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第五讲IC工艺流程复习：工艺流程图晶片准备平面工艺封装测试硅片的类型标志P(100)P(111)N(111)N(100)微电子制造工艺的主要内容衬底制备—单晶生长；晶片的切、磨、抛；薄膜技术—氧化、外延、蒸发；掺杂技术—扩散、离子注入；图形加工—制版、光刻（曝光、腐蚀）热处理——退火、烧结、去除光刻胶简单NMOS和CMOS器件平面工艺SimpleNMOSTechnologyNchannel4-mask1metallayer单晶硅掩膜版大家有疑问的，可以询问和交流可以互相讨论下，但要小声点Note!0.55:0.45noteselfalignment?SimpleCMOSTechnology4-Metal12-Polysilicon3-Diffusions1-Tub(N-well)CMOSInvertercutlineN-wellMaskActiveMaskPolyMaskN+SelectMaskP+SelectMaskContactMaskMetalMaskOtherCutawayViewsSiO2剖面图

ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CMOS集成电路的一部分

标准埋层双极集成电路工艺制造的集成电路的一部分

外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺总结一下：现代工艺概要双阱工艺氮化物隔离槽技术STI（shallowtrenchisolation）USG：外层二氧化硅，防止吸潮，抗氧化氧化物平坦化槽刻蚀氧化物填充SOI工艺埋层SiO

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