中国地质大学（北京）《半导体器件物理》2025-2026学年第一学期期末试卷(B卷)

站名：站名：年级专业：姓名：学号：凡年级专业、姓名、学号错写、漏写或字迹不清者，成绩按零分记。…………密………………封………………线…………第1页，共1页中国地质大学（北京）《半导体器件物理》2025-2026学年第一学期期末试卷(B卷)注意事项:1.请考生在下列横线上填写姓名、学号和年级专业。2.请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。4.考试时间120分钟专业学号姓名题号一二三四五六七八总分统分人复查人得分得分评分人一、单项选择题（每题1分，共20分）1.下列关于PN结正向偏置时，电流增加的主要原因，正确的是（）。A.电子和空穴在PN结附近复合B.外加电压使得电子和空穴更容易越过势垒C.外加电压使得电子和空穴在PN结附近积累D.外加电压使得电子和空穴在PN结附近分离2.在半导体中，掺杂剂的作用是（）。A.增加载流子浓度B.减少载流子浓度C.增加载流子迁移率D.减少载流子迁移率3.下列关于半导体二极管，描述错误的是（）。A.正向偏置时，二极管导通B.反向偏置时，二极管截止C.正向偏置时，二极管电流较大D.反向偏置时，二极管电流较大4.下列关于晶体管，描述错误的是（）。A.晶体管具有放大作用B.晶体管具有开关作用C.晶体管具有稳压作用D.晶体管具有整流作用5.下列关于MOS场效应晶体管，描述错误的是（）。A.MOSFET具有高输入阻抗B.MOSFET具有低输出阻抗C.MOSFET具有高开关速度D.MOSFET具有低功耗6.下列关于二极管伏安特性，描述错误的是（）。A.正向偏置时，二极管导通B.反向偏置时，二极管截止C.正向偏置时，二极管电流较大D.反向偏置时，二极管电流较大7.下列关于晶体管放大电路，描述错误的是（）。A.共射极放大电路具有电压放大作用B.共集电极放大电路具有电流放大作用C.共基极放大电路具有电流放大作用D.共射极放大电路具有电流放大作用8.下列关于MOS场效应晶体管放大电路，描述错误的是（）。A.MOSFET放大电路具有电压放大作用B.MOSFET放大电路具有电流放大作用C.MOSFET放大电路具有低功耗D.MOSFET放大电路具有高开关速度9.下列关于二极管整流电路，描述错误的是（）。A.单相半波整流电路输出电压较低B.单相全波整流电路输出电压较高C.单相桥式整流电路输出电压较高D.单相桥式整流电路输出电压较低10.下列关于晶体管开关电路，描述错误的是（）。A.晶体管开关电路具有开关作用B.晶体管开关电路具有放大作用C.晶体管开关电路具有稳压作用D.晶体管开关电路具有整流作用11.下列关于MOS场效应晶体管开关电路，描述错误的是（）。A.MOSFET开关电路具有开关作用B.MOSFET开关电路具有放大作用C.MOSFET开关电路具有低功耗D.MOSFET开关电路具有高开关速度12.下列关于二极管稳压电路，描述错误的是（）。A.二极管稳压电路具有稳压作用B.二极管稳压电路具有滤波作用C.二极管稳压电路具有整流作用D.二极管稳压电路具有放大作用13.下列关于晶体管稳压电路，描述错误的是（）。A.晶体管稳压电路具有稳压作用B.晶体管稳压电路具有滤波作用C.晶体管稳压电路具有整流作用D.晶体管稳压电路具有放大作用14.下列关于MOS场效应晶体管稳压电路，描述错误的是（）。A.MOSFET稳压电路具有稳压作用B.MOSFET稳压电路具有滤波作用C.MOSFET稳压电路具有整流作用D.MOSFET稳压电路具有放大作用15.下列关于二极管滤波电路，描述错误的是（）。A.二极管滤波电路具有滤波作用B.二极管滤波电路具有稳压作用C.二极管滤波电路具有整流作用D.二极管滤波电路具有放大作用16.下列关于晶体管滤波电路，描述错误的是（）。A.晶体管滤波电路具有滤波作用B.晶体管滤波电路具有稳压作用C.晶体管滤波电路具有整流作用D.晶体管滤波电路具有放大作用17.下列关于MOS场效应晶体管滤波电路，描述错误的是（）。A.MOSFET滤波电路具有滤波作用B.MOSFET滤波电路具有稳压作用C.MOSFET滤波电路具有整流作用D.MOSFET滤波电路具有放大作用18.下列关于二极管整流电路，描述错误的是（）。A.单相半波整流电路输出电压较低B.单相全波整流电路输出电压较高C.单相桥式整流电路输出电压较高D.单相桥式整流电路输出电压较低19.下列关于晶体管开关电路，描述错误的是（）。A.晶体管开关电路具有开关作用B.晶体管开关电路具有放大作用C.晶体管开关电路具有稳压作用D.晶体管开关电路具有整流作用20.下列关于MOS场效应晶体管开关电路，描述错误的是（）。A.MOSFET开关电路具有开关作用B.MOSFET开关电路具有放大作用C.MOSFET开关电路具有低功耗D.MOSFET开关电路具有高开关速度二、多项选择题（每题2分，共20分）1.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能2.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能3.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能4.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能5.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能6.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能7.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能8.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能9.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能10.下列关于半导体物理，描述正确的是（）。A.半导体材料具有导电性能B.半导体材料具有绝缘性能C.半导体材料具有半导体性能D.半导体材料具有金属性能三、判断题（每题1分，共10分）1.半导体材料具有导电性能。（）2.半导体材料具有绝缘性能。（）3.半导体材料具有半导体性能。（）4.半导体材料具有金属性能。（）5.半导体器件的导电性能可以通过掺杂来改变。（）6.半导体器件的导电性能可以通过温度来改变。（）7.半导体器件的导电性能可以通过电压来改变。（）8.半导体器件的导电性能可以通过电流来改变。（）9.半导体器件的导电性能可以通过时间来改变。（）10.半导体器件的导电性能可以通过材料来改变。（）四、名词解释（每题4分，共20分）1.半导体材料2.载流子3.PN结4.晶体管5.MOS场效应晶体管五、简答题（每题6分，共18分）1.简述半导体器件导电性能的影响因素。2.简述PN结的形成过程。3.简述晶体管的工作原理。六、案例分析题（1题，满分12分）某公司设计了一种MOS场效应