CN114400213B 一种半导体封装结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）

本公开实施例公开了一种半导体封装结构芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第2所述第一半导体芯片的表面形成有多个第一接多个硅通孔，各所述硅通孔贯穿所述第一半导体芯片，各第二半导体芯片堆叠结构，位于所述介质层上；所述所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接触所述第一接触垫包括第一个第一接触垫和第二个第一接所述第二接触垫包括与所述第一个第一接触垫对应的第一个第二接触垫和与所述第所述第三接触垫包括与所述第一个第一接触垫对应的第一个第三接触垫和与所述第所述第一个第二接触垫的宽度大于第一个第一接触垫和第一述第二个第二接触垫的宽度小于第二个第一接触垫和第二个第三接触垫所述第一个第一接触垫与所述第一个第三接触垫的宽度一致，所述第二所述第一接触垫形成在所述第一半导体芯片的有源面，所述第位于所述第一层第二半导体芯片以上的多层第二半导体芯片相邻两层第二半导体芯片之间相对应的第四3形成第一半导体芯片，所述第一半导体芯片中形成有多个贯穿所在所述介质层上形成第二半导体芯片堆叠结构；所述第将所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接所述第一接触垫包括第一个第一接触垫和第二个第一接所述第二接触垫包括与所述第一个第一接触垫对应的第一个第二接触垫和与所述第所述第三接触垫包括与所述第一个第一接触垫对应的第一个第三接触垫和与所述第所述第一个第二接触垫的宽度大于第一个第一接触垫和第一述第二个第二接触垫的宽度小于第二个第一接触垫和第二个第三接触垫每一个所述第一接触垫与其相对应的所述第三将所述第一半导体芯片的有源面与所述第一层第通过旋涂方式在所述第一半导体芯片上形成介质层，所述介质层的在所述第一层第二半导体芯片以上的多层第二半导体芯片内形相邻两层第二半导体芯片之间相对应的第四在形成所述第二接触垫后，刻蚀所述第二接触垫，使得45括依次堆叠的多层第二半导体芯片；第一层第二半导体芯片的表面形成有多个第三接触个第三接触垫的宽度；所述第二个第二接触垫的宽度小于与其相对应的第二个第一接触6括依次堆叠的多层第二半导体芯片；在第一层第二半导体芯片的表面形成多个第三接触[0032]将所述第一半导体芯片的有源面与所述第一层第二半导体芯片的有源面进行键[0044]本公开实施例中，在第一半导体芯片和第一层第二半导78或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应[0069]本公开实施例中，在第一半导体芯片和第一层第二半导9第二个第一接触垫42的宽度与第二个第三[0079]在其他一些实施例中，所述第一接触垫40形成在所述第一半导体芯片10的有源垫50的侧壁与所述介质层20之间；所述绝缘层80的杨氏模量小于所述介质层20的杨氏模[0100]步骤204：将所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接[0101]下面结合具体实施例对本公开实施例提供的半导体封装结构的形成方法再作进体芯片31通过所述第一接触垫40、所述第二接触垫50和所述第三接触垫60一一对应键合；第二个第一接触垫42的宽度与第二个第三第二半导体芯片通过第四接触垫70一一对化合物结构100可以包括含硅化合物。通过形成包裹第二半导体芯片堆叠结构30的封装化