CN114975702B 一种红光Micro LED外延结构及其制作方法 （厦门未来显示技术研究院有限公司）

司炬园火炬路56-58号火炬广场南楼本申请公开了一种红光MicroLED外延结构22.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延3.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延4.根据权利要求3所述的红光MicroLED外延结构，其特征在5.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延6.根据权利要求5所述的红光MicroLED外延结构，7.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延8.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延结所述P_InGaN层的Mg掺杂浓度为1_5x1018设置在所述衬底与所述缓冲层之间的未掺杂AlN低设置在所述接触层背离所述P_GaN层一侧表设置在所述电流扩展层背离所述缓冲层一侧表34[0001]本发明涉及半导体光电子技术领域，尤其是涉及一种红光MicroLED外延结构及入效率低，影响发光效率，其他的包括应力累积，强极化电场等，也是目前InGaN基红光5[0014]优选的，在上述的红光MicroLED外延结构中，所述第一量子垒层为GaN_AlxGa1_[0018]优选的，在上述的红光MicroLED外延结构中，所述第二量子垒层为GaN_AlxGa1_[0028]本发明实施例还提供一种红光MicroLED外延结构的制作方法，所述制作方法包[0032]通过上述描述可知，本发明技术方案提供的红光MicroLED外延结构及其制作方6[0038]图4_图12为本发明实施例提供的一种红光MicroLED外延结构的制作方法工艺流[0045]本发明中，所用设备为MOCVD（金属有机化合物化学气相淀积以三甲基镓2[0046]参考图1和图2，图1为本发明实施例提供的一种红光MicroLED外延结构的示意7晶体质量。[0057]设置在所述衬底10与所述缓冲层12之间的未掺杂AlN低温成核层11，所述未掺杂<x＜1；层；所述第二量子垒层的厚度为15_20nm，如可以为18nm，所述第二量子阱层的厚度为2_8[0064]其中，所述红光阱153采用脉冲通Al的生长方式，脉冲间隔为t0，生长时间为5_光阱153的InGaN中In组分大于所述绿光阱152的I[0068]基于上述实施例，本发明另一实施例还提供一种红光MicroLED外延结构的制作为本发明实施例提供的一种红光MicroLED外延结构的制作方[0073]在步骤S12中，首先如图5所示，将蓝宝石衬底放入MOCVD反应室中，温度设置为石衬底上生长厚度为10nm的未掺杂AlN9所述蓝光阱151、绿光阱152和红光阱153依次沉积在所述电流扩展层13背离所述缓冲层12[0077]所述蓝光阱151包括多层交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层，生长周期为xN_GaN量子垒层背离所述电流扩展层13的一侧表面生长厚度为2_4nm的第一量子阱层，即xN_GaN量子垒层背离所述蓝光阱151的一侧表面生长厚度为2_4nm的第二量子阱层，即光阱153中InGaN的In组分大于所述绿光阱152的In[0082]4、继续通入Ga源，在所述红光阱153背离所述绿光阱152的一侧表面生长厚度为15_20nm的第三量子垒层，即GaN_AlxGa1_xN_GaN量子垒层；接着再通入In源，在所述GaN_AlxGa1_xN_GaN量子垒层背离所述红光阱153的一侧表面生长厚度为2_4nm的第三量子阱层，述LQB层17背离所述多量子结构15的一侧表面生长P_InGaN层181，掺杂浓度为1_5x1018cmIn源，在所述P_InGaN层181背离所述LQB层17的一侧表面生长未掺杂的U_GaN层镁，在所述空穴注入层18背离所述LQB层17的一侧表面生长P_GaN层19，厚度可以为100~围下850~900℃退火20~30分钟。在所述电流扩展层13背离所述缓冲层12的一侧表通过减少累积应力，增加电子空穴波函数交叠提升发光功率。较薄的LQB层与P_InGaN/U_[0098]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申