单元109的侧壁之间的排气路径117被传送到气体流动控制装置105。被传送到气体流动控制装置105的气体可以通过形成在侧壁123中的通孔111被引入到气体流动控制装置105的内[0089]板301可以被突出的侧壁123围绕并且可以具有凹形。气体流动控制装置105的一入口113周围，作为将气体流动控制装置105与气体供应单元109连接的机械连接构件的螺外部等离子体供应单元(未示出)的RF杆313机械地连接到气体流动控制装置105下方的气气体供应单元109的气体通道和气体注入装置供应的气体将通过用作电极的气体供应单元109在反应空间中被激活并注入到衬底支撑板103上的[0091]在一些实施例中，气体供应单元109的注入孔133可以分布在小于待处理衬底S的[0092]在一些实施例中，衬底支撑板103的内部I可以从衬底支撑板103的外围部分P突[0093]图6是根据本发明构思的实施例的衬底处理设备的视图。根据实施例的衬底处理[0095]反应器壁2的下表面和基座3可以在台阶9处面密封，并且反应空间12和13可以通以形成在基座3的内部与气体供应单元1之间。第二反应空间13可以形成在基座3的外围部[0096]第一气体通过气体供应单元1的第一气体入口5被供应到衬底上的第一反应空间12，第二气体通过第二气体入口6和形成在基座3中的第三气体入口7被供应到衬底边缘下[0097]第二气体入口6可以沿水平方向形成在基座3的下部与加热块4之间，第三气体入口7可以通过在与衬底边缘下方的第二反应空间对应的位置处竖直地穿透基座来形成。第[0100]气体供应单元1在其中具有多个通孔5，第一气体可以通过通孔5被供应到第一反到第一气体入口5的第一气体可以是氮气或氩气。供应到第二气体入口6和第三气体入口7[0102]引入垫10以防止当衬底8装载到基座3上时衬底8通过衬底的后表面和基座之间的[0105]第三气体入口7可以竖直地穿透基座3的凹部，并且在基座3的主体内与第二气体垫10上，因此可以防止由于衬底的后表面和基座3的上表面之间的气体引起的衬底的分离着图8(a)的线C-C和D-D截取的横截面图。沿着线D-D的横截面示出了第二气体入口和第三座的边缘朝向下表面的中心以规则间隔形成的第[0108]图9示意性地示出了根据实施例的衬底处理装置。根据实施例的衬底处理设备可基座的内部的距离例如衬底与电极之间的距离在约1mm内，并且反应空间距衬底的斜角区域即基座的外围部分的距离为1mm或更多，可以在衬底的斜角区域中容易地实现等离子体积在衬底8上。可以通过气体供应单元1的第一气体入口5将作为第一气体的氩气或氮气供应到第一反应空间12。可以通过基座3的第二气体入口6和第三气体入口7将作为第二气体由基和衬底斜角区域的碳薄膜可以反应以去除衬底的体供应单元10的下表面之间的第一距离d是恒定的，所以在衬底的上表面上不产生等离子[0121]图12示出了根据RF功率施加时间从衬底的上边缘去除碳薄膜的区域。在300℃的[0126]图14示出了从实际衬底的上表面的边缘1mm去除碳薄膜，这在图12的上述处理条的边缘部分处引入台阶以扩大对应区域的反应空间距离d2。由于扩大了反应空间距离d2，[0131]在图15的实施例中，根据形成在气体供应每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或不脱离如由以下权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改