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文档简介
传感原理与应用11.2射线传感器TRANSDUCER课
程
内
容CourseContents11.1核辐射物理基础11.2核辐射传感器11.3核辐射传感器的应用课程内容CourseContents11.1核辐射物理基础11.2核辐射传感器11.3核辐射传感器的应用11.2射线传感器11.2射线传感器
一种是测量放射性物质的放射线,例如测天然放射性U(铀)、Th(钍)、K(钾)和这三个量的总量,称γ能谱仪;射线式仪器通常有两种主要形式:
另一种方式是利用放射性同位素,测量非放射性物质,根据被测物质对辐射线的吸收、反射进行检测,或者利用射线对被测物质的电离激发作用。如:测厚、探伤、X射线荧光仪测元素含量等。11.2射线传感器11.2射线传感器原理基本相同,而能量范围不同,后者传感器由射线源和探测器组成。11.2射线传感器11.2.1辐射源
射线源结构一般为丝状、圆拄状、圆片状,有点源、面源、片源。
辐射源的结构应使射线从测量方向射出,其它方向应尽量减少剂量,减少对人体的危害。X射线管激发的射线源。点源结构11.2射线传感器11.2.1辐射源同位素辐射源:辐射源的种类很多,一般选用半衰期较长的同位素,能量、强度适合的辐射源。常用同位素源见下表:11.2射线传感器11.2.2射线传感器(探测器)1)气体探测器:电离室、盖革计数管、正比计数器;2)闪烁计数器;3)半导体探测器。核辐射探测器就是接收器核辐射信号的传感器,有多类型,常用于放射性测量的有:多道谱仪11.2射线传感器闪烁计数器盖革管半导体探测器11.2射线传感器11.2.2射线传感器1)气体探测器(a.电离室)
电离室是在空气中或充有惰性气体的装置中,设置一个平行极板电容器,加几百伏高压。
高压在极板间产生电场,当粒子或射线射向两极板之间的空气(气体)时,气体分子电离,在电场作用下正离子趋向负极板,电子趋向正极板,产生电离电流。11.2射线传感器11.2.2射线传感器在外电路接一电阻R就可形成响应电压,电阻R的电压降代表辐射的强度。11.2射线传感器11.2射线传感器1)气体探测器(a.电离室)
电离室外加电压增大电流趋于饱和,一般工作在饱和区(离子能够全部达到电极上),使输出电流与外加电压无关,只正比于射线到电离室的辐射强度。11.2射线传感器1)气体探测器(a.电离室)电离室的优点是成本低寿命长;缺点是检出电流很小。α、β、γ电离室不能通用,不同粒子相同条件下效率相差很大。
电离室主要用于探测α、β射线,α粒子电离电流比β离子电离的电流大100多倍,γ粒子没有直接电离本领,效率很低。11.2射线传感器1)气体探测器(b.G-M盖格计数管)盖格-弥勒计数管简称盖格计数管,也称气体放电计数器。
一个密封玻璃管,中间阳极用钨丝材料制作,玻璃管内壁涂一层导电物质或用金属圆管作阴极,筒和丝绝缘,内部抽空充惰性气体(氖、氦)、卤族气体。11.2射线传感器1)气体探测器(b.G-M盖格计数管)
阳极与阴极间加高压。x、α、β射线入射时引起激烈的气体放大,离子沿丝传到整个计数管内,形成正离子鞘,在电场作用下正离子鞘向阴极移动形成电流;为避免到达阴极时造成连续放电现象,惰性气体灭掉放电。11.2射线传感器1)气体探测器(b.G-M盖格计数管)盖格计数管主要用于探测β粒子和γ射线,工作电压较低。由于盖格计数管放大作用,电流比电离室离子流大几千倍。特性曲线:电压U一定时,射线入射越强电流I越大,输出脉冲数N越多,a、b段称“坪曲线”;I为射线强度。11.2射线传感器G-M计数管的典型结构11.2射线传感器1)气体探测器(c.正比计数器)
正比计数器是充气型气体电离探测器,由气体作为入射射线产生电离或激发的
介质;外加一定电位的电场;(电离室)有两个电极(丝-阳极;壳-阴极)
当射线进入电离室穿过气体时与气体分子轨道上电子碰撞,使气体分子电离而形成离子对,芯线旁电场密度高电子碰撞被加速,在气体中获得足够能量使其它气体分子和
原子产生新的离子对。这一过程称为气体放大。11.2射线传感器1)气体探测器(c.正比计数器)气体分子充有气体11.2射线传感器1)气体探测器(c.正比计数器)
计数器输出脉冲大小(幅值)正比于辐射产生的电子、正离子对的数目;电子和正离子对数目,正比于气体吸收的放射线的能量。能量大——幅值高!11.2射线传感器1)气体探测器(c.正比计数器)器件工作在气体电离放电伏安特性曲线的正比区,有足够大的气体放大倍数,能量分辨率高,分辨时间短,可以进行快速计数。I:复合区II:饱和区III:正比区IV:有限正比区V:G-M工作区VI:连续放电区11.2射线传感器2)闪烁计数器闪烁体种类碘化钠晶体Nal(Tl)
闪烁计数器由闪烁体和光电倍增管组成。光电倍增管只能放大光信号不能直接放大射线信号。
闪烁体先将辐射能变为光能,光电倍增管再将光能变为电信号进行探测放大。
物质受射线作用而被激发,受激电子由激态跃迁到基态时发射出脉冲状的光,这种现象称为闪烁,而闪烁体就是一种能产生这种现象的物质。用于各种衡器11.2射线传感器2)闪烁计数器
光电倍增管是利用二次电子释放效应,高速电子撞击固体表面,发出二次电子,将光电流在光电倍增管内进行放大倍增,在阳极上形成可以测量的电流。输出电流脉冲大小与入射射线能量成正比,脉冲多少与含量成比例。
当
闪烁体受到辐射时闪烁体内的原子受激发光,光透过闪烁体射到光电倍增管的光阴极上,并激发出光电子;用于各种衡器11.2射线传感器2)闪烁计数器辐射Ut11.2射线传感器3)半导体探测器
半导体探测器是利用半导体材料制成的射线传感器;主要结构类型有:结型、面垒型、锂漂移型和高纯鍺等。图为结型半导体探测器结构,实质是一个大面积、大体积的晶体二极管(约0.01--200cm3)。在半导体材料上设置了一个阴极(高摻杂的P+层)和一个阳极(高摻杂的N+层)。11.2射线传感器(2)核衰变与核辐射
荷电粒子入射到半导体中时,会激发产生电子—空穴对,这些电子—空穴对在电场作用下形成正比于入射射线能量的电流,探测器将其转换为脉冲信号输出。11.2射线传感器3)半导体探测器
X射线、γ射线由于光电效应、康普顿效应、电子对生成等产生二次电子;高速二次电子产生更多电子
—空
穴对。
在PN结空间电荷区加足够高的偏压,因射线而电离的载流子加速,产生新的电子—空穴使载流子倍增
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