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资讯三场效应晶体管MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称场效晶体管是一种单极型电压全控器件，具有输入阻抗高、工作速度快（开关频率可达500kHz以上）、驱动功率小且电路简单、热稳定性好、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点，在各类开关电路中应用极为广泛。
1.MOSFET的结构与工作原理MOSFET是三端器件，具有栅极（G）、源极（S）和漏极（D），其种类和结构繁多，按导电沟道可分为P沟道型和N沟道型，如图4-6所示。当栅极电压为零时，漏源极间存在导电沟道的称为耗尽型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。在MOSFET中，应用较多的是N沟道增强型。资讯三场效应晶体管图4-6MOSFET的外形、结构和电气图形符号2.功率MOSFET的开关特性图4-7（a）是用来测试P-MOSFET开关特性的电路，图中Up为矩形波信号源，RS为信号源内阻，RG为栅极电阻，RL为漏极负载电阻，RF用于检测漏极电流。图4-7（b）所示为P-MOSFET的开关特性曲线，图中UGS是栅极电压波形，ID是漏极电流波形，td(on)是开通延迟时间，tr是上升时间，td（off）是关断延迟时间，tf是下降时间。资讯三场效应晶体管
如图4-7（b）所示，功率MOSFET的开通时间定义为：开通时间ton为开通延迟时间td（on）与上升时间之和，即ton=td（on）+tr功率MOSFET的关断时间定义为：关断时间toff为关断延迟时间td（off）与下降时间tf之和，即toff=td（off）+tf
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