SS强趋势全球范围形成共识产业链机会将共振向上

目录一、SST强趋势全球范围形成共识 1二、SST是未来800V架构的终局形态 2三、SST市场空间几何——2030年将大幅增至千亿级市场 3四、SST产业链机会将共振向上 4五、投资建议 错误未定义书签。风险分析 7一、SST强趋势全球范围形成共识800V（Solid-StateTransformer800V35kV800VSST技术尚不成熟的当前阶段，也可以使用7.5MW级别的工业级整流器，实现一步将中压交流电整流至直流，可以省去大部分OCP峰会上的报告提出的未来用电源架构展望，终局方案同样也指向固态变压器。数据中心用电架构的终局方案为SST已形成共识。2026年以来关于SST固态变压器进展层出不穷。3月，工信部、国家发改委、国务院国资委、国家能源局四部委联合印发《节能装备高质量发展实施方案（2026—2028年国内多家企业纷纷推出样机产品。年以来，数家公司已推出样机，头部公司已进入客户送样/台达：3月台达联合汉腾服务器、龙芯(处理器发布“集装箱式直流移动智算中心”；金盘科技：已发布“元神ONE”系列SST；四方股份：4月举办数智SST1.0新品发布会，SST1.0已实现量产；伊戈尔：4月举行“AIDC800V供电架构技术交流会暨固态变压器JUNO系列新品发布会”。海外创业公司密集融资，商业化加速推进。26000万美、CerberusSiC关键供货商。HeronPower2026年2Amperesand11月获AI海外电力设备龙头加速推进SST2026年秋季产品交付有所进展，面向超大数据中心客户；2027有望看到更多订单；伊顿指引SST预计26H2左右有订单进展等。图表四方股份数智SST1.0产品。 图表金盘科技元神ONE系列SST（固态变压器方股 盘科二、SST是未来800V架构的终局形态结合SemiAnalysis分析数据，将800V直流的过渡描述为经历四个明显阶段。第一/二阶段：白区改造/800VDC原生系统阶段，预计将从2026年底/2027年初开始。预计将现有的交流配电升级/伏直流，阶段1为早期发展阶段年底/2027RubinNVL72，机架密度最高为180-220kW，尚未触及尺寸或配电效率的物理极限，因此该阶段预计将由超大规模的数据中心驱。基本保留原有变压器、UPSHVDCpowerrack/sidecar（集成整流、备电、超级电容模块）800V直流入柜。阶段2800V原生服务器开始规模化出货而启动。预计2028年左右，（如Kyber机架）量产出货，考虑到物理和机架密度逐渐逼近极限，800VDC将成为必要之选。2028取消低压AC/DCUPS，415V交流直接转换为800VDC。但仍需要从中压变压器低压侧交流电源。阶段3将800VDC配电扩展到整个设施。第四阶段：终局SST架构。主要变化是通过SST单一套设备取代低压变压器和整流器，该设备可直接从中压转换为800V直流。图表3：Semianalysis预测的800V技术变革的四个阶段。emianalysi三、SST市场空间几何——2030年将大幅增至千亿级市场我们于年1月发布了 《AIDC电源革命正式开启，电源主机、储能、功率半导体、核心部件四大方向共振，已明确指出AIDC电源的四大核心方向：1）价值量最为集中、功率密度不断迭代升级的电源主机环节，即、、等。为实现直流化、大功率化而不可缺少的核心零部件，如固态断路器、、DC高频隔离变等。保证数据中心实现安全、高效、快速并网的电站级储能、N等实现电力电子功率变换第三代半导体元器件。我们结合对未来AIDC规模的预测假设，我们对未来电源架构的HVDC、系统及零部件环节的空间进行测算（乐观预期。图表4：乐观预期下，SST全球市场将在2030年达到千亿级市场。各环节行业汇总202520262027202820292030AIDC芯片新增功耗（GW）234580114148178PSU市场规模（亿元）170308509682846973国内PSU市场规模（亿元）265294117135136海外PSU市场规模（亿元）144256415565712837UPS电源市场规模（亿元）174264330303241166国内UPS市场规模（亿元）203553544934海外UPS市场规模（亿元）154229277249192132HVDC市场规模（亿元）2416246982112971189国内HVDC市场规模（亿元）2134273114109海外HVDC市场规模（亿元）2214842674811821079SST市场规模（亿元）893686081467国内SST市场规模（亿元）2077115239海外SST市场规模（亿元）692914931228伟达，各公司公算结果显示，规模：的市场体量将在2030VDC年达到千亿级市场。PSU及柜外电源是价值量最大的环节。趋势：聚焦到柜外电源来看，①SST技术预计将在2027/2028年前后逐步商业化，考虑到SST是全球公认的终极数据中心架构的解决方案，因此将在商业化之后的2028-2030年，SST的渗透率将快速提升。②传统的UPS③HVDC在未来几年市场渗透率将快速提升，预计接近2030年将达到千亿级市场。市场：海外市场规模将高于国内市场。由于海外AIDC年海外柜内外电源的市场规模将高于国内市场，市场空间更大。四、SST产业链机会将共振向上从迭代视角来看，随800V各类架构的迭代过程中，设备可分为新增、升级、被迭代三个核心类别。SST主机&上游（新增：从终局视角来看，ST作为终局方案远期空间增速将最为显著。①从ST主机2027/20282030年有望达到千亿规模SST零部件来看，固态变压器成本主要由功率半导体、高频变压器、直流电容、散热系统等组成。其中，功率半导30-40%10-20%；半导体器件、高频变压器为SST核心器件。中压高频变压器在SST中起着十分关键的作用，绝缘材料/磁性材料等技术壁垒较高。SST中高频变提供电气隔离，并实现中压输入到低压输出的变换，是能量双向传输的通道，直接决定整个系统的功率容量和传输效率。①绝缘材料：高频下绝缘材料更容易产生局部放电，从而加速绝缘老化并导致击穿。需采用特殊的绝缘材料和工艺。②新型磁性材料：传统硅钢片在高频下涡流损耗大，必须使用软磁铁氧体、非晶合金/纳米晶合金或磁粉芯等高频低损耗材料等。因此高频变中，绝缘材料、磁性材料等环节技术与工艺壁垒较高。SiC功率器件逐渐成为SST零部件的优选项。电力电子变换器的技术难度主要在耐压，需要直接面对中压级别SiC10-15kV，同时可降低开关与导通损耗优化系统，已逐渐成为SST主机厂的优选项。图表5：SST成本构成中半导体功率器件、高频变压器占图表6：SiC可用于大功率高电压场合，GaN则用于中等功前两位。 率、中等电压、高频场合。二次电源&三次电源（升级：将随AC整体需求放量而增加，并伴随新需求出现。二次电源：PSU将增加800V/±400V转50V/12V环节。采用HVDC后，执行AC/DC转换的PSU从计算机柜被移出至HVDCsidecar中，柜内不再含AC/DC环节。入柜的800V/±400V直流电无法直接使用，需增设800V/±400V转50V/12V的DC/DC环节。三次电源：M开始采用垂直供电技术（P。因为芯片面积巨大，如果电流从侧面进入，阻抗太大会B200BiancaGPU正下方的PCB背面，电流直接穿过PCB的过孔垂直向上注入GPU核心，供电路径长度大大缩短，并且节省正面空间。图表7：英伟达800VMGX机柜内增设800转54V/12V图表8：VRM垂直供电与水平供电对比图。DC/DC环节。伟 子工程世零部件（升级虽然在终局T架构中，传统的S以及多个整流等环节被替代，而对于一些核心800V超级电容、直流断路器、直流熔断器等。②高压趋势下以及SiC&功率器件将作为诸多环节的上游器件需求将显著提升。五、产业链梳理及盘点SST主机及上游：架构为AIDC2030年左右达到千亿级别的市场规模。①SSTSST（高频变、可立克（高频变）等。柜内电源：①二次电源随AIDC以及800V/±400V转50V/12V环节，核心公VPD垂直供电技术，核心公司包括新雷能等。零部件：（固态断路器、中熔电气（熔断器、思源电气（超级电容、江海股份（超级电容、宏发股份（直流继电器。SiC&功率器件图表9：AIDC产业链核心环节示意图。风险分析需求方面：降导致对电力设备需求下