QCT 1288-2026《汽车控制芯片技术要求及试验方法》

1汽车控制芯片通用技术要求及试验方法法IEC60749-3半导体器件机械和气候试验方法第3部分外观检查(Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part3:Exter2示例：根据电子控制单元的要求。C:过程能力指数3通过特定指令进入工作的模式。注：供电异常反应时间指，从汽车控制芯片处于供电异常(过压、欠压、掉电等且不影响上报功能的异常)至汽车控制芯片上报异常信息的时间。4表2不同位数的汽车控制芯片中央处理器运算性能要求b)按6.2.4.1.2进行试验，汽车控制芯片非易失性存储器擦写次数和数据保持时长应≥10万次≥1000次≥15年≥15年55.2.4.1定时计数性能6注：增益误差指，转换特性曲线的实际斜率与理想斜率的偏差。5.4可靠性要求表6工作环境温度等级工作环境温度范围0-40℃~150℃1-40℃~125℃2-40℃~105℃3-40℃~85℃785.4.4.1键合球剪切强度试验表7键合点剪切最小剪切力要求最小平均剪切力最小剪切力表8最小拉力要求最小拉力9表9最小剪切力要求最小剪切力5.4.7.2统计良率分析5.5.1.1辐射发射1b)按6.5.4进行试验，汽车控制芯片应用于24V系统脉冲抗扰度的功能状态等级宜满足表11汽车控制芯片脉冲抗扰度的功能状态等级(24V系统)1示例：防潜伏故障的安全机制，如上下电自检或周期性自检。—2022中表D.7和GB/T34590.11—2022中表37的要求。中表32和表33的要求。测试设备汽车控制信号模测试设备汽车控制信号模拟收发器汽车控制电源图1试验系统示意图低功耗模式性能按下列步骤测试：注：上述配置参数根据汽车控制芯片的时钟频率等特性做适配，以获得最大DMIPS值。6.2.3.1.2CoreMark测试方法d)根据式(2)计算CoreMark值：注：上述配置参数根据汽车控制芯片的时钟频率等特性做适配，以获得最优CoreMark值。图2时钟生成性能测试示意图6.2.3.3.1.1外部中断b)根据式(3)计算数据保持时长t₁:多通道支持按下列步骤测试：c)通过汽车控制芯片日志信息确认定时器正常工作的通道数。通道1通道2通道3通道1通道3e)根据式(4)计算定时范围：a=log₂n……………(4)KK注：通讯接口配置表和产品规格书由汽车控制芯片供应商提供。注：输入口通道配置信息和日志读取接口由汽车控制芯片供应商提供。6.3.2.3输出高电平测试6.3.3.1积分非线性测试6.3.3.2差分非线性测试e)根据式(6)计算Ez:f)根据式(7)计算E₆:包括谐波失真),并按照式(9)计算SINAD:f)根据式(10)计算ENOB:示例：汽车控制芯片应用于整车控制器上，测试板应包含所需的控制器外围电路，或将部分外围电路布置在辅助母板上，母板和测试板之间通过线缆或连接器连接，连接所产生的电磁兼容影响应被考虑。运行实际车载工况的软件，将主频配置在实际工作的300MHz或以最大时钟速度工作，并将实际使用的输入输出引脚做相应配置，使汽车控制芯片工作在其典型的工作状态或最坏工作状态。示例：汽车控制芯片在进行电磁抗扰度测试时，除监测一个或几个输出功能外，可通过采集汽车控制芯片内部寄存器数据的方式对汽车控制芯片的功能状态进行全面的监测。通过实时采集芯片的电源模块、存储模块、总线模块、安全模块等实际工况中使用到的模块寄存器数据，对汽车控制芯片进行全面的状态监测和分析。6.5.3.2传导抗扰度范)中6.3.5的方法和表3中等级III进行试验。范)中6.3.5的方法和表4中等级III进行试验。表12不同测试阶段的测试要素失效模式类型；-失效模式影响；-安全机制探测失效功能；一失效模式分布率；-安全机制诊断覆盖率；-安全机制故障探测时间；一失效模式影响；-安全机制探测失效功能；-安全机制故障探测时间；6.6.2.3.3板级功能安全测试6.6.2.3.3.2测试用例设计6.6.2.3.3.3测试报告6.6.2.3.3.4判定准则车部车部件系统控制外设耗中央处理器运算随机访问器-量启动时间帕難量据鹅嫩程序数据保持时数据程序保持时程序数定时范围糠麒输出电压车身≤万≥15年年KB个>t犯//≥列万<侧≥15年年KB个>t≥系年息含为座央系年息含为座央牛电源管理系统控制外设低功耗量时间测中断响应时间非易量鹅嫩数据擦写次数程序保持时长数据保持时长程序支持通道数≤测万0年年KBt//<侧万0年年KBt//>吟;万0≥巧年年t<蒙万年年t犯t≥件系统控制外设低功耗量供电启动时间时间测中断响应时间中断非易器-据时长序数定时范围耕麒系统吟列≥测o万≥年个>t习//%感知0长M万≥年个t犯m//%劬称雕淼总误差车身域控制器灯光气囊辅助驾驶系统(规范性)d)按照B.2.7的方法以不高于-40℃的最低温度和不低于60℃的最高温度进行5次温度循环(可选步骤);e)在125+⁵℃条件下保持24h;表B.1湿度敏感性等级时间时间h121年4周表B.1湿度敏感性等级(续)时间h34“塑封材料水汽扩散活化能为0.40eV～0.48eV时也可使用该方法进行试验。塑封材料水汽扩散活化能为0.30eV～0.39eV时也可使用该方法进行试验。表B.2再流焊试验参数预热最低温度(Tm)预热最高温度(T)预热时间(t.)升温斜率(T到T)液相温度(T)封装体峰值温度(T)T,≥Te(见表15)T以上的保持时间(t。)在指定分类温度(T)5℃以内的保持时间(t.)降温斜率(T.到T)25℃到峰值温度的时间表B.3封装温度分类封装分类温度/T.注：V表示体积，体积包括封装体的外部尺寸，不包括外部端子和/或非一体式散TT十最大升温斜率=3°CIs最大降温斜率=6'C/s从25℃到峰值温度的时间表B.4稳态温湿度偏置寿命试验条件℃气压”时间h“气压为参考试验条件。℃蒸汽压力时间h℃蒸汽压力时间h12“气压为参考试验条件。表B.7温湿度贮存试验条件℃时间h注：如果使用热电偶测量温度，宜使用导热胶或铝箔胶带，确保温度测量的准确性。表B.8温度循环试验条件最低温度Ts(min)最高温度Ts(max)最高/低温度下保持时间0≥1min或≥5min2≥1min或≥5min2≥1min或≥5min22≥1min或≥5min3≥1min或≥5min“可任选一个条件进行试验。表B.9功率温度循环条件停留时间温度转换时间01000循环11000循环21000循环31000循环试验持续时间01陶瓷封装B.3.1高温工作寿命试验环境温度“试验持续时间“电压01表B.11高温工作寿命试验条件(续)试验持续时间电压23应低于绝对最高额定结温。压。恢复试验前所需的24h或t/2,取其中最短时间中最短时间72h或t/2,取其中最短时间增加24h或t/2,取其中最短时间试验持续时间电压0123到达试验条件时开始计算试验持续时间，腔体开始降温时停止计算试 类别图示1234(推刀抬高高度错误)5(推刀太高高度错误、器件架设错误)表B.14分离模式(续)类别图示6分离模式2(二焊点分离)分离模式3(键a)将钩针置于中跨与顶点之间b)将钩针置于中跨附近e)将钩针置于中跨附近f)将钩针置于所有中跨附近注：样品自老化设备中取出后的2h内，若不进行可焊性试验，在试验前将其存贮在一个干燥的广口瓶或干氮箱中，且最长不超过72h。A适用B适用C适用D适用E默认选用m平均沸点℃蒸汽温度范围℃质量分数(2号助焊剂)二乙胺盐酸盐(CAS660-68-4)异丙醇(IPA)(CAS67-63-0)最低的焊球推刀抬高高度类别图示12表B.17分离模式(续)类别图示345级别电压范围UU<125V电源引脚供电压电流试验负电流电压试验1.5×V和最大应力电1.5×V和最大应力电压的较小值”“可对所有非电源、地引脚施加该电流(除NC引脚)。对所有电源施加该电压，可对所有非电源、地引脚施加该电压(除NC引脚)。b)通过间接方式检测到的故障(隐含故障、控制线路故障、过渡活跃故障);表B.20锡须试验预处理条件A无表B.20锡须试验预处理条件(续)B至少4周15℃~30℃C(采用PCB为载具)D(采用PCB为载具)按照B.2.7的方法进行温度循环试验，其中最低温度为-40℃或-55℃,注1:鲁棒平均值取数据中值Q2。样本量是奇数时，数据中值Q2取中间数据点；样本量是偶数时，数据中值Q2取两个中间数据点的平均值。注2:鲁棒标准差=(Q3-Q1)/1.35。参数1.35对于样本量小于20的情况是不精确的。Q1取排名数据的1/4,Q3取排名数据的3/4。B.7.2统计良率分析(规范性)雨刮门锁前方视野辅助系统/仪表/含仪表功能的座舱中央控制系统(资料性)PFlash,DFlash等),时钟模块，内部注：可以根据功能安全要求从表D.1所列典型失效模式中选取违背安全要求的元器件失效模式使用。电源管理功能电源模块(如LDO,DC/DC)Powersupply_FM1:输出电压高于规定范围的高阈值(即过电压一0V);Powersupply_FM2:输出电压低于规定范围的低阈值(即欠电压-UV);Powersupply_FM3:输出电压受尖峰影响；Powersupply_FM4:启动时间不正确(即在预期范围之外);Powersupply_FM5:输出电压精度太低，包括漂移；Powersupply_FM6:输出电压在规定范围内振荡；CPU_FM1:给定指令流未执行(完全遗漏);CPU_FM2:非预期指令流被执行(误起动);CPU_FM3:指令流执行时间错误(过早/过晚);表D.1控制芯片元器件典型失效模式示例(续)时钟模块Clock_FM1:输出卡滞(高或低);Clock_FM2:输出浮空(开路);Clock_FM3:不正确的输出信号摆幅(即超出预期范围);例如EMC辐射);Clock_FM5:不正确的输出信号的占空比(即，超出预期范围);Clock_FM6:输出频率漂移；内部总线BUS_TXFR_FM1:请求的事务未送达；BUS_TXFRFM2:未请求的事务被发送；BUS_TXFR_FM3:在错误的时间发送事务；BUS_TXFR_FM4:以错误的数据发送事务。SRAM_FM1:卡滞；SRAM_FM2:软错误模型(例如单比特位翻转，多比特位翻转等);故障、邻域模式敏感故障、感应晶体管缺陷)。PFLASHFM1:卡滞；DFLASH_FM1:卡滞；ADC_FM1:一路或多路输出卡滞(即高或低);ADC_FM2:一路或多路输出浮空(即开路);ADC_FM3:精度误差(即误差超过LSB);ADC_FM4:偏移误差(不包括输出上的卡滞或浮空，低分辨率);ADC_FM5:无单调转换特性(即给定两个输入模拟电压V1>V2,相应的数ADC_FM6:满量程误差(不包括输出上的卡滞或浮空，低分辨率);ADC_FM8:不正确的建立时间(即，超出(如GPIO)GPIO_FM1:卡滞；GPIO_FM2:输入开路；GPIO_FM3:信号线间短路；GPIO_FM4:漂移和震荡；SENT_FM1:通信节点丢失；SENT_FM2:消息损坏。传感器接口(