安徽财经大学《半导体器件物理》2025-2026学年第二学期期末试卷(A卷)

说明：本试卷将作为样卷直接制版胶印，请命题教师在试题之间留足答题空间。（第1页共6页）制卷人签名：制卷人签名：制卷日期：审核人签名：：审核日期：………………………………………………装……订……线…………………安徽财经大学《半导体器件物理》2025-2026学年第二学期期末试卷(A卷)适用年级专业考试方式闭卷考试时间120分钟学院专业班级学号姓名题号一二三四五六七八总分阅卷教师得分………………得分一、单项选择题（每题1分，共20分）1.下列关于PN结的形成机理，描述错误的是：A.P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子相遇，形成共价键。B.PN结的正向偏置时，PN结的势垒高度降低。C.PN结的反向偏置时，PN结的势垒高度增加。D.PN结的正向偏置时，PN结的电流主要是由扩散电流和漂移电流组成。2.在硅PN结中，下列哪一项不是影响扩散电流的因素：A.温度B.PN结的面积C.PN结的掺杂浓度D.PN结的厚度3.关于晶体管，下列说法错误的是：A.晶体管有放大作用。B.晶体管有开关作用。C.晶体管可以用来放大交流信号。D.晶体管可以用来放大直流信号。4.在晶体管放大电路中，下列哪个元件不是放大电路的负载：A.电阻B.电容C.电感D.晶体管5.关于场效应晶体管，下列说法错误的是：A.场效应晶体管是一种电压控制器件。B.场效应晶体管具有高输入阻抗。C.场效应晶体管具有低输出阻抗。D.场效应晶体管具有开关作用。二、多项选择题（每题2分，共20分）1.下列哪些是影响PN结反向饱和电流的因素：A.温度B.PN结的面积C.PN结的掺杂浓度D.PN结的厚度2.下列哪些是晶体管放大电路中的基本元件：A.晶体管B.电阻C.电容D.电感3.下列哪些是场效应晶体管的特点：A.电压控制器件B.高输入阻抗C.低输出阻抗D.开关作用4.下列哪些是半导体器件物理中的基本概念：A.半导体B.PN结C.晶体管D.场效应晶体管5.下列哪些是影响晶体管放大电路性能的因素：A.晶体管的放大倍数B.电路的负载C.电源电压D.信号频率三、判断题（每题1分，共10分）1.PN结的正向偏置时，PN结的势垒高度降低。（）2.晶体管放大电路中，放大倍数越大，电路的稳定性越好。（）3.场效应晶体管具有开关作用。（）4.半导体器件物理中的基本概念包括半导体、PN结、晶体管和场效应晶体管。（）5.晶体管放大电路中，放大倍数越小，电路的稳定性越好。（）6.PN结的反向偏置时，PN结的势垒高度增加。（）7.晶体管放大电路中，放大倍数越大，电路的失真越小。（）8.场效应晶体管具有高输入阻抗。（）9.半导体器件物理中的基本概念包括半导体、PN结、晶体管和场效应晶体管。（）10.晶体管放大电路中，放大倍数越小，电路的失真越大。（）四、名词解释（每题4分，共20分）1.PN结2.晶体管3.场效应晶体管4.扩散电流5.漂移电流五、简答题（每题6分，共18分）1.简述PN结的形成机理。2.简述晶体管放大电路的基本原理。3.简述场效应晶体管的特点。六、案例分析题（1题，满分12分）某晶体管放大电路如图所示，已知晶体管的β=100，电源电压Vcc=12V，负载电阻RL=2kΩ，输入信号