科技行业化圆为方-CoPoS突破先进封装横向发展极限

正文目录TOC\o"1-2"\h\z\uCoPoS：先进封装新产业趋势 3突破尺寸极限，CoPoS将成为继CoWoS后的下一代先进封装 3产业链相关公司 6TGV以及RDL是CoPoS工艺核心环节，拉动相关设备需求 8关注TGV与RDL工艺相关设备商发展机遇 8产业链相关公司 风险提示 14CoPoS：先进封装新产业趋势突破尺寸极限，CoPoS将成为继CoWoS后的下一代先进封装CoPoSCoWoS2028CoPoS相较CoWoS主要区别即在于中介层，CoWoSLSI局部硅+RDL有机中介层，并TSV通孔实现互联，CoPoSTGV通孔实现互联，而中介层外的μBumpIC载板无变化，通过中介层材料的替换来延展中CoWoS9.5x14xreticlesize之后，CoWoS的性能提升空间进一步拓宽，CoPoS替代的必要性或将推迟，266CoPoS2028年之后。图表1：CoPoS替代CoWoS为长期趋势Manz亚智科技图表2：台积电CoPoS或将在28年量产TrendforceCoPoS系数与硅匹配且可灵活调整；4）TGV通孔密度更高，互联性能空间更大。玻璃中介层/载板一大优logicdieHBMdie频信号传输过程中的信号损耗更低，能有效确保高性能计算中的数据传输完整性，性能表TGV深宽比可做到:TV的TGV通孔密度也将更高，CTE3ppm/CTE2.6ppm/℃，两种材料基本CTE系数，从而减弱受热翘曲问题。图表3：玻璃材料做中介层/载板的核心优势在于更大尺寸、低信号损耗以及CTE匹配较好Intel官网，Yole，TSMC官网CoPoSTGV密度带来的性能优势与低信ICFOPLPCPO上具备落地空CoWoS术上限，而玻璃作为中介层采用不受圆形晶圆和光罩尺寸的束缚，若后续中介层堆叠芯片CoPoSCPO处理高频信号，对信号完整性以及误FOPLPCPO封装的应用场景。CPOCPO技术所解决的即为高频信号下的信号完整性与损耗率的问题，同时实现更高的带宽、更低的延迟和更高的能源效率，而玻璃基板电气性能优异，TGV通孔的信号损耗较低，同时玻璃在从可见光到红外的宽光谱范围内具有高透射（传输损耗可低至5-1d/cmCPO领域同样为玻璃基板的潜在应用场景。图表4：玻璃基板在CPO上同样具有应用空间BruceC.Chou(GeorgiaInstituteofTechnology),《Modeling,Design,andFabricationofUltra-highBandwidth3DGlassPhotonics(3DGP)inGlassInterposers》(2013),但也存在均匀性与受热翘曲等技术性问题以及配套设备替换的经济性问题，玻璃基率先大FOPLP面板上不能再用传统的旋转涂覆方式，材料特性也要调整，面板中心与边缘膜厚差可达数系数调整至与硅材料一致，但面积扩大后温度循环带来的热应力分布更复杂，微小应力不均都会被放大，导致翘曲问题，同时玻璃脆性高，易产生微裂纹，引发电气失效。基于目FOPLP2026EMIB800μm的玻璃基板以及2EMIBbridge。图表5：FOPLP预计将率先落地，多家OSAT厂已具备量产能力Yole图表6：Intel在26年初已推出玻璃载板封装产品Intel官网产业链相关公司（0TTICoWoS2.5DHPC高性能芯片CoWoSAI算力芯片领域的代表性CoWoS9.5xreticlesize的封装202614xreticlesize，同时推出下一代CoPoS封装，目前仍处于研发与试验线状态，Trendforce2028CoPoS技术具备行业指引意义，产业链相关公司有望受益龙头引领的新产业趋势。沃格光电（3H：成立于9年，是中国领先的GP玻璃电路板及相关电子器件研发制造企业。公司主营业务涵盖三大板块：传统显示面板玻璃精加工及显示器件、以Mini/MicroLED新型显示业务，以及以全资子公司湖北通格5G/6G/CPOTGV105年公司整体因战略性投入及资产减值影响继续亏损，但传统玻璃精加工业务营收4亿元（同比增长%，光电显示器件业务营收亿元（同比增长%；通格微4年营收3万元，5年一季度营收8万元，预计随量产推进将实现增长。（7H国内少数具备基板面板司主营业务为液晶显示用基板玻璃和显示面板的研发、生产与销售，其基板玻璃产品覆盖G5、G6、G7.5G8.5+等多世代规格，主要供应给知名面板厂商。在玻璃基板领域，公G8.5+2025年其基10.99%。2025亿元，同比微降%74.8%，TV面板价格下行、管理费用大增及转让子公司股权等因素影响。美迪凯（9H：成立于0年，是一家专注于光学光电子、半导体光学及封装测试的高新技术企业。公司主营业务包括半导体声光学、半导体封测、精密光学零部件、半导体微纳电路及玻璃晶圆精密加工服务等。其与玻璃基板直接相关的业务是“玻璃晶圆精密加工服务”，该业务采用晶圆级工艺对玻璃基板进行超精密加工，使其具备低厚度偏差和超洁净表面，用于半导体芯片制造中的临时键合承载基板与先进封装玻璃基板。公司已与全AR/MR用玻璃晶圆产品。20256.6436.72%亿元。（8H成立于9制造和销售的高新技术企业。公司主营业务分为光学玻璃和特种功能玻璃两大类，后者包括纳米微晶玻璃、防辐射玻璃及玻璃载板/玻璃基板等产品，应用于半导体、电子通讯等领TGV名半导体厂商送样；同时，其玻璃载板产品已通过下游客户加工并获得多家半导体厂商验1.26520251600万元。2025年公司实现营5.522958.4857.89%，34.68%以及股权激励费用增加所致。（3H成立于5（包括、AMOLED等（GoldBumping）供晶圆测试（C、玻璃覆晶封装（OG）和薄膜覆晶封装（OF）等综合服务。在玻璃COGTGV领域。202517.83亿元，18.79%1.553.15%颀中科技（2H：合肥主体成立于8年，其核心子公司苏州颀中在4年成立，是国内最早实现显示驱动芯片全制程封测能力的企业之一。公司主营业务为集成电路高端先进封装测试，为显示驱动芯片、电源管理芯片、射频前端芯片等提供凸块加工、晶圆测试、封装测试等一站式服务。在玻璃基板方面，其显示驱动芯片封测业务同样涵盖玻璃覆晶封装（COG）2025年通过战略投资浙江禾芯集成电路有限公司，涉足玻璃通孔（TGV）AI局。TGV以及RDL是CoPoS工艺核心环节，拉动相关设备需求关注TGV与RDL工艺相关设备商发展机遇CoPoSCoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术的"面板化"延伸演进。其核心架构包含三个主要层级：顶层的计算芯片/加速器/HBM或其他堆叠内存、底层的面板中介层/RDL（有机或玻璃核心。从工艺流程角度看，CoPoS主要Chip-firstChip-lastCoWoSRDL（TGV工艺）这一关键环节。图表7：玻璃载板封装工艺流程钛昇科技官网基板预处理工艺CoPoS100-700微米范围内，具体选择取决于应用场景对机械强度和互连密度的要求。预处理主要包括清洗、干燥和表面处理三个步骤。玻璃面板需经精密清洗流程，去除表面TGV成后，采用氮气吹干或高温烘烤等方式使玻璃基板表面干燥，避免水分影响后续加工。表面处理工艺则包括光刻和刻蚀两个关键步骤。在玻璃基板表面涂覆光刻胶，通过光刻设备将设计好的通孔图案曝光在光刻胶上，随后利用干法刻蚀或湿法刻蚀技术进行精确加工。核心工艺：玻璃通孔（TGV）加工工艺TGVCoPoSCoWoS的核心新增工艺，在玻璃面板上钻制微米级通孔（通孔间距典型为m0μmTGV工艺通过激光诱导、蚀刻、种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化、RDL、Bump工艺引3D业界主要采用超短脉冲激光。对于先进封装领域的各种应用，每片晶圆上通常需要应用数TGV通孔并对其进行金属化以获得所需要的导电性。图表8：CoPoS供应中TGV工艺是核心环节Intel官网通孔制作是TGV工艺中最具挑战性的环节之一，激光钻孔采用紫外/超快激光利用皮秒（10⁻¹²s）或飞秒（10⁻¹⁵s）jingzhun准烧蚀，形成微孔（5-5015:1这一步骤的技术难点在于控制激光能量，避免玻璃破裂：激光脉冲能量决定了单次去除的材料量，需要根据玻璃类型和厚度进行精/烧蚀形成通孔。超短脉冲的优势在于热影响区极小（μm，可避免玻璃微裂纹的产生。国际供应商以oht和IGhotonics为主，提供高功率超快激光器及配套加工系统；国内大族激光（7、英诺激光、德龙激光TGV专用激光设备。TGVPVD50-200纳米厚的金属层。钛（Ti）和铬（Cr）是最常用的种子层材料，它们与玻璃基板具有良好的化学亲和力，能提供优异的附着力和阻挡性能。导电材料填充主要采用电镀铜工艺，这是目前最成熟且成本效益最高的解决方案。与传统晶圆级垂直浸泡式电镀不同，面板级电镀采用水平传输方式——大面积方形面板水平放置于电镀槽中，通过底部喷流系统使电镀液均匀接触面板表面和通孔内壁，实现PVD设备已覆盖全系列靶材，在先进封装领域已批量供货。CMP用于去除表面多余的铜层并实现全局平坦化，其关键在于研磨液配方和工艺参数与玻璃基板特性的匹配。退火处理则用于消除电镀过程中的内应力并改善铜的晶粒结构。图表9：玻璃基板TGV打孔工艺流程晶圆准备，玻璃晶圆预处理（需进行清洗、抛光、干燥等预处理）（LIA）、喷砂法、等离子刻蚀、湿法刻蚀、清洗、检测等）

PVD镀膜及光刻（PVD沉积、光刻、CMP等）RDL重布线（曝光、清洗、电镀RDL等）(C)双面电镀—铜沉积（电镀RDL、清洗等）

国产工艺设备供应商：清洗：盛美上海、至纯科技、芯源微激光：帝尔激光、大族激光、联赢激光、英诺激光刻蚀：北方华创、屹唐半导体、中微公司抛光：华海清科电镀：盛美上海、北方华创退火：盛美上海、北方华创、屹唐半导体涂胶显影：芯源微去胶：北方华创、屹唐半导体

去胶及Gu/Ti刻蚀（去胶、刻蚀、清洗等）(d)退火及CMP去除表面铜层（退火、CMP、清洗等） (h）形成钝化层（薄膜沉积、清洗等）Manz官网核心工艺：重布线层（RDL）工艺RDLCoPoS制作是一个多次重复的光刻刻蚀电镀→CMP"RDL需经历完整循环。作为芯片与基板之间的关键互连I/ORFIC、AI、5G、HPC技术可将封装制程从传统PCB2.5D3D高阶封装架构。RDL先利用PSPI光刻工艺，在晶圆上精确地制作出第一层钝化层（PI-1）的图案再进行钛（RDL的导电UBMRDLUBMTi/Cu种子层随后电镀形成低阻抗布线。图表10：RDL重排线工艺Manz官网芯片键合与封装工艺芯片贴装是将逻辑芯片、HBMRDL层上的关键步骤，塑封、翘曲控制和焊球形成等步骤。底部填充使用底部填充材料（环氧材料）填充芯片与PCB固化温度低于（M封装与测试工艺AOI自动光学检测、X射线检测、电性能测试等。AOIIC载板线路层进行非接触式缺陷检测，自动识别表面缺陷（桥接、偏移、缺失等KLAOntoInnovation为主；国内中科飞测、精测电子有相关布局。图表11：玻璃基板产业链主要参与者（不完全统计）各公司官网产业链相关公司帝尔激光（300776CH：成立于208年，是全球光伏激光设备龙头，近年来积极向半导体G（玻璃通孔TGVTGV202520.33（长.9，归母净利519亿元（同比下降.5，其中半导体先进封装和下一代显示激35.40大族激光（8H：成立于6年，是国内激光加工设备平台型龙头，业务覆盖消费电子、PCB、半导体、新能源等领域。在先进封装领域，公司可提供半导体封装环节的精密激光切割、激光焊接及激光打标设备，服务于先进封装的辅助加工环节。此外，公司2025187.59亿元（同比增长.0%，归母净利0亿元（同比下降%，其中B智能制造装备营收亿元（同比增长%联赢激光（8H：成立于5年，是国内精密激光焊接设备领先企业，主营产品涵盖激光器、焊接设备及自动化产线，可提供适用于先进封装中精密互连的激光焊接解决方案。公司研发方向已覆盖晶圆划线、激光晶圆改质切割、激光减薄、激光退火工艺等半202532.61（同比增长%，归母净利7亿元（同比增长%，其中激光焊接自动化成套设备、激光器及激光焊接机收入分别为4亿元（同比下降%、0亿元（同比增长.6%英诺激光（1H：成立于1年，是国内领先的固体激光器及激光解决方案供应商，专注于紫外及超快激光技术。在先进封装领域，钻孔应用是公司的业务方向之一，公ABFIC载板加工的超快激光钻孔设5年公司实现营收3（同比增长.9%归母净利7万元（同比增长%，其中激光器、激光模组营收分别为9亿元（同比下降%、2亿元（同比增长%华海清科（0H：成立于3年，是国内M（化学机械抛光）设备绝对龙头，128CMPCoWoS及CMPTSVrevealing、RDLCu-CMP等关键工艺，是国内先进封装平坦化环节的核心设备供应商，持续导入国内头部先进封装客户。202546.48亿元（36.46%）10.84亿元（同比增长%，其中半导体装备营收4亿元（同比增长%（7H成立于2（rk务包括目前道涂胶显影设备、前道清洗设备、后道先进封装设备、化合物等小尺寸设备四大板块。在后道先进封装领域，公司后道涂胶显影设备可应用于先进封装技术BGA、Flip-ChipWLCSP、CSP、2.5D、3DPR、PI涂敷及多种显影工艺；单片湿法设备可广泛应用于来料清洗、TSV深孔清洗、Flux清洗等清洗、去胶lift-off剥离工艺及多种介质层湿法刻蚀工艺。公司后道先进封装设备已连续多年作为主流机型批量应用于国内各主流先进封装厂，并持续获得客户重复性订单。目前，公司正积2.5D/3D先进封装相关产品的国产化替代，已成功推出包括临时键合、解键合、Frame清洗等在内的多款新品，2025Frame清洗设备，也已成功通过客户验证，进入逐步放量阶段。202519.487170.50万元，64.64%。MT（2K：成立于5年，是全球半导体封装与T设备绝对龙头，根据2018NFLAINUCLEUSFIREBIRDNUCLEUS系列兼容晶圆级与面板级工艺，模块化设计为高密度系统集成提供可靠量产基础；FIREBIRD2.5D/3DHBM高密度互联场景，通过精准压力/温度/Z轴控制与独家惰性气体键合环境，解决极细间距、大翘曲产品量产痛点AI