2026届福建省莆田市高三下学期毕业班适应性练习物理试卷（含答案）

第=page11页，共=sectionpages11页2026届福建省莆田市高三下学期毕业班适应性练习物理试卷一、单选题：本大题共4小题，共16分。1.近年来我国在“人造太阳”可控核聚变、量子通信卫星等科研领域取得丰硕成果。下列说法正确的是(

)A.光子能量与波长成正比

B.光电效应现象说明光具有波动性

C. 12H+13H2.一列简谐横波沿x轴正方向传播，t=0时刻波刚好传播到x=5 m处，此时x=3 m处的质点M刚好振动了0.2 s，质点N的平衡位置在x=9 m处，下列说法正确的是(

)

A.坐标原点处质点起振方向为y轴正方向

B.简谐横波的波长为5 m

C.波的传播速度大小为10 m/s

D.t=1 s时，质点N已运动的路程为0.8 m3.由中国科学院云南天文台牵头的研究团队，在一颗类似太阳的恒星周围发现了一颗位于宜居带的“超级地球”开普勒−725c，轨道如图所示。该行星绕恒星运行周期为8t0，行星从A到B(A、B两点关于椭圆长轴对称)、从C到D的时间均为t0；从B到C、从D到A行星与恒星的连线扫过面积之比为3∶1，万有引力做功的绝对值分别为WBC和WDA，经历的时间分别为tBC和tDA；A和C处的速度分别为vA和vC、加速度分别为A.tDA=2t0 B.WBC>4.如图所示，O、A、B、C点为棱长为L的正四面体的四个顶点，A、B、C三点各固定一电荷量为−Q的点电荷，O′为三角形ABC的几何中心。已知静电力常量为k，下列说法正确的是(

)

A.O点电势小于O′点电势

B.试探电荷−q从点O移到O′电场力做正功

C.O点场强大小为6kQL2

D.二、多选题：本大题共4小题，共20分。5.如图所示，理想变压器原线圈输入电压U=2202sin100πtV，电压表、电流表都为理想电表。若S拨到a处，下列判断正确的是A.输入电压有效值为220 V

B.当变阻器的滑片向下滑动时，电流表A1的示数减小

C.当变阻器的滑片向下滑动时，原线圈的输入功率减小

D.若变阻器的滑片不动，S由a拨到b，电流表A6.如图所示，一质量分布均匀的光滑重球P通过轻绳悬挂在竖直挡板上，轻绳与竖直挡板的夹角α=30∘，将挡板绕O点顺时针缓慢转动到与水平方向夹角30∘。在该过程中细绳对重球的拉力F和挡板对重球的弹力N的变化情况是(

)A.F保持不变 B.F一直减小 C.N一直增大 D.N先增大后减小7.笔记本电脑机身和显示屏对应部位分别有磁体和霍尔元件。当显示屏开启时磁体远离霍尔元件，电脑正常工作；当显示屏闭合时磁体靠近霍尔元件，屏幕熄灭，电脑进入休眠状态。如图所示，一块宽为a、长为c的矩形半导体霍尔元件，元件内的导电粒子是自由电子，通入方向向右的电流时，电子的定向移动速度为v。当显示屏闭合时元件处于垂直于上表面、方向向下的匀强磁场中，于是元件的前、后表面间出现电压U，以此控制屏幕的熄灭，则霍尔元件的(

)

A.前表面的电势比后表面的高 B.匀强磁场的磁感应强度大小为Uva

C.前、后表面间的电压U与v无关 D.前、后表面间的电压U与a8.如图甲所示，光滑绝缘水平面上固定两间距为L=1 m的光滑导轨，导轨左侧接有智能电源、电容为C=0.8 F的电容器和开关S。空间有宽度为d=0.5 m的两相同匀强磁场区域Ⅰ、Ⅱ，磁场边界均与导轨垂直，质量为m=0.2 kg的导体棒静置在区域Ⅰ最左侧，质量为m=0.2 kg、边长为d=0.5 m、电阻R=0.25Ω的正方形线框右侧紧挨区域Ⅱ最左侧放置，区域Ⅱ右侧距离d处有一固定挡板。t=0时刻，闭合S，电容器两端的电压Uab随时间的线性变化图像如图乙所示，t=0.5 s时导体棒恰出区域Ⅰ，棒与线框、线框与挡板的碰撞均为弹性碰撞，下列说法正确的是(

)

A.导体棒在区域Ⅰ内做匀加速直线运动

B.磁感应强度大小为1.0 T

C.线框第1次完全出磁场瞬间速度大小为118 m/s

D.三、填空题：本大题共3小题，共14分。9.一定质量的理想气体经A→B→C→D过程，从A到B，体积

(填“变大”或“变小”)：从B到C，单位时间内气体分子对单位面积器壁的碰撞次数

(填“减少”或“增加”)；从C到D，气体

(填“吸热”或“放热”)。

10.利用光的偏振现象可以提高AR眼镜的图像质量，偏振现象说明光是一种

(填“横波”或“纵波”)。如图所示，自然光经过两个偏振片呈现在光屏上；若检偏器绕圆心匀速转动，周期为T，则光屏上出现两次光强最强的时间间隔至少为

。

11.曲柄连杆是发动机的主要传动结构，简化示意图如图所示，长为L的曲轴OA可绕固定点O做匀速转动，连杆两端分别连接曲轴上的A点和活塞上的B点。若曲轴OA匀速转动的角速度为ω， A点的线速度大小为

；当OA与AB垂直，AB与水平方向夹角为θ时，活塞的速度大小为

。

四、实验题：本大题共2小题，共16分。12.某兴趣小组设计了如图甲所示的实验装置，来探究向心力大小与角速度大小的关系。将一个质量分布均匀，边长为L0的磁性正方体滑块放置在转台上，长为L且不可伸长的绝缘细线与转台平行，一端连接磁性滑块内侧，另一端连到固定在转轴上的力传感器上，力传感器与计算机连接可以显示细线上拉力F的大小。磁性滑块静止时，力传感器示数为零。转台左侧固定一智能手机，智能手机中的“磁传感器”能实时记录手机附近磁场的大小，磁体越靠近手机，“磁传感器”记录下的磁感应强度越大。当转台绕竖直轴水平匀速转动时，手机记录滑块多次经过时的磁场脉冲信号，如图乙所示。(1)由图乙可得滑块做匀速圆周运动的角速度大小ω=

(用π、t0表示)(2)经多次实验后，以力传感器的示数F为纵轴，对应的角速度平方ω2为横轴，建立直角坐标系，描点后拟合为一条直线，如图丙所示，试分析图像不过原点的原因：

(3)该小组通过分析发现由丙图还可计算出滑块的质量m，则m=

(用a、b、L、L0表示)。13.某物理实验小组利用实验室器材测量一段康铜金属丝的电阻率。(1)用螺旋测微器测量金属丝不同位置的直径，算出平均值D；用刻度尺测量金属丝接入电路的长度L。(2)该实验小组采用图甲所示电路图进行实验，U为输出电压可调且稳定的直流电源。将电源输出电压调至U=5.00 V，闭合开关S，调节电阻箱R的阻值，当R的示数R0=1.20Ω时，电压表的指针如图乙所示，其读数Ux=

V。根据上述数据，可计算得金属丝的电阻Rx=

(3)根据公式ρ=

(用π、D、L、Rx表示)(4)在图甲的电路中，由于电压表内阻并非无穷大，会导致Rx的测量值

(填“大于”“小于”或“等于”)(5)另一实验小组设计了图丙所示的改进电路进行测量。闭合开关S与S1，调节电阻箱R，当灵敏电流计G的示数为零时，记下电阻箱的阻值R1，则金属丝的电阻为Rx=

(用R1、U、五、计算题：本大题共3小题，共34分。14.某消防队员从一平台无初速度跳下，下落1.8m后双脚触地，同时采用双腿弯曲的方法缓冲。若视其在缓冲过程中自身重心匀变速下降了0.5m，g=10m/s2(1)消防队员刚着地时的速度大小；(2)缓冲下降0.5m所用的时间；(3)缓冲过程地面对他双脚的平均作用力的大小为自身重力的多少倍。15.在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入简化工作原理的示意图，一个粒子源于A处不断释放质量为m，带电量为+q的离子，其初速度视为零，经电压为U的加速电场加速后，沿图中半径为R1的圆弧形虚线通过14圆弧形静电分析器(静电分析器通道内有均匀径向分布的电场)后，从P点沿直径PQ方向进入半径为R2的圆形匀强磁场区域，磁场方向垂直于纸面向外。经磁场偏转，离子最后垂直打在平行PQ放置且与PQ等高的硅片上，硅片到PQ的距离为(1)离子进入静电分析器时的速度大小v；(2)静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E和圆形磁场的磁感应强度大小B；(3)若匀强磁场的磁感应强度大小可以调节，要让从P点沿直线PQ方向进入圆形匀强磁场区域的离子全部打在硅片上，求磁感应强度大小的取值范围。16.某固定装置的竖直截面如图所示，水平高台上的直轨道CD、圆弧轨道DEF、直轨道FG平滑连接。高台左侧水平轨道AB略低，轨道上放置一块质量为m、长度为L的平板，平板上表面与CD等高。高台右侧有一水平地面HI，与高台的高度差为h。初始时，平板处于静止状态，其右端与高台的CB侧距离足够大。让一质量也为m的滑块以速度v0滑上平板，并带动平板向右运动。当平板到达CB时将立即被锁定，滑块继续向前运动。若滑块落到HI段，将与地面发生碰撞，碰撞时间极短(支持力远大于重力)，反弹后竖直分速度减半，水平速度同时发生相应变化。已知，m=1kg，v0=10m/s，h=5m，L=10m，滑块与平板上表面间的动摩擦因数μ1=0.25、与HI段间的动摩擦因数(1)求平板被锁定瞬间，滑块的速度大小v以及此时滑块离平板右端的距离x；(2)要使滑块不脱离圆弧轨道，求圆弧轨道半径R的取值范围；(3)若滑块沿着轨道运动至G点飞出，求其最终距G点的水平距离d。

参考答案1.D

2.C

3.B

4.C

5.AD

6.BC

7.AB

8.AD

9.变小增加吸热

10.横波T

11.ωLωL

12.20π滑块与转台间存在摩擦力2a

13.2.601.30π小于E

14.【详解】(1)根据自由落体运动公式可得

2gh=解得消防队员刚着地时的速度大小

v=(2)消防队员在缓冲过程做匀减速直线运动，根据运动学公式可得

h解得缓冲下降

0.5m

所用的时间为

t=(3)消防队员在缓冲过程的加速度大小为

a=根据牛顿第二定律可得

F可得

F

15.【详解】(1)离子在加速电场中运动，由动能定理

qU=1解得

v=(2)①静电分析器中，径向电场力提供离子圆周运动的向心力

qE=m代入

v化简得：

E=②离子沿直径

PQ

进入磁场，偏转后速度水平向右垂直打在硅片上，可得偏转角为

90∘

。对圆形磁场中沿直径入射的离子，由几何关系得离子轨迹半径

r=R2

代入，化简得

B=(3)设离子在磁场中轨迹半径为

r

，由

r=可知

B

越大，

r

越小。硅片与

PQ

等高，因此只有离子打在硅片上

0≤Y≤2R2

(

Y

为交点纵坐标)才符合要求，推导得

Y

与

r

满足离子全部打在硅片上。将

r=2mqUqB

代入不等式解得

16.【详解】(1)平板与滑块运动至共速过程，根据动量守恒有

m解得

v=5m/s根据能量守恒定律有

μ解得

Δx=10m此时滑块离平板右端距离

x=L−Δx=0(2)当滑块恰过圆弧轨道最高点时，根据牛顿第二定律有

mg=m从滑上高台到运动至圆弧轨道最高点过程，根据动能定理有