1+X集成电路理论考试模拟题（附参考答案）

1+X集成电路理论考试模拟题（附参考答案）

1、通常一个花篮中最多装（）片晶圆。

A、15

B、20

C、25

D、30

答案：C

2、干-湿-干氧化过程中，第一次干氯氯化的目的是（）。

A、形成所需的二氧化硅膜厚度

B、获得致密的二氧化硅表面

C、提高二氧化硅和光刻胶的黏附性

D、改善二氧化硅和硅交界面的性能

答案：B

干-湿-干氧化中，第一次干氧是为J'获得致密的SiO2表面，从而提高对杂

质的阻挡能力。干氧氧化和湿氧氧化各有自己的特点，在实际生产中往往将这

两种方式结合起来，采用干一湿-干的氧化方式，既保证二氧化硅的厚度及一定

的生产效率，乂改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。第一次干氧

是为了获得致密的二氧化硅表面，从而提高对杂质的阻挡能力。湿氧主要用来

形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生产效率；第二次干氧，是为了改善二氧

化硅和硅交界面的性能，同时使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻胶的

粘附性。

3、晶圆烘烤时长一般为（）分钟。

A、1

B、5

C、10

D、20

答案：B

晶圆烘烤长一般为5分钟。烘烤时间太长会导致墨点开裂，时间太短可能

会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷，导致墨点消失。

4、料盘外观检查前期，将料盘从中转箱中取出后，将测试合格的料盘放在

（）o

A、已检品区

B、待检品区

C、不合格品区

D、工作台任意位置

答案：B

料盘外观检查前期，将料盘从中转箱中取出后，根据随件单核对合格品、

不合格品的数量一致后，将合格品和随件单放在工作台的右边，其中不合格品

放在工作台下方的不合格品箱中，合格品放在待检区，并且不能超过黄线，这

是为了防止检查时进行混合。

5、单晶炉中籽晶轴的作用是()。

A、保证炉内温度均匀分布及散热

B、带动籽晶上下移动和旋转

C、起支撑作用

D、提供一个原子重新排列标准

答案：B

籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和旋转；籽晶的作用是提供一个原子重

新排列的标准；珀烟外的高纯石墨用烟托起支撑作用；炉腔可以保证炉内温度

均匀分布及散热。

6、在cadoncc软件中可以按先后次序保存()个命令在系统中，一旦超出

将不会执行。

A、5

B、3

C、7

D、10

答案：A

7、若使用串口助手下载程序到单片机，则需要keil软件生成()文件。

A、Dsp

B、Crf

C、Hex

D>Tnp

答案：C

8、利用平移式分选设备进行芯片测试时，设备在测试区完成测试后，会进

入()环节。

A、分选

B、外观检查

C、真空包装

D、上料

答案：A

9、在全自动探针台上进行扎针调试时，若发现探针整体偏移，则对应的处

理方式是：（）。

A、利用摇杆微调扎针位置

B、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置

C、更换探针测试卡D、调节扎针深度

答案：A

扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移，需要用摇杆微调整体的扎针

位置。

10、电子产品的几何测试的主要用到的_L具是（）o

A、镀层测厚仪

B、千分尺

C、量规

D、以上都是

答案：D

11＞通常情况下，一个编带盘中芯片的数量是（）«

A、8000

B、1000

C、2000

D、4000

答案：D

12、扎针测试的步骤是：（）。

A、输入晶圆信息一测试一清零一检查扎针情况（有异常）一异常情况处理

一继续测试一记录测试结果

B、输入晶圆信息一测试一检查扎针情况（有异常）一异常情况处理一清零

一继续测试一记录测试结果

C、输入晶圆信息一检查扎针情况（无异常）一测试一清零一继续测试一记

录测试结果

D、输入晶圆信息一清零一测试一检查扎针情况（无异常）一继续测试一记

录测试结果

答案：D

扎针测试时，在界面输入品圆信息并进行核对，核对信息一致后需要进行

清零，清零是为了保证晶圆的零点与检测MAP图.上的零点位置一致，防止出现

探针未按照设定运行轨迹进行扎针测试的现象。确认消零后，点击开始按钮进

行扎针测试。当测至500颗左右时需检查扎针情况，若无异常则继续进行测试,

测试完成后记录测试结果，若有异常则需要进行相应处理后再继续测试。

13、晶圆切割后的光检中对于不良废品，需要做()处理。

A、降档

B、剔除

C、标记

D、修复

答案:B

14、以下不属于模拟集成电路的是()o

A、锁相环

B、功率放大器

C、运算放大器

D、稳压器

答案：A

15、关于全自动探针台扎针调试的步骤，下列说法正确的是()。

A、输入晶圆信息一调出检测MAP图一自动对焦一扎针调试

B＞输入晶圆信息f调出检测MAP图f扎针调试自动对焦

C、输入晶圆信息一自动对隹一调出检测MAP图一扎针调试

D、输入晶圆信息一自动对焦一扎针调试一调出检测MAP图

答案：C

16、编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式()份。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：C

编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式三份。

17、化学机械抛光中，抛光液的作用是()。

A、与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化

B、向抛光垫施加压力

C、将反应生成物从硅片表面却除

D、清洗硅片

答案：A

硅片固定在抛光盘上后，抛光盘和装有抛光垫的旋转盘开始旋转，同时喷

淋抛光液；然后抛光盘向抛光垫施加压力，此时抛光液在硅片和抛光垫之间流

动，抛光液中的物质与硅片表面材料反应，变为可溶物质或将一些硬度过高的

物质软化；通过研磨作用将反应生成物从硅片表面去除，进入流动的液体排出。

18、重力式分选机的测试环节是在（）中进行。

A、主转塔

B、旋转台

C、测试轨道

D、水平面上

答案:C

重力式分选机的测试环节是在测试轨道中进行的。主转塔和旋转台是转塔

式分选机的设备，平移式分选机是在水平面上完成芯片的测试、分选。

19、封装_L艺中，将电封后的芯片放到温度为175±5u的高温烘箱内的作

用是（）。

A、测试产品耐高温效果

B、改变塑封外形

C、剔除塑封虚封的产品

D、消除内部应力，保护芯片

答案：D

20、使用重力式分诜机设备讲行芯片检测时，第一环节需讲行（）操作。

A、上料

B、分选

C、编带

D、外检

答案：A

重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料一测试一分选一编带（SOP）一

外观检查一真空包装。

21、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用DHF清洗液进行清洗时，可

以去除的物质是Oo

A、光刻胶

B、颗粒

C^金属

D、自然氧化物

答案：D

22、风淋室在运行时，风淋喷嘴可以喷出（）的洁净强风。

A、高温烘烤

B、车间内部

C、低温处理

D、高效过滤

答案：D

风淋是为了吹出人体表面的灰尘，故其喷出的风必须是经过高效过滤，除

掉掉微尘的洁净风。

23、()是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图

形以便形成互连线和集成电路填充塞的过程。

A、刻蚀

B、薄膜制备

C、填充

D、金属化

答案：D

金属化是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形

以便形成互连线和集成电路填充塞的过程。

24、铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种

子层不连续可能导致电镀的铜产生。

A＞空洞

B、尖刺

C、电迁移

D、肖特基现象

答案：A

如果种子层不连续，就可能在电镀的铜中产生空洞

25、在原理图编辑器内，执行ToolsfFootprintManager命令，显示()。

A、Messages窗口

B、工程变更命令对话框

C、封装管理器检查对话框

D、Navigator面板

答案：C

26、晶圆进行扎针测试时，测试机将测试结果通过()传输给探针台。

A、GPIB

B、USD

C、VGA

D.HDMI

答案：A

27、元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方向,

则应使标记向外易于辨认，并按照()的顺序读出。

A、从左到右、从上到下

B、从右到左、从下到上

C、从右到左、从上到下

D、从左到右、从下到上

答案：D

28、重力式分选机进行芯片检测时，如果出现.上料槽无料管，应采取（）的

处理方式。

A、人工加待测料管

B、人工换料管

C、人_1_加空料管

D、人工将卡料取出

答案：A

重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料，需要人工加待测料

管。

29、如果焊接面上有（）,不能生成两种金属材料的合金层。

A、阻隔浸润的污垢

B、氧化层

C、没有充分融化的焊料

D、以上都是

答案：D

30、墨点打点的位置是在（）的中央。

A、PAD点

B、晶粒

C、晶圆

D、切割通道

答案:B

打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的1/41/3大小，且墨点不能覆

盖PAD点。管芯是指在集成电路中制造集成块所用的晶粒。

31、“6s”的管理方式相较于“5s”，多的一项内容是（）。

A、整理

B、整顿

C、清洁

D、安全

答案：D

5s即整理、整顿、清扫、清洁、素养。6s管理是5s的升级，6s即整理、

整顿、清扫、清洁、素养、安全（SECURITY）。

32、晶圆扎针测试在测到一定数量时，需要检查扎针情况。若发现针痕有

异常，需如何处理Oo

A、记录测试结果

B、重新设置扎针深度或扎针位置

C、继续扎针测试

D、重新输入晶圆信息

答案：B

33、装片机上料区上料时，是将()的引线框架传送到进料槽。

A、最顶层

B、最底层

C、任意位置

D、中间层

答案：B

34、切筋成型工序中，设备在完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步是

()0

A、下料

B、装料

C、人工目检

D、核对数量

答案：A

35、芯片的耐压度是指()，主要取决于绝缘间隙用绝缘材料的性能以及绝

缘结构。

A、所能承受的最大应力

B、承受电压的能力

C、所能承受的最大压强

D、所能承受的极限载荷

答案：B

耐压度是承受电压的能力，主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝

缘结构。

36、晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是()。

A、真空入库

B、扎针测试

C、打点

D、外观检查

答案：D

导片f上片一加温、孔针调试一扎针测试f打点f烘烤f外检f真空入库

37、反应离子刻蚀的过程简单来说是（）o

A、电离一解吸、排放一轰击一扩散、反应

B、轰击电离一扩散、反应--解吸、排放

C、电离一扩散、反应一轰击一解吸、排放

D、电离一轰击一扩散、反应一解吸、排放

答案：D

反应离子刻蚀时，气体分子在反应室内电离出离子、电子和游离活性基

（电离），电粒子受电场加速，以较大能量垂直地射到硅片表面，进行物埋养

击，破坏原子键以增强化学反应和各向异性（轰击），同时活性基扩散并吸附

到硅片表面，与其薄膜发生反应，进行化学刻蚀（扩散、反应），反应生成气

体离开硅片表面，通过真空泵排出（解吸、排放）。

38、8英寸的晶圆直径大小为：（）。

A、125mm

B>150mm

C>200mm

D、300mm

答案：C

5英寸:125mm,6英寸:150mm,8英寸:200mm,12英寸:300mm0

39、以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操

作是（）。

A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上

B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降

C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭

D、合上承重台上的盖子

答案：A

以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，

将花篮固定在承重台上。

40、晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是（）。

A、外观检查

B、扎针调试

C、烘烤

D、扎针测试

答案：C

41、以下属于导片步骤的是（）。

A、从氮气柜中取出花篮

B、核对晶圆数量

C、核对晶圆批号

D、核对晶圆片号

E、将花篮放入氮气柜中

答案：ABCD

导片步骤是：从氮气柜中取出装有晶圆的花篮和对应的晶圆测试随件单一

核对晶圆数量f核对印章批号f核时片号，根据晶圆片号将晶圆放在相应的花

篮编号中。导片完成后进行上片，不需要再放入氮气相•中。

42、表征光刻胶的性能指标包括（）o

A、灵敏度

B、分辨率

C、黏附性

D、留膜率

答案：ABCD

表征光刻胶性能指标包括灵敏度、分辨率、黏附性、抗蚀性、留膜率等。

43、编带外观检查前需要准备的工具是（）o

A、保护带

B>放大镜

C、防静电铝箔袋

D、纸胶带

答案:ABD

44、将料盘装入防静电铝箔袋时，还需要装（）。

A、干燥剂

B、湿度卡

C、海绵

D、标签

答案：AB

将干燥剂和湿度卡固定在包装完毕的料盘中央后放入不透明的防静电铝箔

袋中。

45、LK32Tl02单片机有不同引脚数量的封装形式包括（）.

A、LQFP-64（64引脚薄型方型扁平式封装）

B、TSS0P-30（30引脚薄型小外形封装）

C>LQFP-48（48引脚薄型方型扁平式封装）

D、LQFP-72（72引脚薄型方型扁平式封装）

答案：ABC

46、AlliumDesigner的PCB编辑器是一个规则驱动环境,Altium

Designer都会监测每个动作如(),并检查设计是否仍然完全符合设计规则。

A、添加元件

B、放置导线

C、移动元件

D、自动布线

答案：BCD

47、电子产品组装_L作是由多种基本技术构成的，如()。

A、线材加工处理技术

B、焊接技术

C、质量检验技术

D、调试技术

答案:ABC

48、在整个烘烤环节会用到的工具有：()。

A、高温实心花篮

B、高温铜质花篮

C、常温花篮

D、晶圆框架盒

答案：ABC

在烘烤时会用到高温花篮和常温花篮，高温花篮分为高温铜质花篮和高温

实心花篮，在烘箱中使用，烘烤完后，要将晶圆从高温花篮转移到常温花篮中。

晶圆框架盒是在封装工艺晶圆贴膜环节用到的工具。

49、探针卡是晶圆测试重要的材料，对测试结果起到重要作用。当探针卡

使用次数过多会影响扎针测试结果。过多使用探针卡的表现有Oo

A、探针针尖变粗

B、探针针尖变细

C、探针针尖过短

D、探针针尖断裂

答案：ACD

50、以下属于烘烤环节的步骤的有：()u

A、用晶圆镒子从常温花篮中夹取晶圆，核对晶圆印章批号

B、根据晶圆片号和花篮刻度放到对应的高温花篮中

C、用工具将高温花篮放在高温烘箱中

D、将烘烤完的晶圆从烘箱中取出

答案：ABCD

烘烤的步骤为：将完成打点的晶圆放在预烘烤区，用晶圆镜子从常温花篮

中夹取晶圆，核对晶圆的印章批号无误后，根据晶圆片号和花篮刻度放到高温

花篮对应的沟槽中，用工具将高温花篮放在高温烘箱中，烘烤完后取出晶圆，

核对片数与随件单一致，并用晶圆镣子将晶圆从高温花篮转移到常温花篮中。

51、编带外观检查的主要内容有（）。

A、编带中有无不良品或放反芯片等不合格情况

B、编带原材料是否与卷盘不符

C、盖带是否有压定位孔或露出底边、起皱、压痕、气泡、脱胶

D、载带是否有破裂、沾污、破损

答案：ACD

52、封装工艺中，晶圆划片机显示区可以进行（）、（）等操作。

A、给其他操作人员发送消息

B、设置参数

C、切割道对位

D、操作过程中做笔记

答案：BC

53、花篮可以分为（）。

A、高温实心花篮

B、高温铜质花篮

C、高温塑料花篮

D、常温花篮

答案:ABD

花篮分为高温花篮和常温花篮，高温花篮有高温铜质花篮和高温实心花篮

两种。

54、第四道光检主要是针对哪些封装工艺环节的检查？

A、切筋成型

B、激光打标

C、芯片粘接

D、塑料封装

答案：ABD

55、下列选项中，可能会造成晶圆贴膜产生气泡的是（）o

A、静电未消除

B、贴膜盘温度未到设定值

C、晶圆和蓝膜之间存在灰尘颗粒

D、覆膜时蓝膜未拉紧

答案：BC

56、去飞边的工艺方法有()<,

A、溶剂去飞边

B、等离子体去飞边

C、介质去飞边

D、水去飞边

答案：ACD

57、相较于高温铜质花篮，高温实心花篮有()等特点。

A、质轻

B、制造成本高

C、花篮本身较重

D、制造成本低

答案：AD

58、下列情况中，需要更换点胶头的有()o

A、更换银浆类型

B、点胶头损坏

C、点胶头工作超过2小时

D、点胶头堵塞

答案：ABD

59、IC制造中用的光刻胶一般山()组成。

A、感光剂

B、增感剂

C、溶剂

D、去离子水

答案：ABC

60、转塔式分选机有2个()和()。

A、测试位

B、光检位

C、旋转纠姿位

D、上料位

答案：BC

转塔式分选机进行测试时，需要经过测前光检和测后光检，测前光检和测

后光检都会检测芯片的方向，对芯片方向错误的芯片会在下一个旋转纠姿位中

进行纠正。

61、元器件在印刷板上的分布应尽量均匀，疏密一致，排列整齐美观。不

允许斜排、立体交叉和重叠排列。

A、正确

B、错误

答案：A

62、使用并行测试的重力式分选设备进行芯片测试时，只能选择2sites进

行测试。

A、正确

B、错误

答案：B

63、DIP封装和SOP封装的芯片分选结束后，塞上蓝色塞钉即可。

A、正确

B、错误

答案:B

DIP封装的芯片无需编带，只需要塞上蓝色塞钉直接进入外观检查环节；

而SOP封装的芯片要讲行编带，为使编带上料时方便，不用塞钉，而是用的是

红色气泡薄膜，把未塞塞钉的料管那端包裹住即可。

64><100>晶向的单晶硅锭有四根或八根对称的棱线。

A、正确

B、错误

答案：A

〈100〉晶向的单晶硅锭有四根或八根对称的棱线。

65、金线采用的是98%的高纯度金。

A、正确

B、错误

答案：B

金线采用的是99.99%的高纯度金。

66、晶圆和晶圆盒之间可以直接接触。

A、正确

B、错误

答案：B

晶圆和晶圆盒之间需放一层海绵，防止两者直接接触。

67、在进行芯片外观检查前需要佩戴防静电护腕，因为芯片是比较敏感的

电路，很容易受到静电的干扰，甚至会被静电击穿而损坏，防静电护腕可以泄

放人体内产生的静电，有效地保护芯片。（）

A、正确

B、错误

答案：A

68、在“管理技术库”时话框中，单击Attach按钮，表明将设计库与技术

库相关联。

A、正确

B、错误

答案：A

69、CMOS集成电路制作_L艺中，P阱是用于制作PMOS管的。

A、正确

B、错误

答案：B

70、作为与加工线之间的接口文件，制版文件主要内容