CN114664688B 对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2021057246A1,2021.US2021003391A1,2021对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法一种方法包括产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束。第一辐射射束具有第一射束面所述方法还包括基于第一辐射射束的所测量的反射部分判断工件载具的第一槽是否正容纳有2产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，其中所述第一辐射射束具有第一射束面在侧向上位于所述工件载具的第一侧壁与第二侧壁之间且在垂直上位于所述工件载具的向上位于所述工件载具的所述第一侧壁与所述第二侧壁之间且在垂直上位于所述工件载测量所述第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在所述辐射传基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述工件载具的所述第一槽在所述第一辐射射束从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第一搁板垂直延伸至所述第二搁板的第一状态与所述第一辐射射束从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第二搁板垂直延伸至所述第三搁板的第二状态之间来调整所述第一辐2.根据权利要求1所述的检测方法，其中如果确定所述工件载具的所述第一槽正容纳基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来确定所述工件在所述第一槽中的3.根据权利要求1所述的检测方法，其中所述第一搁板的第一段沿着所述工件载具的4.根据权利要求1所述的检测方法，其中如果确定所述工件载具的所述第一槽未容纳产生朝所述工件载具的所述第一槽的第二辐射射束，其中所述第二测量所述第二辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反射基于所述第二辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述工件载具的所述第一槽6.根据权利要求1所述的检测方法，其中所述第一射束面积跨越所述工件载具的所述基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述一个或多个额外的槽中基于判断所述工件载具的所述第一槽是否正容纳有工件的结果来产生3使用辐射源产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，使用辐射传感器测量所述第一辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述辐射使用传感器控制电路系统基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所使用第一致动器沿着从所述工件载具下方延伸到所述工件载具上方的垂直轴线垂直使用所述辐射源产生朝所述工件载具的第二槽的第二辐射射束，使用所述辐射传感器测量所述第二辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述使用所述传感器控制电路系统基于所述第二辐射射束的所测量的所述反射部分来判使用所述传感器控制电路系统产生第一工件载具标绘图，所述第一工件使用一个或多个第二致动器移动聚焦装置来调整所述第一辐射射束从所述第一辐射射束单独地包围所述第一槽和所述第二槽的第一状态到所述第二辐射射束共同地包围所9.根据权利要求8所述的检测方法，其中所述第一工件载具标绘图还包括被确定处于使用传送机器人向所述工件载具的空的槽中添加工件，或者使使用所述辐射源产生朝所述工件载具的所述第一槽的第三辐射射使用所述辐射传感器测量所述第三辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述使用所述传感器控制电路系统基于所述第三辐射射束的所述反射部分来判断所述工使用所述第一致动器沿着所述垂直轴线垂直地移动所述辐射源使用所述辐射源产生朝所述工件载具的所述第二槽的第四辐射射4使用所述辐射传感器测量所述第四辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述使用所述传感器控制电路系统基于所述第四辐射射束的所述反射部分来判断所述工产生第二工件载具标绘图，所述第二工件载具标绘图罗列所述确定处于所述工件载具中的每一工件的位置，以判断每使用所述一个或多个第二致动器移动所述聚焦装置来调整所述第一辐射射束使得所述第一辐射射束包围所述工件载具中从最底部槽到最顶部槽的辐射源，被配置成朝工件载具的第一槽产生电磁辐射的第一射辐射传感器，与所述辐射源相邻且被配置成测量所述电磁辐射第一致动器，被配置成沿着从所述工件载具下方延伸传感器控制电路系统，耦合到所述辐射传感器且被配置成基于由第二致动器被配置成移动所述聚焦装置来调整所述第一射束从所述第一射束的从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第一搁板垂直延伸至所述第二搁板的面积使得所述第一射束的所述面积包围所述第一槽的开口的面积的第一状态到所述第一射束的从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第一搁板垂直延伸至所述第三搁板的面积使得所述第一射束的所述面积包围所述第一槽的所述开口的所述面积和所述第二17.根据权利要求16所述的工艺工具，其中所述传感器控制电路系统与所述辐射传感5传送机器人，被配置成将工件移动到所述工件载具的所述第19.根据权利要求18所述的工艺工具，其中所述第一致动器及所述面型图像传感器壳20.根据权利要求18所述的工艺工具，其中所述第一致动器及所述面型图像传感器壳6片上。在多维集成芯片(例如，三维集成芯片(threedimensionalintegratedchip，辐射射束的所测量的反射部分来判断工件载具的第一槽是否正器沿着从工件载具下方延伸到工件载具上方的垂直轴线垂直地移动辐射源及辐射传感器；感器控制电路系统基于第二辐射射束的所测量的反射部分来判断工件载具的第二槽是否到工件载具上方的垂直轴线垂直地移动辐射源及辐射传感器；以及传感器控制电路系统，耦合到辐射传感器且被配置成基于由辐射传感器进行的测量来判断工件载具的一个或多7[0007]图1说明工艺工具的一些实施例的剖视图，所述工艺工具包括用于标绘前开式晶[0008]图2说明工艺工具的一些实施例的三维图，所述工艺工具包括用于标绘FOUP中的[0009]图3说明工艺工具的一些实施例的俯视图，所述工艺工具包括在半导体制作机器[0010]图4及图5说明扫描FOUP的第一槽以判断晶片是否在所述第一槽中的方法的一些[0018]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实自身表示所论述的各个实施例和/或配置之间的阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除图中所绘示的定向以向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地加以解8[0023]本公开的各种实施例涉及一种使用面型图像传感器检测晶片载具中的晶片以提[0024]通过使用面型图像传感器来检测晶片载具中的晶片，可提高晶片检测的准确[0025]图1说明工艺工具的一些实施例的剖视图100，所述工艺工具包括用于标绘FOUP第一致动器104被配置成沿着z轴101z在向上方向104a上及在向下方向104b上移动面型图9[0029]面型图像传感器102被配置成朝FOUP114和/或朝FOUP114中的晶片110产生辐射在FOUP114和/或晶片110上的面积)。举例来说，在一些实施例中，射束面积大于或等于[0031]面型图像传感器102也被配置成测量辐射射束108的从FOUP114和/或FOUP114中统106布置在面型图像传感器102内。传感器控制电路系统106被配置成确定FOUP114的哪些槽被填充及哪些槽是空的。举例来说，传感器控制电路系统106被配置成基于辐射射束108的从第一槽122a和/或第一槽122a中的晶片110朝面型图像传感器102反射回去的反射部分的所测量的强度来判断晶片110是否处于所述多个槽122中的第一[0033]在一些实施例中，传感器控制电路系统106进一步被配置成确定FOUP114的槽122[0034]由于面型图像传感器102产生具有实质上大的面积的辐射，因此朝FOU[0035]图2说明工艺工具的一些实施例的三维图200，所述工艺工具包括用于标绘FOUP图像传感器壳体202内的辐射源204及布置在面型图像传感器壳体202内的辐射传感器206。208可以是或包括玻璃盖等。在这些实施例中，辐射源204发射透过透明层208的辐射射束器壳体116内布置在传送机器人304上的面型图像传[0041]在一些实施例中，传送机器人304被配置成在一个或多个处理腔室308与FOUP114着y轴101y在处理腔室308与FOUP114之间移动传送机器人304及面型图像传感器102。在图[0045]图4及图5说明扫描FOUP114的第一槽122a以判断晶片110是否处于第一槽122a中一射束的从第一槽122a中的晶片110反射的反射部分108r。在一些实施例中，辐射传感器206还测量第一射束的从FOUP114的界定第一槽122a的一部分(例如，FO一射束的从FOUP114的界定第一槽122a的一部分反射的反射槽122a中的位置可允许传感器控制电路系统判断晶片是否恰当地安放在第一槽[0054]图7到图9说明用于标绘FOUP114中的晶片110的方法的一些实施例的剖视图700[0055]如图7的剖视图700中所示，面型图像传感器102位于第一高度处且面型图像传感器102扫描FOUP114的第一槽122a。所述扫描包括产生(例如，使用辐射源)朝第一槽122a第一槽122a的开口的面积。所述扫描还包括测量(例如，使用辐射传感器)第一辐射射束[0056]在一些实施例中，可在产生第一辐射射束108a之前和/或在产生第一辐射射束基于第二测量(例如，第二辐射射束108b的所测量的反射部分)判断晶片(例如，第二晶片[0058]在一些实施例中，可在产生第二辐射射束108b之前和/或在产生第二辐射射束藉由第一致动器104)到第三高度且面型图像传感器102扫描FOUP114的第三槽122c。所述[0060]在一些实施例中，可在产生第三辐射射束108c之前和/或在产生第三辐射射束晶片标绘图还可包括关于被确定处于FOUP114中的晶片110中的每一者的位置信息。举例来说，晶片标绘图可罗列哪些晶片110恰当地安放在FOUP114中和/或哪些晶片110不恰当114中，则可通过传送机器人(例如，图3的304)重新安放所述一个或多个未恰当安放的晶[0063]图10说明用于标绘FOUP114中的晶片110的方法的一些替代实施例的剖视图[0064]如图10的剖视图1000中所示，面型图像传感器102同时扫描FOUP114的第一槽第二槽122b的开口及第三槽122c的开口的组合面积。所述扫描还包括测量第一辐射射束108a的朝面型图像传感器102的辐射传感器(未示出)反射回去并照射在面型图像传感器则传感器控制电路系统106可基于第一测量进一[0080]如图12的剖视图1200中所示，将面型图像传感器102定位在第一高度处且面型图器控制电路系统106基于第一测量(例如，第一辐射射束108a的所测量的反射部分)判断晶[0081]如图13的剖视图1300中所示，将面型图像传感器102垂直地移动到第二高度且面型图像传感器102扫描FOUP114的第二槽122b。所述扫描包括产生朝第二槽122b的第二辐所述扫描还包括测量第二辐射射束108b的朝面型图像传感器102反射回去的反射部分(未反射部分)判断晶片110是否处于第二槽12[0082]如图14的剖视图1400中所示，将面型图像传感器102垂直地移动到第三高度且面型图像传感器102扫描FOUP114的第三槽122c。所述扫描包括产生朝第三槽122c的第三辐所述扫描还包括测量第三辐射射束108c的朝面型图像传感器102反射回去的反射部分(未反射部分)判断晶片110是否处于第三槽12[0084]如图15的俯视图1500及图16的剖视图1600中所示，将一个或多个晶片110添加到机器人304可基于第一晶片标绘图获悉哪[0086]如图17的剖视图1700中所示，将面型图像传感器102移动到第一高度且面型图像传感器102扫描FOUP114的第一槽122a。所述扫描包括产生朝第一槽122a的第四辐射射束描还包括测量第四辐射射束108d的朝面型图像传感器102反射回去的反射部分(未示出)。[0087]如图18的剖视图1800中所示，将面型图像传感器102移动到第二高度且面型图像传感器102扫描FOUP114的第二槽122b。所述扫描包括产生朝第二槽122b的第五辐射射束描还包括测量第五辐射射束108e的朝面型图像传感器102反射回去的反射部分(未示出)。[0088]如图19的剖视图1900中所示，将面型图像传感器102移动到第三高度且面型图像传感器102扫描FOUP114的第三槽122c。所述扫描包括产生朝第三槽122c的第六辐射射束描还包括测量第六辐射射束108f的朝面型图像传感器102反射回去的反射部分(未示出)。片标绘图罗列哪些槽当前正容纳有晶片及哪些槽是空的(例如，以反映第二槽122b的新状新的晶片标绘图反映图15及图16中所说[0091]尽管图17到图19说明按照与图12到图14中的扫描次序相同的次序对槽中的每一[0092]尽管图17到图19说明在已添加和/或移除所述一个或多个晶片之后对FOUP114的所测量的所述反射部分来判断所述一个或多个额外的槽中的每一个槽是否正容纳有工件。控制电路系统基于所述第一辐射射束的所测量的反射部分判断所述工件载具的所述第一述第二辐射射束的所测量的反射部分判断所述工件载具的所述第二槽是否正容纳有工件。的空的槽中添加工件，或者使用所述传送机器人从所述工件载具的已填充的槽移除工件。传感器测量所述第三辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反感器测量所述第四辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反射第二工件载具标绘图，所述第二工件载具标绘图罗列所述工件载具的哪些槽正容纳有工器被配置成沿着从所述工件载具下方延