标准解读

《GB/T 47725-2026 微机电系统(MEMS)技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求》是一项国家标准，旨在为MEMS领域中硅通孔（TSV, Through Silicon Via）三维结构的可靠性评估提供指导。该标准适用于基于硅通孔技术开发的各种微机电系统产品，在其设计、制造及应用过程中进行可靠性评价时作为参考依据。

标准内容涵盖了从测试方法到数据分析等多个方面，具体包括但不限于：

  • 定义与术语：对涉及的主要概念进行了明确界定，确保行业内对于关键术语有一致的理解。
  • 测试条件：详细规定了进行可靠性试验所需的环境条件、设备参数等，以保证不同实验室之间测试结果的可比性。
  • 样品准备：描述了如何选取和制备用于测试的样品，包括但不限于尺寸规格、表面处理等方面的要求。
  • 测试项目：列出了针对硅通孔三维结构应执行的一系列物理性能测试，如机械强度、电学特性、热循环稳定性等。
  • 数据记录与分析：提供了关于如何准确记录实验数据以及后续如何进行统计分析的方法指南。
  • 报告编写：给出了撰写可靠性评价报告时应包含的信息要点及其格式建议。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2026-05-25 颁布
  • 2026-12-01 实施
©正版授权
GB/T 47725-2026微机电系统(MEMS)技术硅通孔三维结构可靠性评价要求_第1页
GB/T 47725-2026微机电系统(MEMS)技术硅通孔三维结构可靠性评价要求_第2页
GB/T 47725-2026微机电系统(MEMS)技术硅通孔三维结构可靠性评价要求_第3页
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文档简介

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T47725—2026

微机电系统MEMS技术

()

硅通孔三维结构可靠性评价要求

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—

y()gy

Requirementsforreliabilityevaluationofthree-dimensionalstructure

ofthrough-siliconvias

2026-05-25发布2026-12-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47725—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

样品

4………………………2

失效模式及可靠性评价

5…………………2

失效模式分类

5.1………………………2

可靠性评价项目

5.2……………………3

可靠性评价要求

6…………………………4

参数评价

6.1……………4

内外部形貌评价

6.2……………………8

热应力特性评价

6.3……………………11

电应力特性评价

6.4……………………14

机械特性评价

6.5………………………15

互连特性评价

6.6………………………18

三维结构评价

6.7………………………20

Ⅰ

GB/T47725—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出

(SAC/TC336)。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会和全国集成电路标准化技术委员会

(SAC/TC336)

共同归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所中机生产力促进中心有限公司工业和

:、、

信息化部电子第五研究所上海航天技术基础研究所浙江大学厦门大学西北工业大学杭州电子科

、、、、、

技大学宁波中车时代传感器技术有限公司无锡华润上华科技有限公司清华大学武汉大学中国科

、、、、、

学院微电子研究所中国航天时代电子有限公司上海交通大学左蓝微江苏电子技术有限公司联合

、、、()、

微电子中心有限责任公司东莞理工学院深圳新声半导体有限公司深圳市英唐智能控制股份有限公

、、、

司山东国创微纳制造研究院有限公司

、。

本文件主要起草人朱健李根梓黄旼郁元卫吴静张笑天崔荣吴维丽陈思杜林董树荣

:、、、、、、、、、、、

马盛林关赫轩伟鹏侯晓伟胡永刚赵嘉昊陈志文焦斌斌李男男吴林晟张树民崔伟陈豪翔

、、、、、、、、、、、、、

邹洁江丽娟张南

、、。

Ⅲ

GB/T47725—2026

微机电系统MEMS技术

()

硅通孔三维结构可靠性评价要求

1范围

本文件规定了微机电系统中硅通孔三维结构可靠性评价的样品失效模式分类及可靠性

(MEMS)、

评价项目以及参数评价内外部形貌评价热应力特性评价电应力特性评价机械特性评价互连特性

,、、、、、

评价和三维结构评价的要求

。

本文件适用于单层或多层堆叠的三维结构的可靠性评价其中的结构可以是仅通孔侧

TSV,TSV

壁有金属孔内部填实金属或孔局部填实金属

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.22:B:

环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GB/T2423.52:Ea:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则稳态加速度

GB/T2423.152:Ga:

环境试验第部分试验方法试验温度变化

GB/T2423.222:N:

硬质合金显微组织的金相测定第部分金相照片和描述

GB/T3488.11:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.1212:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GB/T4937.1919:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GB/T4937.2222:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.2323:

微束分析原子序数不小于的元素能谱法定量分析

GB/T1735911

微机电系

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