CN114018991B 一种湿度传感器及其制备方法 （中国科学院微电子研究所）_第1页
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JPH03223648A,19912所述金属电容器结构上方覆盖有堆叠的多层湿敏层，其中至少一层述金属氧化物为ZrO2或HfO2；金属氧化物材料覆盖介电层和金属电容器结构并在金属电容在所述金属电容器结构上方覆盖堆叠的多层湿敏层，其中至7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述固化的方法为：250~350℃保持3化、多参数检测方向改进。在湿度传感器的工艺制备中，将其制造工艺与集成电路工艺4氧化物或者聚酰亚胺等有机材料)，这种复合叠层的湿敏结构能增强吸湿后的介电常数变[0032]为了提高电容型湿度传感器的灵敏度，湿敏材料的结构[0037]金属电容器结构3上方覆盖有堆叠的多层湿敏层，其中至少一层湿敏层为金属氧5[0039]其中，半导体衬底1可以是本领域技术人员熟知的任何用以承载半导体集成电路层2的材料选择适宜的形成方法。以氧化硅为例，其采用的沉积方式包括但不限于LPCVD、

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