《集成电路先进制造工艺技术》中级课程试题

《集成电路先进制造工艺技术》中级课程试题

一、单选题（每题2分，共计30分）

1、研发某•技术节点的技术，比如:研发65纳米逻辑工艺，哪•项不是研发阶段的

内容?（）

A.撰写DR

B.设计绘制TKLayout

C.设计工艺流程Flow

D.定期随机抽取产品测试可靠性能

2、下列工艺优化（process

tuning）的相关工作中哪一项不属于PIE（工艺整合工程师）的工作职责?（）

A.制订工艺流程（flow）;

B.制订工艺测星的标准值；

C.修改设备中工艺菜单（recipe）的具体内容;（I—

D.分析工艺对应的电学参数（WAT）不达标的原因。

3、下列关于器件特性的说法哪一项是错误的?（）

A.SRAM是挥发性存储器，DRAM是非挥发性存储器;（一；「）

B.3DNAND也是FLASH闪存；

C.DRAM基本存储单元是1T1C,其中T指晶体管，C指电容器；

D.栅长越大，器件关态漏电越小;栅宽越小，器件开态电流越小。

4、浅槽隔离,BPshallowtrenchisolation,简称STL引入它的目的是实现（）

A.有源区之间的绝缘隔离I—）

B.有源区之间的连接

C.无源区之间的导通

D.无源区之间的隔离

5、下列哪一项不属于CVD工艺（）

A.等离子化学气相淀积

B.低压化学气相淀积

c.电了束蒸发川「节C

D.常压化学气相淀积

6、折射率是表征CVD薄膜的重要参数，对于氧化硅（1）、氮化硅（2）、多晶硅（3）

折射率从大到小的排序是（）

A.1、2、3

B.3、2、1（「确答W）

C.2、1、3

D.3、1、2

7、以下选项那些不属于干法刻蚀的优点（）

A各向同性（止厂3案）

B良好的关键尺寸（CD）控制

C最小的光刻胶脱落或粘附句题

D良好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性

8、原子层刻蚀（ALE）能实现高精度其最为重要的特征为（）

A.高刻蚀速率；

B.刻蚀过程具有自限制的特点;（彳三）

C.高选择比；

D.各向同性

9、热氧化过程中消耗的硅占SiO2总体积的多少?（）

A.20%

B.30%

C.44%（I

D.60%

10、为什么要开发快速热退火工艺？（）

A.形成浅结T.「：一

B.消除悬挂键

11、简磁控溅射利用了什么原理提高了等离子体的电离效率找）

A.磁场中的洛伦磁力;（Ml

B.电场中电场力；

C.磁场对电流的安培力；

D.电荷之间静电作用力；

12、SCI主要功能是去除颗粒，由哪些化学药液配比成的?（）

A.NH4OH,H2O2;

B.NH4OH,H2O2,H2O;（『孑

C.HCL,H2O2,H2O;

D.H2SO4.H2O2

13、SC2主要功能是去金属离子沾污，由哪些化学药液配比成的?（）

A.HF,H2O;

H.AREA;（i

I.DENSITYdl

2、以下选项哪些属于湿法刻蚀优点（）

A.选择性高;（if）

B.重复性好;（正『「左）

C.生产效率高;（上森）

D.设备简单、成本低⑷布帘;）

3、按原理来分类，干法刻饨可以分为（）

A.溅射与离子铳刻蚀;（口广三）

B.等离子刻蚀;川"”）

C.反应离子刻蚀;（」「—）

D.聚焦离子束刻蚀

4、下列哪些金属图形化用到干法刻蚀（）

A.A1;

B.Ti;

C.Cu;

D.Ta

5、Al刻蚀机内要完成哪些事要步骤（）

A.A1刻蚀图形化;（上河咳A

B.干法去胶;（il「「7）

C.晶圆冷却;<I"；力

D.聚合物清洗

6、在大规模IC的生产过程中，溅射法与蒸镀法相比有什么优点？（）

A.能在更大圆片上沉积厚度均匀的薄膜;（卜

B.能淀积合金材料薄膜，所形成的膜更接近原材料的成分比；

C.淀积高熔点和难熔金属薄膜;（）＞-：）

D.能在溅射金属前，清除硅片表面沾污和自然氧化层（ClusterTool）（

7、在先进制程中铜互连为什么可以代替铝互连？（）

A.铜的电阻率比铝低;（尚冷先）

B.大马士结构和化学机械研磨技术的发明;（正际

C.电镀可以实现小尺寸图形铜的填充;（—）

D.Ta/TaN阻挡层很好的解决了铜扩散和黏附性的问题

8、为什么要用化学机械平坦化?（）

A.光刻工艺的保障（I-）

B.金属互连的需求;力

c.形成关键的器件结构川：）

9、CMP研磨部分重要的工艺材料分别是哪几种？（）

A.抛光液（「

B.抛光垫（

C.滚刷

D.抛光垫修整器案）

10、CMP工艺后芯片内均匀性缺陷有哪些？（）

A.碟型凹陷dishi唔!l

B.侵蚀型凹陷erosion栗）

C.划伤

D.颗粒卬「工）

11、工艺监控主要分为哪些方面？（）

A.量测（

B.检测（」F

C.分析川

D.切片

12、光学法膜厚量测的薄膜需要具备什么特点（）

A.透明明―电

B.半透明（疗」）

C.不透明

D.透光差

13、以下哪种方法可以测试薄膜的应力?（）

A.曲率法（确答:大

B.悬臂梁法（UJ力

C.干涉法Q确省为

D.衍射法，”一）

14、集成电路电学测试主要包含以下哪些环节?（）

A.CP测试（彳.：）

B.FT测试（

C.WAT测试「I」:主）

D.SIMS测试

15、以下属于WAT测试主要参数的是什么？（）

A.击穿电压川：「由

B.导通电流।力

C.膜厚检测

D.颗粒和缺陷检测

16、WAT测试机台主要包含哪儿部分？（）

A.IV测试仪表一

B.CV测试仪表（仆二”）

C.开关矩阵（山「，；；）

D.探针台（

17、数字标准单元库包含哪些基本单元？（）

A.组合逻辑单元;（」；？%）

B.时序逻辑单元;（工―）

C.特殊单元（」洛父）

18、数字标准单元库中基准单元INVX1的设计要点是什么？（）

A.足够大的噪声容限;（A1W）

B.均衡的上升/下降时间”「军）

C.均衡的上升/下降延时）

三、简答题