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文档简介

单晶片加工工专项考试复习题库(附答案)2.单晶片加工中，沉积工艺的目的是?3.单晶片加工中，用于去除表面氧化层的工艺是?B、扫描电子显微镜参考答案：B11.单晶片加工中，热氧化工艺的主要目的是?B、提高导电性A、显微镜参考答案：B参考答案：A16.在单晶片加工中，用于形成栅极结构的工艺是?B、选择性好26.单晶片加工中，化学机械抛光(CMP)的主要目标是?参考答案：B参考答案：AB、干法刻蚀参考答案：AB、干法刻蚀参考答案：A参考答案：BB、扫描电子显微镜参考答案：A参考答案：BB、干法刻蚀参考答案：C参考答案：D参考答案：A参考答案：DC、提高硬度D、增强反射率参考答案：B55.单晶片加工中，用于检测晶片表面电荷分布的设备是?参考答案：AA、激光测距仪B、扫描电子显微镜D、扫描电子显微镜参考答案：AB、湿法刻蚀参考答案：AC、增加机械强度B、干法刻蚀C、湿法刻蚀参考答案：AB、等离子清洗2.单晶片加工中，键合工艺的类型包括?C、促进扩散B、提高导电性C、湿法刻蚀B、砂轮粒度12.下列哪些是单晶片加工中常见的加工方式?B、碳化硅A、电阻率15.单晶片加工中，化学机械抛光(CMP)的作用是?C、提高导电性16.单晶片加工中，离子注入工艺的特点是?A、高精度B、增加机械强度D、提高热稳定性23.下列属于单晶片加工中常用的检测手段是?A、光刻机A、电性能测试B、机械强度测试A、砂轮磨损B、切割速度过快33.下列哪些是单晶片加工中常用的辅助材料?A、润滑剂B、提高硬度38.下列属于单晶片加工中常用的清洁剂是?A、表面粗糙度A、电性能测试仪45.下列属于单晶片加工中常用的抛光方法的是?B、晶格畸变B、沉积氧化物层C、沉积多晶硅层D、沉积绝缘层51.单晶片加工中，溅射工艺的特点是?D、离子束刻蚀机B、提高光敏性55.单晶片加工中，等离子体刻蚀的优点是?56.下列哪些是单晶片加工中常用的测量工具?B、电阻测试B、增加导电性C、提高耐久性参考答案：B参考答案：B参考答案：AB、错误参考答案：B15.离子注入的剂量与注入时间成正比。参考答案：A16.单晶片在高温处理过程中，无需考虑热应力的影响。参考答案：B17.氧化层厚度对单晶片的电学性能没有影响。A、正确参考答案：B参考答案：B21.单晶片加工中，氧化层的均匀性对器件性能影响不大。参考答案：B28.单晶片切割时，使用金刚石刀具可以提高切割精度。参考答案：A30.单晶片加工中，化学蚀刻主要用于去除表面杂质。32.单晶片加工中，化学机械抛光(CMP)的主要目的是平整表面。33.

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