CN115036400B 一种微发光二极管外延结构及其制备方法 （湖北三安光电有限公司）_第1页
CN115036400B 一种微发光二极管外延结构及其制备方法 （湖北三安光电有限公司）_第2页
CN115036400B 一种微发光二极管外延结构及其制备方法 （湖北三安光电有限公司）_第3页
CN115036400B 一种微发光二极管外延结构及其制备方法 （湖北三安光电有限公司）_第4页
CN115036400B 一种微发光二极管外延结构及其制备方法 （湖北三安光电有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩19页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

202080002983.62020.03.09本发明提出一种微LED外延结构，该外延结括n个周期的量子阱结构，每一个周期的量子阱LED，可实现峰值光电转换效率对应电流密度低22.根据权利要求1所述的一种微LED外延结构，7.根据权利要求1所述的一种微LED外延结构，3第三发光区阱层的In组分的含量介于第一发光势垒层、第二势垒层、第三势垒层为全部或部分n型掺杂，n型掺杂的浓度为1E17/cm2~20.一种微发光二极管，其特征在于，其包括前述21.根据权利要求20所述的一种微发光二极4效率在低电流密度区间内、光电转换效率稳定的LED外延片。专利CN107833953A提出的一[0004]为了解决现有技术中存在的问题，本发明旨在提供一种微LED外延结构及其制备5678高生产效率的同时，通过调整不同生长温度区间的势垒层长速，改善MQW区材料的晶体质埃，第一势垒层7A生长结束后，升温10~50℃生长第二势垒层7B，第二势垒层材料为掺Si9速率小于等于第三发光区和第一发光区阱层的生长速率，目的是为了通过靠近P型侧的发2下降至0.7A/cm2。

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论