CN113964040B 一种异质pn结构氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）_第1页
CN113964040B 一种异质pn结构氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）_第2页
CN113964040B 一种异质pn结构氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）_第3页
CN113964040B 一种异质pn结构氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）_第4页
CN113964040B 一种异质pn结构氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）_第5页
已阅读5页，还剩16页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

一种异质PN结构氧化镓功率二极管及其制本发明涉及一种异质PN结构氧化镓功率二备阴极；在漂移层上刻蚀形成若干纳米沟道结衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的#-Ga2O3材料，且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓面处形成具有P型特征的NiO层，NiO层与漂移层温退火形成具有P型特性薄层NiO层可与#-Ga2O3形成异质PN结结构，可以降低反向泄漏电2采用所述Ni/Au金属叠层中的金属Ni与β-Ga2O3漂移层中的氧，在高温情况下形成所述～600℃。所述阳极(4)为Ni/Au金属叠层，金属Ni与所述漂移层(3)的界面处形NiO层(5)，所述NiO层(5)与所述漂移层(3)形成异质PN结结构，所述金属Ni与所述漂移层(3)的界面处形成具有P型特征的NiO层(5)包括采用所述Ni/Au金属叠层中的金属Ni与β-3417cm-3。[0016]在本发明的一个实施例中，在所述S5中，所述低温退火工艺的退火温度为100~5[0021]所述阳极为Ni/Au金属叠层，金属Ni与所述漂移层的界面处形成具有P型特征的与β-Ga2O3漂移层中的氧形成具有P[0029]3.本发明的异质PN结构氧化镓功率二极[0030]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚[0032]图2a-图2e是本发明实施例提供的一种异质PN结构氧化镓功率二极管的制备工艺6[0039]在本实施例中，可选地，选取Si或Sn重掺杂的β-Ga2O3作为衬底层，采用HVPE(HydrideVaporPhaseEpitaxy，氢化物气相外延)工艺在Si或Sn重掺杂的β-Ga2O3衬底上中的金属Ni与β-Ga2O3漂移层中的氧在高温情况下形成具有P型特征薄层NiO层，厚度为1~7[0062]选取Si重掺杂的β-Ga2O3作为衬底层，掺杂浓度为5×1018cm-3，在Si重掺杂的β-[0065]2.2)再用退火炉在400℃的N2气氛中进行30s的快速热退火，对阴极金属进行合[0069]4.1)在纳米沟道结构上方采用电子束蒸发台进行阳极电极制作，金属依次选用[0076]2.2)再用退火炉在500℃的N2气氛中进行30s的快速热退火，对阴极金属进行合[0080]4.1)在纳米沟道结构上方采用电子束蒸发台进行阳极电极制作，金属依次选用8[0087]2.2)再用退火炉在600℃的N2气氛中进行30s的快速热退火，对阴极金属进行合[0091]4.1)在纳米沟道结构上方采用电子束蒸发台进行阳极电极制作，金属依次选用[0097]在本实施例中，阴极1为Ti/Au金属叠层，可选地，Ti/Au金属叠层的厚度为20/退火工艺使阳极金属Ni与β-Ga2O3漂移9

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论