广立微芯片良率领军硅光开启二次成长

目录广立：芯率领军硅光二次成长 6广立微：深耕芯良率，构建软硬一体全栈方案 6产品矩阵：软件设备+服务全栈协同 7财务分析：规模应逐步释放利润 8软件服务定国产艺+拓展品边界 EDA及良率服务国产工艺迭代，深度绑定晶圆厂 大数据分析平台数据中枢赋能，AI驱动价值跃升 13DFT、DFM：向设计端延伸，制造基因构筑差异化壁垒 16电芯片晶圆检测胀+国产提速 19良率提升心，通胀+国产替代 19广立微产份额第一，品类不断延伸 24光芯片硅光扩产+CPO透双击 29光电同，量价齐升 29广立微累+LUCEDA经验+浙大合作 31盈利测与值 34盈利预测 34可比公司估值 35风险示 36图表目录图1：广立微股权结构图（截至2026.6.26） 7图2：广立微营业收入及同比增速（亿元） 9图3：广立微分项目收入情况（亿元） 9图4：广立微分业务毛利率 9图5：广立微整体毛利率及费用率 9图6：广立微归母净利润及扣非归母净利润（亿元） 10图7：广立微良率提升相关EDA软件及IP 12图8：广立微可提供良率提升整体解决方案 13图9：广立微大数据分析平台 14图10：广立微AI+LLM大数据分析平台 14图11：工艺迭代带来数据分析需求，PDFSolution营收增速上行 15图12：DFT为逻辑芯片设计前端环节 16图13：半导体不同生产环节的良率 19图14：芯片良率提升方法示意图 20图15：通过电性检测提升成品率的一般流程图 20图16：半导体生产测试流程 21图通常放在芯片之间划片槽中 22图测试通胀逻辑 22图19：全球半导体测试设备市场规模 23图20：中国半导体测试设备市场规模 23图测试机市场keysight占据垄断地位（2024） 24图22：公司测试机业务发展历程 24图23：广立微部分客户 25图24：公司半导体设备销量 28图25：公司半导体设备销售额 28图26：算力需求爆发促进光互连市场规模增加 29图27：硅光模块市场份额 30图28：晶圆级测试是硅光制造重要环节 31图：全球硅光晶圆测试系统市场规模（亿美元）...........................................图30：LUCEDA光子设计自动化软件 32图31：收购LUCEDA切入硅光芯片领域 33表1：广立微产品矩阵 8表2：DFT贯穿芯片全生命周期 17表3：广立微DFM产品系列 18表测试流程 21表测试机技术难点 23表6：公司半导体测试设备类产品矩阵 25表7：测试机产品多个关键功能部件自研情况 26表8：WLR测试设备性能 27表9：公司老化测试设备优势 27表10：传统光模块与硅光模块对比 29表11：LUCEDA主营产品类型与功能 32表12：分业务收入及毛利率预测（单位：百万元人民币） 34表13：分部估值表 35表14：合并利润表 37表15：合并现金流量表 37表16：合并资产负债表 38广立微：芯片良率领军，硅光开启二次成长EDAPDAEDAIP、WAT量产的整个产品周期内实现芯片性能、成品率、稳定性的提升。EDADFM、DFTPDFSolutions高级工程师、Xilinx（赛灵思）资深主任工程师，长期从事半导体成品率提升相关工作。广立微发展历程：深耕近20年，从测试芯片EDA到软硬件一体的全栈良率解决方案。2007-2010WAT测试设备。2007年，公司董事长郑勇军博士受到浙大邀请担任特聘研究员，以总经理兼研发负责人的身份，进入浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所技术团队创立的广立微。同年，公司成功研发出首EDA2010WAT测试设备研发，切入硬件领域。2011-2019ICSpider2017CE2019年，国内大型晶圆厂在新制程上大规模投入，国内业务快速增长。2020-2022年：设备放量、公司实现创业板上市。2020WAT2021机产品得到卓胜微、睿力集成等客户的认可；半导体大数据分析平台将公司潜在客户从目FoundryFabless20228月，公司在创业板上市。2023上市后广立微产品边界EDA+设备+数据+PDA2023DFT可测试性设计DDADFTXP良率+DFTPDA领域，产品边界从传统集成电路良率提升延伸至光子芯片设计自动化。6.01%，（有限合伙（有限合伙25.61%股份。核心管理团队与技术骨干通过员工持股平台持有公司股份，与公司发展实现绑定。图1：广微权构（至2026.6.26） +设备+服务全栈协同-制造-测试-20252.784.5361.68%17.30%0.48%。EDADFT/DFMEDADataExp大数据分析系列，以及“制造-DFMDFT产品。WATWLRWAT2020WATT4100S20254.53亿元，为收入的主要来源。WAT集，而公司具备将测试设备、EDA工具和数据分析系统结合，形成从测试芯片设计、晶圆产品系列 简介表1：广立微产品矩阵产品系列 简介

析、工程支持及相关技术服务。由于EDAWAT客户在导入过程中通常需要供应商配合完成参数配置、测试方案设计、数据分析模型调整和现场调试，技术服务对产品落地和后续的迭代积累具有重要意义。公司以成品率提升为主线，实现软件、设备与服务的协同放大。测试芯片EDA&IP 多种测试芯片设计EDA及IP，以及芯片良率和性能诊断平台等DATAEXP大数据分析平台 半导体制造全链路数据分析软件矩阵，覆盖电性测试、缺陷管理、设备监控、统计软件 过程控制等场景。面向良率提升的DFM工具集，覆盖CMP工艺仿真、成品率预测、版图分析与图形匹配功能。DFM软件DFT软件 QuanTest系列产品，覆盖面向良率提升的DFM工具集，覆盖CMP工艺仿真、成品率预测、版图分析与图形匹配功能。DFM软件晶圆级可靠性测试设备，覆盖器件电性规格一致性评估，验证芯片长期运行可靠性表现。晶圆级WLR测试设备工艺研发专用测试设备，支持灵活定制测试方案，覆盖新工艺节点开发阶段的高效测试验证。工艺开发测试设备测试设备晶圆级晶圆级可靠性测试设备，覆盖器件电性规格一致性评估，验证芯片长期运行可靠性表现。晶圆级WLR测试设备工艺研发专用测试设备，支持灵活定制测试方案，覆盖新工艺节点开发阶段的高效测试验证。工艺开发测试设备测试设备晶圆级老化测试设备 晶圆级老化测试系统，面向SiC/GaN等功率器件，覆盖高温高压应力加速老化早期失效芯片筛选。工程服务通过在芯片设计时加入测试专用电路，增加芯片的可测试性DFT工程服务通过在芯片设计时加入测试专用电路，增加芯片的可测试性DFT设计服务公司官网公司2021-2025年收入保持较快增长，2025年在软件与设备双轮驱动下增速重新提2021-20251.987.3538.8%2022-2023202534.4%。+2021-20251.014.53亿元，CAGR45.7%，核心驱动因素为国产晶圆厂扩产带WAT测试设备采购量增大。2021-20250.97亿元增长至2.78亿元，CAGR约30.0%，2024-2025年收入增速保持在70%以上，主要原因为图2：广立微营业收入及同比增速（亿元） 图3：广立微分项目收入情况（亿元） 8.07.06.05.04.03.02.01.00.0

2021 2022 2023 2024

90.0%80.0%70.0%60.0%50.0%40.0%30.0%20.0%10.0%0.0%

8.07.06.05.04.03.02.01.00.0

2021 2022 2023 2024 2025营业收入（亿元） 同比增长率(%，右轴) 测试机及配件 软件开发及授权 测试服务2021-202550%-55%2021-202520219.78%下降至2025年的7.18%，主要原因为公司客户主要为国内大型晶圆厂，拓客压力相对较小，收入增长来自设备出货量及软件/服务销售额的增长，规模效应显著。2021-2025年，公司管理费用率保持在7%-10%之间，2025年，由于总部大厦启用导致费用率小幅上升。2021-2024年达50.6%，2025图4：广立微分业务毛利率 图5：广立微整体毛利率及费用率

2021 2022 2023 2024 2025测试机及配件 软件开发及授测试服务及其他

2021 2022 2023 2024 2025毛利率 销售费用率管理费用率 研发费用率WAT设备规模效应释放及LUCEDA整合落地，公司核心盈利能力将得到显著改善。图6：广微母利及扣归净润亿） 1.21.00.20.02021 2022 2023 2024 2025归母净利润（亿元） 扣非归母净利润（亿元）软件及服务：绑定国产工艺+拓展产品边界广立微围绕良率提升及电性测试构建软件+服务矩阵。软件产品包括测试芯片EDAIPDFMDFTDFT通过定制化开发和驻场项目的方式提供工程服务，通过参与工艺开发深度绑定下游客户。EDA开发及全生命周期良率管理，软件与服务已高度嵌入客户核心流程，形成显著的客户黏性EDA产品矩阵的独特禀赋：横向扩展制造类EDA品类。制造类EDA具有高度工艺定制化特点，与FoundryPDK深度适配是核心门槛。公司已在良率EDA领域与头部晶圆厂建立稳定的工艺绑定关DFMOPC（DRC/LVS）（PEX）（Sign-off）FoundryPDK适配方面具备天然优势，是当前国产EDASiemensCalibre的重要路径。公司以晶圆厂绑定为核心壁垒向制造类EDA全品类及设计后端双向延伸的逻辑清晰，2025年，国内EDA市场规模约为150亿元，其中制造类EDA市场约为24亿元，公司软件产品长期成长空间值得重视。EDA及良率服务：国产工艺迭代，深度绑定晶圆厂良率提升EDA及相关工程服务是广立微软件服务类业务的核心，通过深度参与下游客户的工艺开发及量产过程，与国产晶圆制造工艺形成较强绑定。测试芯片的核心价值在于将复杂的良率问题结构化分解，使工程师能够快速定位工艺EDA关键基础软件。与主流的芯片设计EDA不同，公司的设计类EDA（如逻辑电路或模拟电路晶圆主体，测试结构转而布置于划片槽中，持续承担电性测试与良率监控的职能。图7：广微率升关EDA软件及IP 公司年报EDA的全流程良率服务。晶圆制造工艺的生命周期大致包括早期开发、产品导入和量产环节：到器件模型中的差距来源，从而实现过程监控与良率提升。图8：广立微可提供良率提升整体解决方案公司年报核心催化国产半导体行业在工艺和设计思路上逐步分化带来工艺开发相关需求国科技制裁下国产芯片设计晶圆制造厂正在通过改进设计思路制造工艺实现等效先进制程芯片的制造 参与工艺开发与量产控制与工艺的迭代开发具备较强绑定着国产工艺思路的分化海外EDA厂商无法进一步与国内工艺跟进适配相关工艺的发迭代全部由国内厂商独立完成，作为国内良率提升领军企业，公司将充分受益。先进工艺迭代+的建设投产均需要良率提升。除了极少数头部厂商拥有完全内部的工艺开发和良率提升团队，采购公司软件产品自主进行开发外；大部分下游客户需要公司提供定制化开发与驻场跟进服务，公司良率相关软件及工程服务充分受益。驱动价值跃升DataExp测试各环节的异构数据统一纳管，实现数据资产的有效沉淀与跨系统协同，进而为客户提系列产品还能够与公司的EDA产品、WAT测试设备之间相互赋能，提供完整先进的良率提升解决方案。当前，公司已经形成11款子产品，覆盖不同场景需求。图9：广立微大数据分析平台公司年报AI+计/制造优化同时来源于算法精度的提升和相关研发人员的经验，而研发人员的经验会以数据的形式大量存留于过往的版图/图10：广立微AI+LLM大数据分析平台公司年报"智能资产警等高价值场景中形成超越经验驱动的决策能力。2025年，SemiMind半导体大模型平台DE-GINF-AIQuickRootiMetrologyTPCiCASE等，全方位赋能良率提升、量测效率优化、机台管控及缺陷溯源，智能化水平显著提升。2025年，全球半导体良率分析工具市场规模为10.25亿美元，预计2035年将达到26.41亿美元，复合增长率为8.72%。全球来看，PDFSolutions为头部企业，核心产品Exensio平台定位为全生命周期数据分析平台已与超过13024,000、AppliedMaterialsSynopsysEDA图11：工艺迭代带来数据分析需求，PDFSolution营收增速上行

0%-10%0.0

2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

-20%营业总收入（亿美元） 同比增长率（右轴）PDFSolutions、KLA等海外厂商主导，国内厂商包公司凭借在工艺和良率场景的深度绑定+软硬协同的产品体系，推动国产替代与海外拓客同步进行。2025年，公司DataExp、DFM：向设计端延伸，制造基因构筑差异化壁垒DFT（DesignforTestability，可测试性设计）是一套在芯片设计阶段嵌入测试逻辑的技术体系，其核心目的是使芯片制造完成后能够被高效测试。通过在芯片中额外嵌入测试电路（如扫描链、BIST模块等），DFT为外部测试设备提供"进入"和"读出"芯片内部状可控性不足可观测性不足备看不到内部运算的结果。简单来说，DFT是在芯片设计时就为“将来如何测试这颗芯片”预先做好结构规划，是将可测试性内建于芯片本身的设计方法论。DFT的实施通常在设计周期早期启动，工程师识别潜在测试挑战并集成扫描链、边界扫描单元和BIST模块等结构。主要技术包括：扫描链（ScanChain）：将芯片内部的触发器（Flip-Flop）重新连接形成扫描链，制造完成后可通过测试模式将测试数据移入移出，对内部节点进行系统性检测，大幅提升故障覆盖率并缩短测试时间。BIST（Built-InSelf-Test，内建自测试有的测试向量生成和响应检测逻辑，使电路能够自我测试。该技术广泛用于存储器测试（MBIST）和逻辑测试（LBIST）。边界扫描DFTI/O图12：DFT为逻辑芯片设计前端环节面包板社区DFT/DFT段为测试做铺垫，在晶圆制造后的裸片、封装、系统调试以及系统的运行中，都可能产生DFT需求。在汽车和工业领域，芯片必须具备在运行过程中持续自检的能力，每次上电、BIST（内建自测试DFTAI芯片封装系统复杂ATPG覆盖率要求显著提升。场景主要DFT技术阶段晶圆测试CP场景主要DFT技术阶段晶圆测试CP扫描链+ATPG制造成品测试FT扫描链+MBIST制造系统级测试SLTJTAG边界扫描封测量产在线监控测试结构数据分析制造上电自检POSTBIST(LBIST/MBIST)使用运行期间自检BIST周期触发使用调试与失效分析JTAG+扫描链全周期Chiplet测试多层级DFT架构制造+封装申万宏源研究DFTEDASoCDFT深度嵌入设计EDADFTEDA三巨头主导，包括SynopsysTestMAX、CadenceModus和SiemensTessent，其中SiemensEDA凭借其在设计后端-制造的深耕，处于领导地位。DFT为SynopsysCadenceDFTEDA2023DFT领域，实现从制造环节向设计环节的延展。DFT是国内EDA软件国产替代进度较快的领域之一。当前，国内芯片设计厂商DFT团队相对不成熟，DFT产品主要以工程服务形式交付。在国内先进工艺分叉的大背景下，国内DFT供应商对于国产工艺的合作与绑定将凸显国产生态优势，海外EDA厂商面临无法持续适配先进工艺迭代的问题，叠加项目制交付下EDA厂商与芯片设计客户的合作，DFT国产替代的速率在EDA软件中领先。DF（DesgnforManufatuability是半导体设计中的一套方法论，旨在在芯片设计阶段就考虑制造工艺的限制，从而提升良率（yield）、降低制造成本、减DFMDRC节（设计规则检查，芯片设计后端重要检验步骤）中暴露，但会对良率造成影响。通过DFM协同，传统的“设计-制造-问题反馈”的被动循环，转变为“预测风险-前置优化”DFMEDAEDACalibre工具为行业DFM规则检查上占据主导地位。DFMDFM良率签核环节，提高产品制造良率。DFM工具与大数据分2025DFM产DFM司在良率EDA上已与国内头部晶圆厂形成稳定合作，DFM工具可自然延伸，预计未来2-3年将具备较高增长弹性。产品类型 产品名 介绍表3：广立微DFM产品系列产品类型 产品名 介绍版图集成与分析平台化学机械抛光工艺仿真建模工具

LayoutVisionCMPEXP

LayoutVisionLiteCMP制造工艺的仿真建模，依据CMPCMPCMPCMPCMPCMPCMP3DDFM版图图匹配具 PatternScan版图几何特性提取LayoutInsight和分析工具基于热点图形的测PatternTKG试结构生成工具

缝衔接，实现包括工艺热点侦测与优化，版图物理验证，物理诊断分析在内的多种高效解决方案依托高能版计算擎和大版图分工具态的持，LayoutInsight能从 版设计中精确计芯器件型的布并提取件特参数布局赖应参数及热图形关键几何参数让用从全、多度视角，察芯器件与 工艺点的特，助用户速定位良率问，缩良率升周并化设计量⚫⚫ AIpattern,可用于pattern的探索和洞察，以及OPC或者DRC质量检查AI-TPGAI形生成工具速工艺成熟与良率爬坡关键面速工艺成熟与良率爬坡关键面分析良 ⚫ 随机性陷是致良损失主因素之。VirtualYield对产芯片进关键积分和基于VirtualYield率预测具 关键面进行率预。准的析和预可以助设者深洞设计中潜在题

SpectCAG

⚫ 公司年报WAT：晶圆检测通胀+国产化提速+国产替代芯片良率（yield）是衡量其制造过程中产品可用率与工艺稳定性的核心指标。良率通常指满足设计规格并可正常工作的芯片数量占总生产数量的比例。芯片生产制造的各个环图13：导不生节的率 电子工程专辑、爱集微等电性检测和物理检测是实现工艺监控与良率管理的重要手段。提升芯片良率的关键在于对制造工艺实施全流程监控与检测。目前业内主要采用物理检测与电性检测两类手段：前者通过光学、电子束等设备发现晶圆表面的物理缺陷与形貌偏差；后者则利用电性测试（图14：片率升示意图 公司招股书电性检测的主要流程包括测试结构设计、晶圆级电性测试、数据分析及工艺反馈等环EDAWAT“设计—测试—分析—反馈”的闭环体系，晶圆厂能够实现工艺偏移的前置识别与持续优化，从而提升产品良率与制造稳定性。图15：过性测成品的般程图 公司招股书WAT是电性检测的核心设备。根据测试阶段不同，芯片电性测试通常可分为WAT（WaferAcceptanceTest）CP（ChipProbing）及FT（FinalTest）与FTWAT测试则主要针对靠近前道制造环节，可实现工艺偏移与异常缺陷的前置识别，因此在先进制程持续演进背景下，其对于晶圆厂良率优化与工艺迭代的重要性持续提升，已成为晶圆制造过程中核心的前道电性测试环节。图16：导生测程 数据驱动的晶圆良率预测方法研究步骤 简介表4：WAT测试流程步骤 简介

WATWAT（Testkey）PAD上进行测试，Testkey跟芯片本身功能没有关系。准备工作 首先对晶圆进行预处理，包括表面清洁和测试环境的控制，以确保测量条件的一致性。测试设备（如探针台、数分析仪）需进行校准，以确保测试结果的准确性。探针接触 使用探针台在晶圆的特定测试点上进行接触，通过微小探针与晶圆表面形成电气连接，进行后续电性能测试。探针接触 使用探针台在晶圆的特定测试点上进行接触，通过微小探针与晶圆表面形成电气连接，进行后续电性能测试。测试点 针台的精度至关重要，定位需在微米甚至纳米级别精确，以确保测量在指定位置进行。参数测量重复测量与校正

WAT测试主要测量以下几项关键电性能参数：阈值电压（Vth）：判断晶体管是否按设计工作，准确测量有助于评估开关特性。漏电流（Ioff）：过大的漏电流影响静态功耗和性能，漏电测试识别短路或缺陷。栅极电容（Cgs）：测量栅极与源极间的电容，确保切换过程中的正常电容特性。通道电阻（Ron）：评估导通时的电阻值，较高电阻可能表示工艺步骤存在偏差。在测试过程中，对一些关键参数进行多次测量，以消除偶发误差，提高数据可靠性。芯片技术与工艺图通常放芯片间片中 季丰电子WAT在研发和量产环节均具备通胀逻辑。WATWAT需求的70%，器件工艺研发参数测试、器件WLR30%WAT试来说呈现明显需求通胀：1）测试项目通胀：WAT的核心作用是监控晶圆制造全流程的工艺稳定性，制程越先WAT测试耗时非线性增长。3）测试资源通胀：先进制程对测试温度、探针接触稳定WAT量随制程升级呈非线性增长。图测试胀辑 广立微官网2024-2029年，中国WAT测试机市场复合增速预计超过20%。根据弗若斯特沙利文（Frost&Sullivan，简称“沙利文”）WAT20204.020246.0202913.6亿美元，24-29年复合WAT20206.220249.7亿202926.8亿元，24-2922.54%。图19：球导体测试备场模 图20：国导体测试备场模 13.611.513.65.76.267.24514121086420WATyoy(%,右轴)

30% 3025% 2520% 2015%1510%5% 100% 5-5% 0

26.821.926.821.97.69.31112.29.7中国半导体WAT测试设备市场规模（亿元）yoy(%,右轴)联讯仪器招股书、沙利文 联讯仪器招股书沙利文WAT测试设备技术壁垒高，海外厂商主导市场。WAT为突WT4年esigt占据了我国WT测试73.4%WAT技术难点 具体要求 测试特点/核心意义表5：技术难点 具体要求 测试特点/核心意义测试速度测试精度

WAT结构进行快速电学参数检测，对测试吞吐能力要求较高。需实现对微弱电信号的高精度测量，如亚皮安（sub-pA）级漏电流、微伏（uV）级电压及飞法（fF）级电容测量。要求设备在长期量产环境下保持测试一致性、重复性及系统稳定性。

随着先进制程推进及晶圆集成度提升，单位晶圆测试结构数量显著增加，测试速度直接影响晶圆厂量产效率与产线稼动率，“快”成为WAT测试机核心竞争指标之一。WAT监控与良率分析有效性。晶圆制造属于高价值、高精密生产环节，测试误差可能导致大规模良率损失，因此对设备稳定性及不同机台间一致性要求较高。软件平台灵活性 需具备通用化软件开发平台，支持客进行测试程序二次开发。

集成电路产品种类繁多、工艺差异较大，测试设备需适配不同产品与工艺节点测试需求。可寻址及高密度测试支持公司问询函

需支持可寻址测试芯片、超高密度测试芯片等先进测试方案，实现高效率参数测试。

先进制程下工艺监控复杂度提升，可寻址与高密度测试方案正逐步成为先进工艺开发与量产的重要测试手段，对设备自动化与测试能力提出更高要求。图测试场keysight占据断位（2024） 26.60%26.60%73.40%keysight 其他智研咨询国产份额第一，品类不断延伸公司WAT测试设备积累16年。公司自2010年开始布局WAT电性测试设备研发，产品经历多代升级迭代，测试精度由最初亚纳安（nA）级逐步提升至皮安以下（sub-pA）2020WATKeysight等海外企业在该领域的长期垄断。图22：司测业务展程 公司问询函WAT测试设备完成头部客户导入并形成较强客户壁垒。WAT大量调试、工艺适配及量产验证后方可导入客户产线，因此客户认证周期长、客户黏性较T4000T4100S系列为核心的产品矩阵，分别面向成熟制程及高效率并行测试场景。经过多年客户验证与持续迭代，公司产品和服务已获得国内外SKIDM图23：立部客户 公司招股书WATWATLogicCISDRAMFlashBCDSiC/GaNWLR试及WBI节的能力布局。整体来看，公司设备业务正从传统参数测试设备供应商向覆盖晶圆级电性测试与可靠性验证的一体化测试平台方向延伸，产品应用场景亦由8入12英寸先进产线及第三代半导体领域。类型 产品型号 介绍表6：公司半导体测试设备类产品矩阵类型 产品型号 介绍测试设备

T4000系列T4100S

·通用型WAT测试设备，适用于大部分WAT电性测试场景·LOGICCISDRAMSRAMFLASHBCDT4000Module(T400082024T4000Max测试场景·并行测试设备，适合先进工艺中更繁杂多样的测试要求1.4~5在产业化系统整合和测试标准上更具优势，常被用于测试量较大且对测试效率要求较高的寸晶圆厂WLR晶圆老化设备公司年报

·可靠性测试设备，适合WLR及SPICE领域·能够兼容搭载可靠性WLR，支持异步或同步并行测试，并通过与测试软件应用结合，定制化算法和数据格式，实时显示测试数据图像，大幅度提升测试效率，满足汽车电子、新能源等芯片对该方向大量的测试需求·工艺开发测试设备，适合研发阶段电性测试·工艺开发阶段，待测器件数量较多，对于测试速度要求较高，公司测试机可以实现单条Module(模块)或多条Module同时扎针的并行测试，测试速度大幅提升；可与公司可寻址测试芯片设计方案协同，大幅度提升测试效率，快速定位到器件或工艺问题WLBISiC)，氮化镓(GaN)设计打造的晶圆级老化测试系统。该系统可对晶圆进行长时间高温栅极偏压(HTGB)和高温反向偏压(HTRB的缺陷芯片·系统软件可视化设计，支持在线编辑MAP，高集成测试模块设计，创新高密度探针卡以及高压晶圆卡盘，支持快速产品切换，维护便捷，可生成详细老化数据·半自动老化系统B5260M，支持6片晶圆同时老化，最高可支持一次同时老化720个Die(晶粒)·B5280，68122640Die(晶粒)，支持高温反向偏压(HTRB)老化过程对栅极施加偏压，满足客户多样化测试需求公司在WAT测试机领域具备较强的核心部件自主研发能力。“自主研发+定制化生产”保证核心技术自主可控的同时降低重资产制造投入。部件名称 功能 自研情况表7：测试机产品多个关键功能部件自研情况部件名称 功能 自研情况信号处理单元交流与直流信号隔离、切换及处理 核心技术为公司自研，向专业厂商定制采购连接模块 是一组原材料集合，实现各测单元的连接测试头 连接测试机与探针台实现测试路的作用

业厂商定制采购业厂商定制采购矩阵开关 实现针卡与测试机之间的连接 核心技术为公司自研，向业厂商定制采购源测量单元 可同步测量电压和电流的仪器 外购脉冲发生器单元 用于产生测试过程所需的脉冲信号 外公司问询函公告公司正加速向高端可靠性测试及老化测试领域延伸。高性能晶圆级可靠性（WLR）测试机已开始批量发货，自主研发的SiC/GaN晶圆级老化测试系统WLBIB5260M亦正式出厂。公司WLR设备具备sub-pA级测试精度、V/A测试能力及并行测试功能，并支持全自动高低温测试；公司WLBIB5260MSiC/GaN功率器件可靠性验证，可同时6HTGB、HTRB2000VWAT“参数测试+可靠性验证+老化筛选”综合测试平台延伸。类别 特性表8：WLR测试设备性能类别 特性设备测试性能

最高施加电压/电流可至200V/1A最高功率可至20W电流量测精度为sub-pA，测试数据与市面主流Bench机台相匹配支持异步或同步并行测试，大幅度提升测试效率WLR测试项齐全使用RE-TestBuilder高效地智能化、模板化建立WLRTestPlan使用RE-TestBuilder高效地智能化、模板化建立WLRTestPlan测试软件

可定制化算法和数据格式实时显示测试数据图像一键导入至广立微DATAEXP数据分析软件高自动化和兼容性支持与各类prober集成，实现了EAPGEM300标准的自动化测试流程Tester可自动控制prober温度，无需人为干预，可进行全自动的高低温测试对于广立微的WAT机台，可升级测试软件支持WLR测试，一般不需要进行硬件升级公司官网功能/特点类别 详细描述表功能/特点类别 详细描述高效并行测试强大的电压测试能力精准可靠的硬件平台智能化软件系统公司官网

可同时支持6片晶圆进行长时间的高温栅极偏压（HTGB）和高温反向偏压（HTRB）测试，大幅提升测试吞吐量，满足小批量验证研发需求及大批量生产效率要求。具备高精度温度控制能力，升温快速（9℃/min）且无过冲，晶圆面内温度均匀性小于±1℃，为老化测试提供稳定、一致的环境，确保数据准确性与可比性。HTGB100VHTRB2000VVgs(th)、Igss、Idss20μmOCR圆定位识别准确率极高，杜绝混片风险。MapExcelMAP数据分析更直观。WAT公司半导体测试机出货量连年增长，2019-2025年累计出货357台，销售额从2019年800万元增长至2025年的4.5397.32%备业务全部为WAT25年WAT考虑到公司半导体测试设备业务中并非全部是WAT际WAT市占率小于该测算数据品延展及市占率不断提升，公司半导体设备业务有望继续保持高速增长。图24：司导设量 图25：司导设售额 0

2019202020212022202320242025销量（台） yoy(%,右轴)

250%109901099079512026150%100%50%0%

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2019202020212022202320242025收入（百万元） 轴)

350%453384 453384 386244101831250%200%150%100%50%0%公司招股书、公司年报 公司招股书、公司年报OWAT：硅光扩产+CPO受益于大模型催生的算力需求爆发，光互联市场规模大幅增加。根据Yole数据，202087.82023109亿美元，年复合增长2029224202914.8%年规模预147.0图26：力求发光互市规增加 Yole，猎奇智能招股书III-V方案则以单片集成为核心，组件数量大幅减少，体积可缩小约30%；光源端采用外置激光器经分束器为多通道供光，实现一对多的高效分发；同时，硅基材料兼容成熟工艺，规模化后成本优势显著。这种从“分立组装”到“晶圆级集成”成度、功耗与成本三个维度上均实现了对传统方案的代际领先。特性 传统光模块 硅光光模块表10：传统光模块与硅光模块对比特性 传统光模块 硅光光模块集成方式

分立器件封装：将激光器、调制器、探测器等独立的芯片在PCB板上组装。

单片集成：将波导、调制器、探测器等集成在单一硅光芯片上。光源 直接使用集成的激光器(如DFBEML)。结构 复杂，需要大量的透镜、对准组件封装材料。

外置CW激光器：一个激光器通过分束器为多个通道提供光源。简单，芯片上通过波导进行光路连接，组件数量大幅减少。体积与功耗 较大、较高。 更小(体积缩小约%)、更低(潜在功耗)。成本潜力 材料(如InP)和封装成本高，下降间有限。湖南奥创普科技有限公司

利用廉价硅材料和CMOS工艺，规模化后成本优势显著。硅光芯片在光通信领域的渗透率正持续提升。相较传统光模块方案，硅光技术在高速率低功耗及规模化制造方面具备优势并逐步成为800G1.6T等高速光模块的重要术路线根据LightCounting于2025年5月发布的硅光LPO与CPO 着LPO（Linear-drivePluggableOptics）及CPO（Co-PackagedOptics）等新型光互连架构加速落地，硅光技术在光模块市场中的贡献占比预计将由2025年的约30%提升2030年的约60%。与此同时，博通、英伟达、思科、华为及英特尔等产业链头部厂商持续推动硅光技术产业化进程，进一步带动硅光芯片制造与测试相关设备需求增长。图27：硅光模块市场份额LightCounting由于硅光芯片同时集成AI高速互连、先进封装及CPO技术图28：晶圆级测试是硅光制造重要环节联讯仪器招股书

硅光芯片测试需求持续增长，带动相关测试设备市场进入扩容阶段。根据EmergenResearch20246.85亿美元增长至203222.852025-2032CAGR16.48%800G1.6T光模AI图29：球光圆系统场模亿元） 22.8519.5322.8519.5316.7914.1512.7210.789.277.855.896.853.494.164.8320 20%15 15%10 10%5 5%0 0%2020202120222023202420252026E2027E2028E2029E2030E2031E2032E市场规模（亿美元） 同比增速（%）EmergenResearch积累+LUCEDA经验+浙大合作LUCEDA核心产品为EDAPythonAnsysLumerical、SiemensEDA等主流工业软件协AWGDesignerLucedaDRCIPManagerCircuitAnalyzer（AWG）IP升的积累，LUCEDA正助力构建覆盖设计、制造到测试的全流程解决方案，成为硅光产业链布局中的关键一环。图30：LUCEDA光子设计自动化软件公司年报产品类型 核心功能表11：LUCEDA主营产品类型与功能产品类型 核心功能光电子芯片设计自动化软件IPKISSAWGDesignerIP管理IPManagerCircuitAnalyzer

硅光芯片器件和电路自动化设计软件，用户可以使用Python在IPKISS中实现光电子芯片设计、仿真、验证和优化的开发全流程，主要功能包括器件设计、线路设计、设计验证及流片准备。AWG)的设计模块，为阵列波导光栅(AWG)到可制造版图的集成化设计环境。该工具通过全设计阶段的专业技术支持与精准控制，实现以下功能：-AWG高层级规格定义-AWG物理结构合成-仿真与验证-通过DRC的版图生成能够快速实现光电子设计IP自动测试和验证自动化，可在各种条件下测试和验证光子IP构建模块，例如：-可视化一键创建PDK项目-工艺信息一键导入-版图测试(GDSII，XML)-网表测试(版图vs.网表，网表vs.网表)-S参数测试-器件性能测试(性能指标)-虚拟制造测试利用先进的电路分析功能，评估真实工作条件下的电路性能、分析设计容差并预估良率，提供以下分析方法：-参数扫描分析(TracerAnalysis)-工艺角分析(CornerAnalysis)-蒙特卡洛分析(MonteCarloAnalysis) -版图感知蒙特卡洛分析(Layout-awareMonteCarloAnalysis) 专门针对硅光子芯片设计的物理验证模块，旨在确保复杂的光电子版图在提交晶圆厂制造前完全符合工艺设计规则。该工具将验证流程无缝集成在设计环境内，可以实现以下功能：光子设计规则检查模块LucedaDRC合作接口公司年报

-设计规则提前校验：针对最小间距、最小宽度、包层重叠等物理规则进行自动化检查-交互式错误定位：通过可视化界面快速定位版图中的违规点-自定义规则集扩展：支持用户根据特定工艺或内部标准，灵活编写和扩展复杂的校验规则-支持与主流代工厂DRC，确保生成符合制造要求的GDSII文件可与其他上下游软件一键连接，主要接口有：-LinkforAnsysLumerical-LinkforTidy3D-Linkfor3DSSimulia-LinkforSiemensEDA-LinkforCheckMateDRC-OptiLUCEDACosimLUCEDA硅光产业发展目前全链路成熟度联手，可针对上述痛点问题，聚焦光电融合场景需求，解决工具链破碎的问题；CPO”司正在研发针对硅光的测试设备，预计未来可在硅光芯片领域形成软硬结合的产业布局。此外，公司与浙江大学签署《共建“浙江大学-1500图31：购LUCEDA切入硅芯领域 公司年报盈利预测与估值盈利预测3EDA售，长期具备增长潜力。此外，公司收购切入硅光赛道，开启第二成长曲线。测试设备及配件：2023-20257990109486429416万元/2026-2028年分别出货150、200、300台，单价分别为430、480、500万元/2026-20286.45、9.60、15.00亿元。软件开发及授权：2024-202570%、75%，主要原因为国产先进工艺迭代的良率提升与开发带来的需求。预计未来3EDA软件及开发项目与下游研（与扩产产量弱相关2026-2028年15%3.20、3.68、4.23亿元。2026-202815%的增速，409、470、541万元。2026-202860%52%、53%、54%；由于2023-20252026-202875%78%44%。表12：分业务收入及毛利率预测（单位：百万元人民币）单位：百万人民币2022A2023A2024A2025A2026E2027E2028E营业总收入35647854773596913321928-yoy79%34%14%34%32%38%45%毛利率68%60%62%58%60%60%60%测试设备及配件2443843864536459601500-yoy142%58%1%17%42%49%56%出货量（台）517990109150200300单价（万元）478486429416430480500毛利率54%52%52%50%52%53%54%软件开发及授权11293159278320368423-yoy%-%%%%%%毛利率98%95%86%70%75%78%80%测试服务及其他0024455-yoy-59%475%361%119%15%15%15%毛利率76%83%48%44%44%44%44%期间费用预测：费用相对刚性，收入放量带来规模效应。销售费用： 绑定下游晶圆厂客户收入放量主要来自客户采购量和品类增加，市场开拓压力不大。因此，我们预计销售费用率将会逐步下降，预计2026-2028销售费用率为7.0%、6.5%、6.0%，对应0.68、0.87、1.16亿元。2026-20287.0%、5.5%、5.0%0.68、0.73、0.96亿元。EDA2026-20283.88、5.00、7.04亿元。可比公司估值表13：分部估值表

2026-20289.6913.3219.281.50、2.12、3.10亿元。考虑到公司软件业务尚PSCAE股份。测试服务及其他目前收入体量占比过低，对整体估值影响较小，暂不考虑。首次覆盖，给予“买入”评级。2026年，软件及板块可比公司平均PS36xPS44x36x11544xPS28126年目标市396亿元，较当前市值仍有较大上行空间，给予“买入”评级。股票代码股票简称2026/6/29总市值（亿元）2025A收入（亿元）2026E 2027E2028E2025APS2026E2027E2028E301095.SZ广立微2087.39.7 13.319.328211611301269.SZ华