CN114726318B 用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法 （硅实验室公司）

201611102664.42016.11.29JP2009210993A,2009.09.17US8400337B1,2013.03.19用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并2差分放大器，所述差分放大器包含第一场效应晶体管即第一FET和第二场效应晶体管偏移修正电路，所述偏移修正电路包含以源极跟随器配置耦合的第三FET和第四FET，一FET的所述主体提供第一偏移修正信号并为所述第二FET的所述主体提供第二偏移修正2.根据权利要求1所述的装置，其中将所述第一偏移3.根据权利要求2所述的装置，其中将所述第二偏4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一FET的所述第一跨导取决于所述第一FET5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第二FET的所述第一跨导取决于所述第二FET8.根据权利要求1所述的装置，其中所述偏移修正电路移修正信号并且为所述第二FET的所述主体提供所述第二第一差分放大器，所述第一差分放大器包含第一P型金属氧化物半导体晶体管即第一PMOS晶体管和第二P型金属氧化物半导体晶体管即第二PMOS晶体管，所述第一晶体管具有第一偏移修正电路，其适应地修正所述第一差分放大器移修正电路包括以源极跟随器配置耦合的一对场效应晶晶体管的所述主体和所述第二PMOS晶体管的所述主体提供第一偏移修正信号和第二偏移11.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述第一偏移修正信号和所述第二偏移修正信号响应于施加到所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅第二差分放大器，所述第二差分放大器耦合到所述第一轨对轨功能，所述第二差分放大器包括第一N型金属氧化物半导体晶体管即第一NMOS晶体313.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述第二偏移修正电路分别向所述第一NMOS晶体管的所述主体和所述第二NMOS晶体管的所述主体提供第一偏移修正信号和第二14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第二偏移修正电路的所述第一偏移修正信号和所述第二偏移修正信号响应于施加到所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体15.一种修正包括第一场效应晶体管即第一FET和第二场效应晶体管即第二FET的差分通过使用偏移修正电路来生成第一偏移修正信号，所通过使用所述偏移修正电路来生成第二偏移修将所述第二偏移修正信号应用到所述差分放大器中的所述第18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一FET的所述跨导取决于所述第一FET的19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二FET的所述跨导取决于所述第二FET的4修正电路向第一FET的主体提供第一修正信号并为第二FET的主体提一电流源的第三和第四晶体管。该偏移修正电路进一步包括一组开关和一组电阻器的网[0008]根据另一说明性实施例，公开了一种修正包括第一和第二场效应晶体管(FET)的号，并且生成第二偏移修正信号。该方法还包括将第一偏移修正信号应用到第一FET的主5[0009]附图仅说明示例性实施例并且因此不应该被认为是限制本申请或权利要求的范[0016]所公开的概念总体涉及用于电子电路系统中的偏移(offset)修整的装置和方此外或替代地，各种元件或组件之间的失配(或各个组件组或元件组之间或之中的失配条[0021]所公开的概念的一个方面涉及用于电子电路系统中的偏移修正或修整(诸如上述6[0023]图1根据示例性实施例说明用于偏移修正的电路布置100。电路布置100包括IC别被标记为109A和109D的其他电路系统。晶体管106A-106B的源极耦合到IC103中分别被他电路系统109A-109D中的电路系统的质量和数量取决于诸如电路布置100的期望或特定[0025]如本领域普通技术人员将理解的，晶体管106A-106B的栅极由电路系统(未示出)的栅极的电路系统的细节取决于诸如电路布置100的期和/或电路中的其他电路组件或元件之间的失配可能产生一个或多个偏移信号。因此一般7[0045]如果偏移电压被指代栅极电压vosi，则应用于堆的附加偏移修整或[0049]偏移修正电路112根据以上方程式将vbtrim的值应用于MOSFE[0051]图2根据示例性实施例描述应用偏移修正电压到两个晶体管的堆或主体。更具体8施晶体管106A-106B的结构可以包括特征件(feature)以提供晶体管106A-106B的主体或堆偏移修正电路112分别向晶体管106A-106B提供不同的偏移修正信号(例如，在所示的示例中，不是使用NMOS晶体管，而是可以通过进行适当的修改使用P型MOS(PMOS)晶体管106A-106B。此类修改可以包括反转晶体管106A-106B的漏极和源极、改变偏移修正信号112A-[0063]本公开的另一方面涉及对(多个)偏移修正信号(诸如上述偏移修正电压vbtrim)的9如图1中所示的示例性实施例中的晶体管106A-106B)的堆或主体。改变MOSFET的主体或堆vbtrim)导致该晶体管的阈值电压的变化。考虑到与栅极到源极电压有关的跨导(即gm)取决体所造成的gm的变化在选择偏移修正电路112提供的偏移修正信号的值时可以被考虑。因[0075]本公开的一个方面涉及放大器中的偏移修正。图3根据示例性实施例示出用于放[0076]更具体地，电路配置120包括集成在IC103中的差分放大器(或差分对)分放大器的差分输出电压vo被提供在晶体管106A修正信号112A-112B分别应用到晶体管106A-106B的堆或主体修整或修正差分放大器中的[0083]在示例性实施例中，偏移修正电路112可以以多种方式来实施以适应各种期望的[0084]图4根据示例性实施例描述用于偏移修正的电路布置130。电路布置130将偏移修[0085]再次参考图4，偏移修正电路112向晶体管106A的堆或主体提供偏移修正信号[0088]再次参考图4，晶体管136A-136B被耦合以接收与晶体管106A-106B相同的输入电[0090]由于晶体管136A-136B具有与晶体管106A-106B的栅极电压相同的各自的栅极电施加到晶体管136A-136B的栅极)的[0091]换句话说，晶体管136A-136B以差分源极跟随器配置(differentialsource[0096]偏移修正电压112A-112B(分别表示为vb+和vb-)由包括耦合到一组电阻器112R的一组开关112S的开关和电阻器的网络中的抽头节点推导。如上所提出的，偏移修正电压[0097]偏移修正电压112A-112B的量级由开关112S和电阻器112R的网络中的断开和闭合的开关的数量和位置部分地确定。由于由电流源133提供的电流I，断开或闭合该组开关112S中的各个开关在该组电阻器112R中的一个或多个电阻器两端产生相应的压降。因此，通过闭合或断开该组电阻器112S中合适的开关，偏移修整电压112A-112B的量级可以被设管136A-136B等)的测量特性，开关112S的状态可以在该电路的测试阶段期间被控制或设[0101]作为另一示例，开关112S的状态可以在电路的操作期间(例如由电路、IC等的用户)被控制或设置以提供附加的灵活性(例如，如果用户决定改变晶体管106A-106B的操作方向被反转等。偏移修正电路112分别向晶体管106A-106B的堆或主体提供偏移修正信号[0109]二极管连接型NMOS晶体管165具有与PMOS晶体管160相同(或者由于电路缺陷而近体管170具有与NMOS晶体管165相同(或者由于电路缺陷而近[0110]电流布置150也包括偏移修正电路112P和偏移修正电路112N。偏移修正电路112P修正电路112N向包括NMOS晶体管106AN-106BN的差分放大器提供偏移修正信号112AN和[0112]再次参考图6，考虑偏移修正电路112P如图4所示的那样实施并且偏移修正电路和包括NMOS晶体管106AN-106BN的差分放大器之间导引时，偏移修正电路112P和偏移修正电路112N中相应的PMOS和NMOS晶体管的DC偏置分别不变化。因此，偏移修正电压112AP、器被描述，然而偏移修正电路112P-112N可以通过进行适当的修改被用于其他类型的电路布置和电子电路系统。本文档中描述的一些示例(其涉及诸如差分对的放大器中的偏移修了本文所描述的那些，其他修改或替换性实施例对本领域普通技术人员来说将是明