GB/T 4023.4-2026半导体分立器件第4部分：微波二极管和晶体管

ICS31080103108030

;

CCSL.45...

中华人民共和国国家标准

GB/T40234—2026

.

代替GB/T20516—2006

半导体分立器件

第4部分微波二极管和晶体管

:

Discretesemiconductordevices—Part4Microwavediodesandtransistors

:

IEC60747-42017Semiconductordevices—Discretedevices—

(:,

Part4MicrowavediodesandtransistorsMOD

:,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T40234—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅶ

引言

…………………………Ⅸ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

微波二极管

3.1…………………………1

晶体管

3.2………………6

变容二极管

4………………10

概述

4.1…………………10

基本额定值和特性

4.2…………………10

额定值

4.2.1…………………………10

特性

4.2.2……………11

测试方法

4.3……………12

总电容C

4.3.1t………………………12

反向电流I

4.3.2R……………………14

反向击穿电压V

4.3.3BR……………14

正向微分电阻r

4.3.4F………………15

稳态热阻R

4.3.5th…………………16

串联电感L

4.3.6s…………………18

品质因素Q

4.3.7……………………19

串联电阻R

4.3.8s…………………21

截止频率f

4.3.9c…………………21

阶跃二极管

5………………21

概述

5.1…………………21

基本额定值和特性

5.2…………………22

额定值

5.2.1…………………………22

特性

5.2.2……………22

测试方法

5.3……………23

分布电容C结电容C和总电容C

5.3.1P、jt………23

反向电流I

5.3.2R……………………23

反向击穿电压V

5.3.3BR……………23

正向电压V

5.3.4F…………………23

正向微分电阻r

5.3.5F………………25

Ⅰ

GB/T40234—2026

.

稳态热阻R

5.3.6th…………………25

串联电感L

5.3.7s…………………25

串联电阻R

5.3.8s…………………25

少数载流子寿命τ

5.3.9……………25

阶跃时间t

5.3.10st…………………27

混频二极管

6………………28

概述

6.1…………………28

基本额定值和特性

6.2…………………29

额定值

6.2.1…………………………29

特性

6.2.2……………29

测试方法

6.3……………30

分布电容C结电容C和总电容C

6.3.1P、jt………30

反向电流I

6.3.2R……………………30

反向击穿电压V

6.3.3BR……………30

正向电压V

6.3.4F…………………30

正向微分电阻r

6.3.5F………………30

动态电阻R

6.3.6D…………………30

串联电感L

6.3.7s…………………30

串联电阻R混频二极管

6.3.8s()……………………30

噪声系数NF

6.3.9…………………31

中频阻抗Z

6.3.10if…………………31

电压驻波比VSWR

6.3.11…………33

变频损耗L

6.3.12c…………………35

输出噪声比N

6.3.13r………………37

可承受最大功率P

6.3.14m…………39

检波二极管

7………………40

概述

7.1…………………40

基本额定值和特性

7.2…………………40

额定值

7.2.1…………………………40

特性

7.2.2……………41

测试方法

7.3……………41

分布电容C结电容C和总电容C

7.3.1P、jt………41

反向电流I

7.3.2R……………………41

反向击穿电压V

7.3.3BR……………42

正向电压V

7.3.4F…………………42

正向微分电阻r

7.3.5F………………42

动态电阻R

7.3.6D…………………42

Ⅱ

GB/T40234—2026

.

串联电阻R

7.3.7s…………………42

视频电阻R

7.3.8v…………………42

电压灵敏度S

7.3.9v…………………43

电流灵敏度S

7.3.10i………………44

正切灵敏度T

7.3.11SS………………45

可承受最大功率P

7.3.12m…………46

体效应二极管

8……………46

概述

8.1…………………46

基本额定值和特性

8.2…………………46

额定值

8.2.1…………………………46

特性

8.2.2……………47

测试方法

8.3……………47

低场电阻R

8.3.10…………………47

阈值电流I阈值电压V

8.3.2th、th…………………48

脉冲击穿电压V

8.3.3BR……………49

热阻R体效应二极管

8.3.4th()……………………50

微波输出功率P频率f效率η

8.3.5o、、…………51

二极管

9PIN………………53

概述

9.1…………………53

基本额定值和特性

9.2…………………53

额定值

9.2.1…………………………53

特性

9.2.2……………53

测试方法

9.3……………54

分布电容C结电容C和总电容C

9.3.1P、jt………54

反向电流I

9.3.2R……………………54

反向击穿电压V

9.3.3BR……………54

正向电压V

9.3.4F…………………54

正向微分电阻r

9.3.5F………………54

稳态热阻R

9.3.6th…………………54

瞬态热阻Z

9.3.7th…………………54

串联电阻R

9.3.8s…………………56

少数载流子寿命τ

9.3.9……………56

有效少数载流子寿命

9.3.10………………………56

反向恢复时间t

9.3.11rr……………58

噪声二极管

10……………59

概述

10.1………………59

基本额定值和特性

10.2………………59

Ⅲ

GB/T40234—2026

.

额定值

10.2.1………………………59

特性

10.2.2…………………………60

测试方法

10.3…………………………60

分布电容C结电容C和总电容C

10.3.1P、jt………60

反向电流I

10.3.2R…………………61

反向击穿电压V

10.3.3BR……………61

正向电压V

10.3.4F…………………61

正向微分电阻r

10.3.5F……………61

反向微分电阻r

10.3.6R……………61

超噪比ENR

10.3.7…………………61

双极型晶体管

11…………………………62

概述

11.1………………62

基本额定值和特性

11.2………………62

概述

11.2.1…………………………62

限值绝对最大额定值体系

11.2.2()………………63

测试方法

11.3…………………………64

概述

11.3.1…………………………64

直流特性

11.3.2……………………66

射频特性

11.3.3……………………66

验证方法

11.4…………………………77

负载失配容限ψ

11.4.1(L)…………77

源失配容限ψ

11.4.2(S)……………80

负载失配不损坏ψ

11.4.3(R)………………………82

场效应晶体管

12………………………83

概述

12.1………………83

基本额定值和特性

12.2………………83

概述

12.2.1…………………………83

限值绝对最大额定值体系

12.2.2()………………84

测试方法

12.3…………………………85

概述

12.3.1…………………………85

直流特性

12.3.2……………………86

射频特性

12.3.3……………………92

验证方法

12.4…………………………101

负载失配容限ψ

12.4.1(L)…………101

源失配容限ψ

12.4.2(S)……………101

负载失配不损坏ψ

12.4.3(R)………………………101

评价和可靠性特殊要求

13———…………101

Ⅳ

GB/T40234—2026

.

电试验条件

13.1………………………101

接收试验的失效判据和判定失效的特性

13.2………101

可靠性试验的失效判据和判定失效的特性

13.3……………………101

试验出现差错时的程序

13.4…………101

附录资料性结构编号对照一览表

A()………………106

附录资料性技术差异及其原因

B()…………………109

Ⅴ

GB/T40234—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T40234。GB/T4023:

半导体分立器件第部分分规范

———1:(GB/T4023.1—2026);

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

———2:(GB/T4023—2015);

半导体分立器件第部分信号开关和调整二极管

———3:、(GB/T4023.3—2026);

半导体分立器件第部分微波二极管和晶体管

———4:(GB/T4023.4—2026)。

本文件代替半导体器件分立器件第部分微波器件与

GB/T20516—2006《4:》,GB/T20516—

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

2006,,:

增加了微波二极管的术语和定义见删除了温度和其他定义见年版第篇

a)(3.1);“”“”(2006Ⅶ

和等术语和定义增加了栅漏击穿电压见输出功率见

2.2.12.2.5);“-”(3.2.3.3)、“”(3.2.1.1、

功率增益噪声系数见源反射因子见频率

3.2.1.2)、“”(3.2.1.3)、“”(3.2.1.5)、“”(3.2.1.8)、“”

见增益见漏极效率见

(3.2.1.10、3.2.1.11、3.2.1.12)、“”(3.2.1.13、3.2.3.5、3.2.3.6)、“”(3.2.3.8)、

截距点功率见交调失真见失配见

“”(3.2.1.14、3.2.1.15)、“”(3.2.1.16)、“”(3.2.1.17、3.2.1.18、

等术语和定义

3.2.1.19);

更改了变容二极管用途见年版第篇第节删除了最大平均正向电流最大

b)(4.1,2006Ⅱ11),“”“

峰值正向电流耗散功率等额定值见年版第篇第节删除了开关时间存

”“”(2006Ⅱ13.2),“”“

储电荷或少数载流子寿命渡越时间等电特性见年版第篇第节删除了正向

”“”(2006Ⅱ13.3),

电压瞬态热阻抗测试方法删除了变容二极管的例子阻抗转换法和等品质因数圆法

、,“”“”“”

见年版第篇第节和增加了反向击穿电压正向微分电阻和截止频

(2006Ⅱ14.24.8~4.11);、

率等参数及测试方法见和增加了电容测试仪法测总电容见和

(4.3.3、4.3.44.3.9);(4.3.1.3)

测试仪法测串联电感见

LCR(4.3.6.2);

增加了电容反向电流等参数及测试方法见删除了阶跃二极管反向恢复时

c)、(5.3.1~5.3.8);“

间的测试方法见年版第篇第节

”(2006Ⅱ24.2);

增加了混频二极管低频参数测试方法和矢量网络分析仪法测电压驻波比电压驻波比测试方

d),

法中增加失网分析仪法见删除了整流电流的测试方法见年版第篇第节

(6.3),“”(2006Ⅲ14.3);

增加了检波二极管内容见第章

e)(7);

增加了体效应二极管阈值电流热阻及微波输出功率频率效率的测试方法见

f)“”“”“、、”(8.3.2、

8.3.4、8.3.5);

增加了二极管内容见第章

g)PIN(9);

增加了噪声二极管内容见第章

h)(10);

删除了雪崩二极管内容见年版第篇

i)(2006Ⅳ);

增加了双极型晶体管内容见第章

j)(11);

增加了场效应晶体管漏源短路时的栅极电流见栅漏击穿电压见

k)“-”(12.3.2.2)、“-”(12.3.2.5)、

漏极效率见参数见特征频率见电流传输比为

“”(12.3.3.5)、“S”(12.3.3.8)、“”(12.3.3.10)、“1

的频率见增益见交调失真见截距点

”(12.3.3.11)、“”(12.3.3.13、12.3.3.14)、“”(12.3.3.15)、“

输入功率见的测试方法增加了沟道至管壳的热阻测试方法中方法红外热

”(12.3.3.16);“”2

像仪法见增加了场效应晶体管的验证方法见

(12.3.2.6.3);(12.4)。

Ⅶ

GB/T40234—2026

.

本文件修改采用半导体器件分立器件第部分微波二极管和晶体管

IEC60747-4:2017《4:》。

本文件与相比在结构上有较多调整两个文件之间的结构编号变化对照一览

IEC60747-4:2017,。

表见附录

A。

本文件与相比存在较多技术差异在所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂直

IEC60747-4:2017,

单线进行了标示这些技术差异及其原因一览表见附录

(|)。B。

本文件做了下列编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体分立器件第部分微波二极管和晶体管

———,《4:》;

增加了附录资料性结构编号对照一览表

———A()“”;

增加了附录资料性技术差异及原因

———B()“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所中国电子技术标准化研究院中国电子

:、、

科技集团公司第十三研究所

。

本文件主要起草人李虹熊威杨尔刚施尚陈九果汤寅韩东景少红王霄张秋

:、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———2006GB/T20516—2006;

本次为第一次修订调整为的第部分

———