中职教材-电子线路第2版课件全套-陈其纯主编-高等教育出版社

第1章晶体二极管和二极管整流电路本章学习目标1.1晶体二极管1.2晶体二极管整流电路1.3滤波器和硅稳压管稳压电路本章小结本章学习目标理解半导体的基本常识，掌握PN结的单向导电性。熟悉晶体二极管的外形、图形符号、文字符号。掌握晶体二极管的伏安特性和参数，会用万用表检测二极管。4.理解整流的含义，清楚典型的整流电路类型，能分析其工作原理，能进行相应的计算。理解滤波的概念，能清楚整流滤波器件和常用的滤波方式，掌握滤波的电路形式，理解电容滤波及电感滤波的工作原理，了解选择滤波电容的选择要求。熟悉稳压二极管的工作特性和参数，理解硅稳压二极管稳压电路的工作原理。1.1晶体二极管1.1.1晶体二极管的单向导电特性1.1.2

PN结1.1.3二极管的伏安特性1.1.4二极管的简单测试1.1.5二极管的分类、型号和参数工程应用1.1.1晶体二极管的单向导电特性

(1)外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图所示；

(2)符号：三角形——正极，竖杠——负极，

V——二极管的文字符号。1．晶体二极管2．晶体二极管的单向导电性：动画PN结的单向导电性(1)正极电位＞负极电位，二极管导通；(2)正极电位＜负极电位，二极管截止。

即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。

[例1.1.1]如图所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？解由电路图可知，开关S闭合后，只有二极管V1正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H1指示灯发光。1.1.2

PN结PN结的形成二极管由半导体材料制成。

1．半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge)半导体。半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种：

自由电子：带负电空穴：带与自由电子等量的正电均可运载电荷——载流子载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子，如图所示。半导体的两种载流子动画两种载流子

2．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。

本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。

3．杂质半导体：为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。

根据掺杂的物质不同，可分两种：

(1)P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

(2)N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。

将P型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起，形成PN结。

4．PN结：N型和P

型半导体之间的特殊薄层称为PN结。PN结是各种半导体器件的核心。如图所示。PN结晶体二极管之所以具有单向导电性，其原因是内部具有一个PN结。其正、负极对应于PN结的P型和N型半导体。

P区接电源正极，N区接电源负极，PN结导通；反之，PN结截止。PN结具有单向导电特性。即：动画PN结的形成1.1.3二极管的伏安特性测试二极管伏安特性电路

1．定义：二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。2．测试电路：如图所示。3．伏安特性曲线：如图所示。4．特点：结论：正偏时电阻小，具有非线性。导通后V两端电压基本恒定：②VF＞VT

时，V导通，IF

急剧增大。①正向电压VF小于门坎电压VT时，二极管V截止，正向电流IF=0；其中，门坎电压(1)正向特性(2)反向特性

VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压VRM称为反向击穿电压。反向电压VR＜VRM(反向击穿电压)时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。1.1.4二极管的简单测试万用表检测二极管将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。1．判别正负极性用万用表检测二极管如图所示。万用表测试条件：R×100或R×1k挡；2．判别好坏万用表检测二极管万用表测试条件：R

1k。(3)若正向电阻约几千欧，反向电阻非常大，二极管正常。(2)若正反向电阻非常大，二极管开路。(1)若正反向电阻均为零，二极管短路；1.1.5二极管的分类、型号和参数1．分类

(1)按材料分：硅管、锗管

(2)按PN结面积：点接触型(电流小，高频应用)、面接触型(电流大，用于整流)

(3)按用途：如图所示。二极管图形符号①整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管。②稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。③发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。④光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。⑤变容二极管：利用反向偏压改变PN结电容量的二极管2．型号举例如下：整流二极管——2CZ82B稳压二极管——2CW50变容二极管——2AC1等等。3．主要参数主要参数：稳定电压VZ、稳定电流IZ、最大工作电流IZM、最大耗散功率PZM、动态电阻rZ等。(2)稳压二极管③反向漏电流IR：规定的反向电压和环境温度下，二极管反向电流值。②最高反向工作电压VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值。①最大整流电流IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。(1)普通整流二极管工程应用发光二极管和光电二极管的检测发光二极管的检测与普通二极管的检测方法基本相似，但由于发光二极管的正向导通电压一般在1.5V以上，故检测时必须用万用表的R

10k挡，正向电阻小于50k

，反相电阻大于200k

时发光二极管为正常。由于光电二极管工作时应加反向电压，故检测时着重观察反向电阻在有无光照时的变化，用万用表的R

1k挡，当有光照时，反向电阻小，无光照时，反向电阻大为正常，当无光照时电阻差别很小，表明光电二极管的质量不好。1.2晶体二极管整流电路1.2.1单相半波整流电路1.2.2

单相桥式整流电路1.2晶体二极管整流电路整流：把交流电变成直流电的过程。整流原理：二极管的单向导电特性二极管单相整流电路：把单相交流电变成直流电的电路。半波整流桥式整流倍压整流单相整流电路种类1.2.1单相半波整流电路1．电路如图(a)所示

V：整流二极管，把交流电变成脉动直流电；

T：电源变压器，把v1变成整流电路所需的电压值v2。2.工作原理设v2

为正弦波，波形如前页图(b)所示。

(1)v2正半周时，A点电位高于B点电位，二极管V正偏导通，则vL

v2；

(2)v2负半周时，A点电位低于B点电位，二极管V反偏截止，则vL

0。由波形可见，v2一周期内，负载只用单方向的半个波形，这种大小波动、方向不变的电压或电流称为脉动直流电。上述过程说明，利用二极管单向导电性可把交流电v2变成脉动直流电vL。由于电路仅利用v2的半个波形，故称为半波整流电路。3．负载和整流二极管上的电压和电流(1)负载电压VL

VL=0.45V2

(1.2.1)(2)负载电流IL

(1.2.2)(3)二极管正向电流IV和负载电流IZ

(1.2.3)(4)二极管反向峰值电压VRM

(1.2.4)选管条件

(1)二极管允许的最大反向电压应大于承受的反向峰值电压；

(2)二极管允许的最大整流电流应大于流过二极管的实际工作电流。电路缺点：电源利用率低，纹波成分大。解决办法：全波整流。1.2.2单相桥式整流电路1．电路如图V1~V4为整流二极管，电路为桥式结构

(2)v2负半周时，如图(b)所示，A点电位低于B点电位，则V2、V4导通(V1、V3截止)，i2自上而下流过负载RL。桥式整流电路工作过程2．工作原理

(1)v2正半周时，如图(a)所示，A点电位高于B点电位，则V1、V3导通(V2、V4截止)，i1

自上而下流过负载RL；由波形图可见，v2一周期内，两组整流二极管轮流导通产生的单方向电流i1

和i2叠加形成了iL。于是负载得到全波脉动直流电压vL。桥式整流电路工作波形图3．负载和整流二极管上的电压和电流(1)负载电压VL(1.2.9)(2)负载电流IL

(1.2.10)(3)二极管的平均电流IV

(1.2.11)(4)二极管承受反向峰值电压VRM

(1.2.12)优点：输出电压高，纹波小，VRM

较低，应用广泛。4．桥式稳流电路的简化画法

[例1.2.1]有一直流负载，需要直流电压VL=60V，直流电流IL=4A。若采用桥式整流电路，求电源变压器二次电压V2选择整流二极管。解因为VL=0.9V2

所以流过二极管的平均电流二极管承受的反向峰值电压查晶体管手册，可选用整流电流为3安培，额定反向工作电压为100V的整流二极管2CZ12A(3A/100V)4只。半桥和全桥整流堆

整流元件组合件称为整流堆，常见的有：(1)半桥：2CQ型，如图(a)所示；(2)全桥：QL型，如图(b)所示。优点：电路组成简单、可靠。1.3滤波器和稳压器1.3.1滤波器1.3.2

硅稳压二极管稳压电路1.3.1滤波器特点：电容器与负载并联。

作用：滤除脉动直流电中脉动成分。

种类：电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器1．电路一、电容滤波器2．工作原理：

利用电容器两端电压不能突变原理平滑输出电压。

在0

~t1期间，因v2的作用，V正偏导通，电容C充电，波形如图(b)中

OA所示；

在t1~t2期间，因v2<vC，V反偏截止，电容C通过负载放电，波形如图(b)中AB

所示；

在t2~t3期间，因vC<v2，V正偏导通，电容再次充电，波形如图(b)中BC。具有电容滤波器的半波整流电路重复上述过程，可得近于平滑波形。这说明，通过电容的充放电，输出直流电压中的脉动成分大为减小。全波整流电容滤波输出波形如图所示。

工作原理与半波整流电路相同，不同点是：v2正、负半周内，V1、V2轮流导通，对电容C充电两次，缩短了电容C向负载的放电时间，从而使输出电压更加平滑。输出电压估算公式为VL

1.2V2应用：小功率电源。全波整流电路电容滤波输出波形工程应用一、电容滤波的直流电压输出及整流管与滤波电容的选择电容滤波的整流电路输出电压与整流管的选择½IL1.2V2V2桥式整流电路ILV2V2半波整流电路通过的电流最大反向电压带负载时的电压(估算值)负载开路时的电压二极管的电压与电流整流电路的输出电压输入交流电压(有效值)整流电路的类型1．电容滤波的整流电路输出电压与整流管的选择2.滤波电容的选择电容的选择从电容耐压和容量两个方面考虑：

(1)耐压：在电路中电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。

(2)电容容量：滤波电容器C

的容量选择与电路中的负载电流IL

有关，当负载电流加大后，要相应的增加电容量。表列出的数据供选用时参考滤波电容容量表输出电流IL/A210.5~10.1~0.50.05~0.140.05以下电容器容量C/F400020001000500200~500100注：此为全波整流电容滤波在VL=12~36V时的参考值。缺点：体积大、重量大。带电感滤波器

二、电感滤波器1．电路特点：电感与负载串联2．工作原理

利用流过电感电流不能突变原理平滑输出电流。

当电路电流增加时，电感存储能量；当电流减小时，电感释放能量。使负载电流比较平滑，从而得到比较平滑的直流电压。应用：较大功率电源。三、复式滤波器(3)应用：较大功率电源中。结构特点：电容与负载并联，电感与负载串联。性能特点：滤波效果好。1．L型滤波器(1)电路：

(2)原理：整流输出的脉动直流经过电感L，交流成分被削弱，再经过电容C滤波，就可在负载上获得更加平滑的直流电压。L型滤波器桥式整流电路2．

型滤波器

型滤波器桥式整流电路(3)应用：小功率电源中。

(2)原理：整流输出的脉动直流经过电容C1滤波后，再经电感L和电容C2滤波，使脉动成分大大降低，在负载上可获得平滑的直流电压。(1)电路：1.3.2硅稳压二极管稳压电路

滤波电路：将脉动的直流电变成平滑的直流电。

稳压电路：抑制电网电压和整流电路负载的变化引起的输出电压变化，将平滑的直流电变成稳定的直流电。硅稳压管的伏安特性及符号1．硅稳压二极管的特性

(1)稳压管工作在反向击穿状态。

(2)当工作电流IZ

满足条件IA<IZ<IB

时，稳压管两端电压VZ

几乎不变。2．稳压二极管的主要参数(1)稳定电压VZ—

稳压管在规定电流下的反向击穿电压。(2)稳定电流IZ--稳压管在稳定电压下的工作电流。

(3)最大稳定电流

IZmax—稳压管允许长期通过的最大反向电流。

(4)动态电阻

rZ

—稳压管两端电压变化量与电流变化量的比值，即

rZ

=

VZ

/

IZ

。此值越小，管子稳压性能越好。3．稳压管稳压电路的工作原理硅稳压管整流稳压电路

(1)电路：V为稳压管，起电流调整作用；R为限流电阻，起电压调整作用。

(2)电路的稳压过程：VO↓→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑

(3)应用：小功率场合。本章小结半导体中有两种载流子：电子和空穴。N型半导体中电子是多数载流子，P型半导体中空穴是多数载流子。PN结具有单向导电特性。二极管内有一个PN结，因此，具有单向导电特性。二极管因伏安特性是非线性，所以是非线性器件。二极管的门槛电压，硅管约0.5V，锗管约0.2V；导通时正向压降硅管约0.7V，锗管约0.3V。本章小结利用二极管的单向导电特性可以组成把交流电变成直流电的整流电路，常见的有半波整流和桥式全波整流。滤波电路的作用是使脉动的直流电压变换为较平滑的直流电压。常见的滤波器有电容滤波器、电感滤波器和复式滤波器。稳压电路的作用是保持输出电压的稳定，减少电网电压和负载变化的影响。最简单的稳压电路是带有稳压管的稳压电路。本章重点了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体；掌握PN结的基本特性。理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。本章难点1．PN结的单向导电特性。2．整流电路和滤波电路的工作原理。3．硅稳压管稳压电路的稳压过程。学时分配序号内容学时11.1晶体二极管221.2晶体二极管整流电路231.3滤波器和稳压器34实验二稳压二极管伏安特性曲线的测绘25本章小结6本章总学时9第2章晶体三极管和场效晶体管本章学习目标2.1晶体三极管2.2场效晶体管本章小结本章学习目标理解晶体管的结构和分类，熟悉其外形、图形符号。掌握三极管电流分配关系。掌握三极管的输入特性、输出特性及三种工作状态，了解其主要参数。掌握用万用表对三极管进行测试的方法。了解场效晶体管的类型及工作原理，熟悉其图形符号，理解其转移特性和输出特性，了解其使用的注意事项。2.1晶体三极管2.1.1三极管的结构、分类和符号2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式2.1.3三极管内电流的分配和放大作用2.1.4三极管的输入和输出特性2.1.5三极管主要参数2.1.6三极管的简单测试2.1晶体三极管

晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。

特点：管内有两种载流子参与导电。2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构

1．三极管的外形特点：有三个电极，故称三极管。

2．三极管的结构三极管的结构图特点：有三个区——发射区、基区、集电区；两个PN结——发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极——发射极e(E)

、基极b(B)

和集电极c(C)；两种类型——PNP型管和NPN型管。工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。二、晶体三极管的符号三极管符号箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。文字符号：V

三、晶体三极管的分类1．三极管有多种分类方法。按内部结构分：有NPN型和PNP型管；按工作频率分：有低频和高频管；按功率分：有小功率和大功率管；按用途分：有普通管和开关管；按半导体材料分：有锗管和硅管等等。

2．国产三极管命名法：见《电子线路》（陈其纯主编）P261

附录。例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；

3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；

3AK表示PNP型开关锗三极管等。2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压三极管的基本作用是放大电信号。三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。三极管电源的接法三极管电源的接法V为三极管GC为集电极电源GB为基极电源，又称偏置电源Rb为基极电阻Rc为集电极电阻。二、晶体三极管在电路中的基本连接方式有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。三极管在电路中的三种基本连接方式2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系测量电路如图调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应数据如表所示。因IB很小，则IC

IE

IE=IC+IB

由表可见，三极管中电流分配关系如下：IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96

说明：1．IE=0时，IC=-IB=ICBO

。

ICBO

称为集电极——基极反向饱和电流，见图2.1.7(a)

。一般ICBO

很小，与温度有关。2．IB=0时，IC=IE=ICEO

。

ICEO

称为集电极——发射极反向电流，又叫穿透电流，见图(b)。

ICEO

越小，三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。ICBO与ICEO示意图二、晶体三极管的电流放大作用当基极电流

IB由0.01mA变到0.02mA时，集电极电流IC

由0.56mA变到1.14mA。上面两个变化量之比为这说明，当IB

有一微小变化时，就能引起IC

较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。比值用符号

来表示，称为共发射极交流电流放大系数，简称“交流

”，即结论：1．三极管的电流放大作用——基极电流IB

微小的变化，引起集电极电流IC

较大变化。2．交流电流放大系数

——表示三极管放大交流电流的能力4．通常，，所以可表示为考虑ICEO

，则3．直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的能力2.1.4三极管的输入和输出特性一、共发射极输入特性曲线集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。共发射极输入特性曲线由图可见：

1．当V

CE

≥2V时，特性曲线基本重合。

2．当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态。共发射极输入特性曲线

4．三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。5．VBE与IB

成非线性关系。

3．当VBE大于门槛电压(硅管约0.5V，锗管约0.2V)时，IB逐渐增大，三极管开始导通。二、晶体三极管的输出特性曲线基极电流一定时，集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。动画晶体三极管的输出特性曲线输出特性曲线可分为三个工作区:1．截止区条件：发射结反偏或两端电压为零。特点：IB=0，IC=ICEO

。2．饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。特点：VCE=VCES。VCES

称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。3．放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：

IC受IB控制，即

IC=

IB

。在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。

2.1.5三极管主要参数三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。一、共发射极电流放大系数1．直流放大系数2．交流放大系数

电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取30~80为宜。二、极间反向饱和电流1．集电极——基极反向饱和电流ICBO。2．集电极——发射极反向饱和电流ICEO。ICEO=(1+

)ICBO

反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。三、极限参数1．集电极最大允许电流

ICM

三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。2．集电极最大允许耗散功率PCM

当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。3．集电极——发射极间反向击穿电压V(BR)CEO

管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。2.1.6三极管的简单测试判别硅管和锗管的测试电路

一、硅管或锗管的判别当V=0.1~0.3V时为锗管。当V=0.6~0.7V时，为硅管二、估计比较

的大小NPN管估测电路如图所示。估测

的电路万用表设置在R

1k挡，测量并比较开关S

断开和接通时的电阻值。前后两个读数相差越大，说明管子的

越高，即电流放大能力越大。

估测PNP

管时，将万用表两只表笔对换位置。

三、估测ICEO

NPN管估测电路如图所示。所测阻值越大，说明管子的ICEO

越小。若阻值无穷大，三极管开路；若阻值为零，三极管短路。

测PNP型管时，红、黑表笔对调，方法同前。I

CEO的估测四、NPN管型和PNP管型的判断基极b的判断将万用表设置在R

1k

或R

100k

挡，用黑表笔和任一管脚相接(假设它是基极b)，红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子。如图(a)所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图(b)所示。五、e、b、c三个管脚的判断估测

的电路如图所示，首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测

值的方法判断c、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定为发射极)接入电路，记下电阻表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下电阻表的摆动幅度。摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c，红表笔所连接的管脚为发射极e。测PNP管时，只要把图示电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。2.2场效晶体管2.2.1结型场效晶体管2.2.2绝缘栅场效晶体管2.2.3场效晶体管的主要参数和特点工程应用2.2场效晶体管

场效晶体管：是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。

特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。2.2.1结型场效晶体管N沟道结型场效晶体管P沟道结型场效晶体管一、结构和符号

N沟道结型场效晶体管的结构、符号如图所示；P沟道结型场效晶体管如图所示。

特点：由两个PN结和一个导电沟道所组成。三个电极分别为源极S、漏极D和栅极G。漏极和源极具有互换性。工作条件：两个PN结加反向电压。二、工作原理以N沟道结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。动画结型场效晶体管结构工作原理如下：

VDS>0；VGS<0。在漏源电压VDS

不变条件下，改变栅源电压VGS

，通过PN结的变化，控制沟道宽窄，即沟道电阻的大小，从而控制漏极电流ID。结论：1．结型场效晶体管是一个电压控制电流的电压控制型器件。2．所以输入电阻很大。一般可达107~108

。

三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导1．转移特性曲线结型场效晶体管的转移特性曲线反映栅源电压VGS

对漏极电流ID

的控制作用。如图所示，若漏源电压一定：当栅源电压VGS=0时，漏极电流ID=IDSS，IDSS

称为饱和漏极电流；当栅源电压VGS

向负值方向变化时，漏极电流ID

逐渐减小；当栅源电压VGS=VP

时，漏极电流ID=0，VP称为夹断电压。2．输出特性曲线

结型场效晶体管的输出特性曲线表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系。如图所示。(1)可调电阻区(图中Ⅰ区)VGS不变时，ID

随VDS

作线性变化，漏源间呈现电阻性。栅源电压

VGS

越负，输出特性越陡，漏源间的电阻越大。结论：在Ⅰ区中，场效晶体管可看作一个受栅源电压控制的可变电阻。(2)饱和区(图中Ⅱ区)

结型场效晶体管的输出特性曲线

VDS

一定时，VGS

的少量变化引起

ID

较大变化，即ID

受VGS

控制。当VGS

不变时，ID不随VDS

变化，基本上维持恒定，即ID

对VDS呈饱和状态。结论：在Ⅱ区中，场效晶体管具有线性放大作用。结型场效晶体管的输出特性曲线(3)击穿区(图中Ⅲ区)当VDS

增至一定数值后，ID

剧增，出现电击穿。如果对此不加限制，将损坏管子。因此，管子不允许工作在这个区域。3．跨导(gm)反映在线性放大区

VGS对ID

的控制能力。单位为μA/V。2.2.2绝缘栅场效晶体管绝缘栅场效晶体管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效晶体管，简称MOS管。特点：输入电阻高，噪声小。分类：有P沟道和N沟道两种类型；每种类型又分为增强型和耗尽型两种。一、结构和工作原理N沟道增强型绝缘栅场效晶体管

1.

N沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理如图所示：

(1)当VGS=0

，在漏、源极间加一正向电压VDS

时，漏源极之间的电流ID=0

。

(2)当VGS

>0

，在绝缘层和衬底之间感应出一个反型层，使漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极间加一正向电压VDS

时，将产生电流ID

。开启电压VT

：增强型MOS管开始形成反型层的栅源电压。N沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理

N沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理

(3)在VDS>0时：若VGS

<

VT

，反型层消失，无导电沟道，ID=0

；若VGS>VT

，出现反型层(即导电沟道)

，D、S之间有电流ID

流过；若VGS

逐渐增大，导电沟道变宽，ID

也随之逐渐增大，即VGS

控制ID的变化。2．N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管夹断电压：使ID=0时的栅源电压。

结构及符号如图所示。特点：管子本身已形成导电沟道。N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管工作原理：在VDS>0

时，当VGS=0

导电沟道有电流ID；当VGS>

0

并逐渐增大时，沟道变宽，使ID

增大；

当VGS<0

逐渐增大此负电压时，沟道变窄，使ID

减小。实现VGS对ID

的控制作用。夹断电压VP

：是指使ID=0

时的栅源电压

VGS。

二、绝缘栅场效晶体管的特性曲线和跨导以N沟道MOS管为例。

1．转移特性曲线

N沟道MOS管的转移特性曲线如图所示。N沟道MOS管转移特性曲线增强型：当VGS=

0时，ID=0；当VGS>VT时，ID>0。耗尽型：当VGS=

0

时，ID

0；当VGS

为负电压时ID

减小；当VGS=

VPS

时，ID=0

。

2．输出特性曲线3．跨导可调电阻区饱和区击穿区三个区的含义与结型管输出特性曲线三个区相同。N沟道MOS管输出特性曲线三、绝缘栅场效晶体管的图形符号MOS管的图形符号

注意N、P沟道的区别在于图中箭头的指向相反。2.2.3场效晶体管的主要参数和特点一、主要参数1．直流参数(1)开启电压VT

在VDS

为定值的条件下，增强型场效晶体管开始导通(ID

达到某一定值，如10

A)时，所需加VGS

的值。(2)夹断电压VP

在VDS

为定值的条件下，耗尽型场效晶体管ID

减小到近于零时VGS

的值。(3)饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效晶体管工作在饱和区且VGS=0时，所对应的漏极电流。

(4)直流输入电阻RGS

栅源电压VGS

与对应的栅极电流IG

之比。场效晶体管输入电阻很高，结型管一般在107

以上；绝缘栅管则更高，一般在109

以上。

2．交流参数(1)跨导gm

VDS

一定时，漏极电流变化量

ID

和引起这个变化的栅源电压变化量

VDS

之比。它表示了栅源电压对漏极电流的控制能力。(2)极间电容场效晶体管三个电极之间的等效电容CGS、CGD、CDS，一般为几个皮法，结电容小的管子，高频性能好。3．极限参数(1)漏极最大允许耗散功率PDMID

与VDS

的乘积不应超过的极限值。(2)漏极击穿电压V(BR)DS漏极电流ID

开始剧增时所加的漏源间的电压。二、场效晶体管的特点场效晶体管与普通三极管比较表项目器件名称晶体三极管场效应管极型特点双极型单极型控制方式电流控制电压控制类型PNP型、NPN型N沟道、P沟道放大参数

=50~200gm=1000~5000μA/V输入电阻102~104W107~1015W噪声较大较小热稳定性差好抗辐射能力差强制造工艺较复杂简单、成本低工程应用——场效晶体管使用常识结形场效晶体管的栅源电压必须使PN结反偏，不能接反。因结型场效晶体管的源极及漏极通常制成对称的，所以原极和漏极可以调换使用。绝缘栅场效晶体管中，有的产品将彻底引出(有四个管脚)，此时源极和漏极可以互换使用，但有的产品在制造时已把源极和衬底连接在一起，这种管子源极和漏极就不能调换使用。绝缘栅场效晶体管由于输入电阻很高，如果在管脚开路状态下保存，会使管子还未使用时就已击穿或性能下降。因此，无论管子使用与否，都应将三个电极短路或用铝箔包好。结型场效晶体管可以在开路状态下保存。本章小结晶体三极管是一种电流控制器件，具有电流放大作用；使用时有三种基本连接方式，最常用的是共发射极接法；有三种工作状态，即截止、饱和和放大状态；三个电极的电流关系是，在放大状态时；

值表示电流放大能力的大小；ICBO、ICEO反映了管子温度稳定性；三极管有NPN型和PNP型两大基本类型。场效晶体管是一种电压控制器件，用栅极电压来控制漏极电流；具有高输入电阻和低噪声的特点；表征管子性能的有转移特性曲线、输出特性曲线和跨导；它有结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管两大类，每类又有P沟道、N沟道的区别；绝缘栅场效晶体管另有增强型和耗尽型两种。本章重点掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参数及温度对参数的影响。了解MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数。本章难点晶体三极管的放大作用。输入、输出特性曲线及主要参数。学时分配序号内容学时12.1晶体三极管422.2场效晶体管43本章小结4本章总课时8第3章单级低频小信号放大器本章学习目标3.1放大器的基本概念3.2基本共射放大器3.3放大电路的分析方法3.4分压式偏置放大电路本章小结本章学习目标了解放大器的方框图的组成，理解放大倍数的概念。掌握基本共射极放大电路的组成，理解各元器件的作用，会分析其工作原理。掌握基本共射放大电路的直流通路的画法，并能用估算法计算基本共射放大器的静态工作点，清楚静态工作点的作用。掌握基本共射放大电路的交流通路的画法，理解输入电阻、输出电阻的含义，掌握输入电阻、输出电阻和电压放大倍数的计算。理解图解法的含义，会用图解法进行静态工作点分析并理解因静态工作点设置不当引起的失真，了解失真消除的方法。熟悉分压式偏置共射放大电路的构成及作用，理解其稳定静态工作点的原理。3.1放大器的基本概念3.1.1放大器概述3.1.2放大器的放大倍数3.1.1放大器概述

放大器：把微弱的电信号放大为较强电信号的电路。基本特征是功率放大。扩音机框图扩音机是一种常见的放大器，如图所示。

声音先经过话筒转换成随声音强弱变化的电信号；再送入电压放大器和功率放大器进行放大；最后通过扬声器把放大的电信号还原成比原来响亮得多的声音。

3.1.2放大器的放大倍数放大器的框图输入端输入电流输出电流输入电压输出电压输出端一、放大倍数的分类

1．电压放大倍数(3.1.1)

2．电流放大倍数

(3.1.2)

3．功率放大倍数

(3.1.3)三者关系为

(3.1.4)

二、放大器的增益增益G：用对数表示放大倍数。单位为分贝(dB)。1．功率增益GP

=10lgAP(dB)

2．电压增益Gv

=20lgAv(dB)

3．电流增益Gi

=20lgAi(dB)

增益为正值时，电路是放大器，增益为负值时，电路是衰减器。例如，放大器的电压增益为20dB，则表示信号电压放大了10倍。又如，放大器的电压增益为-20dB，这表示信号电压衰减到1/10，即放大倍数为0.1。3.2单级低频小信号放大器3.2.1单管共射基本放大电路3.2.2放大器的静态工作点3.2.3共发射极电路的放大和反向作用

单级低频小信号放大器：工作频率在20Hz(赫)到20kHz(千赫)内、电压和电流都较小的单管放大电路。3.2.1单管共射基本放大电路单管共发射极放大电路一、电路的组成和电路图的画法1．电路组成2．元件作用

EB——基极电源。通过偏置电阻Rb，保证发射结正偏。

EC——集电极电源。通过集电极电阻RC，保证集电结反偏。

Rb——偏置电阻。保证由基极电源EB

向基极提供一个合适的基极电流。

Rc——集电极电阻。将三极管集电极电流的变化转换为集电极电压的变化。

C1、C2——耦合电容。防止信号源以及负载对放大器直流状态的影响；同时保证交流信号顺利地传输。即“隔直通交”。实际电路通常采用单电源供电，如图(b)所示。单管共发射极放大电路3．电路图的画法如右图所示。“⊥”表示接地点，实际使用时，通常与设备的机壳相连。RL

为负载，如扬声器等。单电源供电放大器的习惯画法C1、C2

非电解电容器的画法二、电路中电压和电流符号写法的规定

1．直流分量：用大写字母和大写下标的符号，如IB表示基极的直流电流。

2．交流分量瞬时值：用小写字母和小写下标的符号，如ib

表示基极的交流电流。

3．总量瞬时值：是直流分量和交流分量之和，用小写字母和大写下标的符号，如iB=IB+ib，即表示基极电流的总瞬时值。3.2.2放大器的静态工作点静态：无信号输入(vi=0)时电路的工作状态。

1．静态工作点Q

：静态时晶体管直流电压VBE

、VCE

和对应的IB、IC

值。分别记作VBEQ、IBQ、VCEQ

和ICQ。如下图所示。VBEQ：硅管一般为0.7V，锗管为0.3V。静态工作点

[例3.2.1]在图示单级放大器中，设VG=12V,

RC=2k

，

=60。求放大器的静态工作点。

静态工作点解从电路可知，晶体管是NPN型，按照约定视为硅管，则2．静态工作点对放大器工作状态的影响

静态工作点放大器的静态工作点是否合适，对放大器的工作状态影响非常大。(1)Rb除掉，则IBQ=0，当输入端加正弦信号电压vi

时，在信号正半周，发射结正偏而导通，输入电流ib

随vi

变化。在信号负半周，发射结反偏而截止，输入电流ib

等于零。即波形产生了失真。除去Rb时放大器工作不正常

2．静态工作点对放大器工作状态的影响

(2)Rb

阻值适当，则

IBQ

不为零且有合适的数值。当输入端有交流信号vi

通过C1加到晶体管的发射结时，即交流

ib

叠加在直流IBQ

上。那么基极的总电流IBQ+

ib

始终是单方向的直流电，即它只有大小的变化，没有正负极性的变化，这样就不会使发射结反偏而截止，从而避免了输入电流

ib

的波形失真。综上可见，一个放大器的静态工作点是否合适，是放大器能否正常工作的重要条件。3.2.3共发射极电路的放大和反相作用1．信号放大与反相由于基极电流对集电极电流的控制作用，集电极电流iC=ICQ+ic同样，集电极与发射极电压也是静态电压VCEQ

和交流电压vce两部分合成，即vCE=VCEQ+vce交流输入信号vi

经过电容C1作用在晶体管的发射结，引起基极电流的变化，这时基极总电流为iB=IBQ+ib由于集电极电流iC

流过电阻RC时，在RC

上产生电压降iC

RC

，则集电极与发射极间总的电压应为：负号表示ic

增加时vce

将减小，即vce

与ic

反相。经耦合电容C2的“隔直通交”，放大器，输出端获得放大后的输出电压

vo

＝vce＝－ic

Rc，即vo与vi

相反。2．直流通路和交流通路画法(1)直流通路：电容视为开路，其他不变。(2)交流通路：电容和电源视为短路。直流、交流通路画法单级放大器的工作特点：

(1)为了不失真地放大信号，放大器必须设置合适的静态工作点。

(2)共发射极放大器对输入的信号电压具有放大和反相作用。

(3)在交流放大器中同时存在着直流分量和交流分量两种成分。直流分量反映的是直流通路的情况；交流分量反映的是交流通路的情况。3.3放大电路的分析方法3.3.1图解法3.3.2估算法复习提问1、晶体三极管的输出特性曲线在IB一定时，晶体管输出电流IC和输出电压VCE之间相应的数量关系的曲线。输出特性曲线可分为三个工作区:1．截止区条件：发射结反偏或两端电压为零。特点：IB=0，IC=ICEO

。2．饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。特点：VCE=VCES。VCES

称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。3．放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：

IC受IB控制，即

IC=

IB

。在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。

3.3.1图解法通常采用图解法和估算法对放大电路的基本性能进行分析。图解法：利用晶体管特性曲线，通过作图分析放大器性能。一、用图解法分析静态工作点1．直流负载线放大器的输出回路

将直流负载方程以直线表示画出直流负载线，如图所示。在VCE-IC的坐标系中，找两个特殊点。开路电压点N:IC=0，VCE=VG短路电流点M:VCE=0，IC=VG/RC放大电路中的IC与VCEQ必须同时处于直流负载线和输出特性曲线上，即静态工作点必须位于它们的交点上。在左图晶体管输出特性曲线族上作直线MN，斜率是1/Rc，由于Rc

是直流负载电阻，所以直线MN

称为直流负载线。2．静态工作点的图解分析如图所示，若给定IBQ=IB3，则曲线IBQ=IB3

与直线MN

的交点

Q，即为静态工作点。由于晶体管输出特性是一组曲线，所以，对应不同的IBQ，静态工作点Q

的位置也不同，所对应的VCEQ、ICQ

也不同。结论若IB=IBQ，则交点只有一个，即为静态工作点Q。Q的横坐标为VCEQ纵坐标为ICQ。某共射放大电路的输出特性曲线、直流负载线及静态工作点如图所示①确定静态工作点ICQ和VCEQ。②根据电路确定RB，RC和VG。解：①根据负载线的两点VG=12V又Q点在IBQ=40μA的输出特性曲线上IBQ=VG/Rb

Rb=300kΩ②ICQ=2mAVCEQ=6V二、用图解法分析输出端带负载时的放大倍数1．交流负载线交流通路交流负载电阻为过Q点，作斜率为的直线，得交流负载线M

N

。2．放大倍数的图解分析如图所示。根据iB

的变化范围iBmax

和iBmin，得到工作点的变化范围Q1、Q2，可得输出电压的动态范围VCEmax–VCEmin。所以输出电压的幅值Vom=VCEmax–VCEQ,若输入信号的幅值为Vim，则放大器的电压放大倍数为放大倍数的图解分析三、静态工作点与波形失真的图解1．饱和失真如果静态工作点接近于QA

，在输入信号的正半周，管子将进入饱和区，输出电压vce

波形负半周被部分削除，产生“饱和失真”。2．截止失真如果静态工作点接近于QB，在输入信号的负半周，管子将进入截止区，输出电压vce波形正半周被部分削除，产生“截止失真”。3．非线性失真饱和失真和截止失真统称为非线性失真。是由于管子工作状态进入非线性的饱和区和截止区而产生的。为了获得幅度大而不失真的交流输出信号，放大器的静态工作点应设置在负载线的中点Q

处。工程应用消除非线性失真的方法由上页图可知，当静态工作点偏高时，IBQ

偏大，出现饱和失真，要消除饱和失真，可将偏置电阻Rb增大，即可使IBQ

下降，静态工作点下移动。当静态工作点偏低时，IBQ

偏小，出现截止失真，要消除截止失真，可将偏置电阻Rb减小，静态工作点上移动。为调节静态工作点，常将偏置电阻设置成可调电阻，为防止可调偏置电阻调为零电阻时静态工作电流过大引起的三极管损坏，又常将可调偏置电阻与一固定电阻相串联。3.3.2估算法估算法：应用数学方程式通过近似计算来分析放大器的性能。一、估算静态工作点由放大器的直流通路得出估算静态工作点的公式：

[例3.3.1]如图所示放大器，设VG=12V，Rb=200k

，RC=3k

，若晶体管电流放大系数

=35，试估算静态工作点。估算静态工作点

解二、估算输入电阻、输出电阻和放大倍数1．晶体管输入电阻rbe的估算公式

晶体管的输入电阻rbe：晶体管基极和发射极之间交流电压vi与相应交流电流ib之比。估算公式为：

rbb是晶体管基区电阻，在小电流(IEQ约几毫安)情况下，低频小功率管约为300

，因此，在低频小信号时从式可见，rbe与静态电流IEQ有关，静态工作点不同，rbe取值也不同。常用小功率管的rbe约为1k

左右。2．放大器的输入电阻ri和输出电阻ro

(1)输入电阻ri

输入电阻ri：从放大器输入端看进去的交流等效电阻。从图中可以看出，ri=Rb//rbe

一般Rb>>rbe

，所以ri

rbe

如图所示放大器的交流通路，

ri

表示放大器从信号源吸取信号幅度的大小。ri

越大，信号源内阻损耗越小，放大器得到的有效输入信号越大。结论：单级放大器的输入电阻ri

近似等于晶体管的输入电阻rbe。交流通路(2)输出电阻ro交流通路

输出电阻ro：从放大器输出端(不包括外接负载电阻)看进去的交流等效电阻。因晶体管输出端在放大区呈现近似恒流特性，其动态电阻很大，所以输出电阻近似等于集电极电阻。即

ro表示放大器带负载的能力。输出电阻越小，输出信号时，自身损耗越小，带负载的能力越强。3．估算放大倍数的公式放大器输出端外接负载电阻RL

时，等效负载电阻即故

[例3.3.2]

单级放大器中，Rc=3k

，设静态电流IE=2.1mA，晶体管

=35。求输出端带负载电阻RL=3k时，电压放大倍数A

v解3.4放大器的偏置电路3.4.1固定偏置电路3.4.2分压式稳定工作点偏置电路3.4.1固定偏置电路固定偏置电路电路如图所示。由直流通路可见，偏置电流IBQ

是通过偏置电阻Rb

由电源VG

提供，当VG>>VBEQ

时只要VG

和Rb

为定值，IBQ

就是一个常数，故把这种电路称为固定偏置电路。该电路由于因此，当环境温度升高时，虽然IBQ

为常数，但

和ICEQ

的增大会导致ICQ

的上升。可见，电路的温度稳定性较差。只能用在环境温度变化不大，要求不高的场合。3.4.2分压式稳定工作点偏置电路1．元件作用

Rb1：上偏置电阻，Rb2：下偏置电阻，Re：发射极电阻，Ce：发射极旁路电容。电路特点是静态工作点比较稳定。动画分压式偏置电路

2．工作原理基极电压VBQ

由Rb1

和Rb2

分压后得到，即

固定。当环境温度上升时，引起

ICQ

增加，导致的IEQ

增加，使VEQ=IEQ·Re

增大。由于VBEQ=VBQ-

VEQ，使得VBEQ

减小，于是基极偏流IBQ

减小，使集电极电流ICQ

的增加受到限制，从而达到稳定静态工作点的目的。稳定工作点的过程简述如下：T

ICQ

IEQ

VEQ

VBEQ

IBQ

ICQ

[例3.4.1]在图具有分压式稳定工作点偏置电路的放大器中，Rb1=30k

、Rb2=10k

、Rc=2k

、Re=1k

、VG=9V，试估算ICQ和VCEQ。分压式稳定工作点偏置电路

解估算时可认为VBQ

是基极开路时的电压值。本章小结单级低频小信号放大电路是最基本的放大电路，表征放大器的放大能力是放大倍数，即电压、电流和功率三种放大倍数。放大器常采用单电源电路。要不失真地放大交流信号必须使放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在放大区。图解法和估算法是分析放大电路的两种基本方法。图解法可直观地了解放大器的工作原理，它的关键是会画直流负载线和交流负载线。用估算法可以简捷地了解放大器的工作状况，分析计算放大器的各项性能指标。在放大器中，为了稳定静态工作点，常采用分压式稳定工作点偏置电路。本章重点掌握共发射极放大电路、分压式偏置电路的工作原理和静态工作点估算。了解温度对静态工作点的影响。掌握共发射极放大电路的图解分析法和估算法。本章难点共发射极电路的工作原理。估算静态工作点，电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。分压式偏置电路的工作原理。学时分配序号内容学时13.1放大器的基本概念123.2单级低频小信号放大器233.3放大电路的分析方法243.4放大器的偏置电路15实验四单级低频小信号放大器26本章小结7本章总学时8第4

章多级放大器和反馈放大器本章学习目标4.1晶体二极管4.2负反馈放大器4.3三种组态电路性能比较本章小结本章学习目标清楚多级放大器间耦合方式。理解阻容放大器的频率特性，理解通频带的概念。理解反馈的概念，清楚反馈的分类，掌握判别反馈的方法。理解负反馈对放大器性能的影响。清楚射极输出器的电路组成，掌握该电路输入电阻、输出电阻的工作特点。了解三种组态的电路性能。4.1多级放大器4.1.1放大器的级间耦合方式4.1.2阻容耦合多级放大器4.1多级放大器

多级放大器：把多个单级放大电路串接起来，使输入信号vi

经过多次放大的电路。特点：电压放大倍数高，通频带窄。4.1.1放大器的级间耦合方式级间耦合：放大器级与级之间的连接，其方式有三种：阻容耦合、变压器耦合、直接耦合。

1．阻容耦合：级间通过电容C2

和基极电阻Rb(Rb12//Rb22)连接。由于电容

C2的“隔直通交”作用，使各级静态工作点独立；交流信号顺利通过C2

输送到下一级。

2．变压器耦合：级间通过变压器T1

连接。由于T1

一、二次线圈之间具有“隔直通交”的性能，使各级静态工作点独立，而交流信号通过T1

互感耦合顺利输送到下一级。

3．直接耦合：级间通过导线(或电阻)直接连接。前级输出信号直接输送到下一级；但各级静态工作点相互影响。对耦合方式的基本要求：(1)信号传输无损失。(2)静态工作正常。(3)信号失真小，传输效率高。4.1.2阻容耦合多级放大器一、阻容耦合多级放大器的放大倍数电路：交流通路：一、阻容耦合多级放大器的放大倍数

第一级的输入电阻为第二级的输入电阻为第一级交流负载为第二级交流负载为一、阻容耦合多级放大器的放大倍数由放大倍数的定义得第一级电压放大倍数第二级电压放大倍数两级电压放大倍数应为因Vi2=Vo1所以得Av=Av1

·Av2

结论：两级放大器的电压放大倍数Av

等于单级电压放大倍数Av1

与Av2

的乘积。同理，n级放大器的放大倍数为注意，分析多级放大器的放大倍数时要考虑后级对前级的影响。即把后级的输入电阻作为前级负载来考虑。

[例4.1.1]两级阻容耦合放大器中，按给定的参数，并设两管的

1=

2=40，rbe1=1.3k

，rbe2=1k

，试估算：(1)各级的电压放大倍数；(2)总的电压放大倍数。解(1)先估算有关参数(2)估算各级电压放大倍数(3)总的电压放大倍数

[例4.1.2]某多级放大器其各级电压增益为：第一级是20dB、第二级是30dB、第三级为35dB，求该放大器总的电压增益是多少分贝？解该多级放大器总电压增益应为各级电压增益之和

[例4.1.3]

有一收音机，其各级功率增益为：天线输入级-3dB、变频级20dB、第一中放级30dB、第二中放级35dB、检波级-10dB、末前级40dB、功放级20dB，求收音机的总功率增益。解总功率增益为各级功率增益