CN115050813B 一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法 （电子科技大学）_第1页
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仿真研究.中国优秀硕士学位论文全文数据库一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的窗口一次性干法刻蚀实现深度依次变浅的阶氟离子注入形成栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端，同时实现了增强型和提高器件耐注入到钝化层中而非直接注入到势垒层AlGaN2步骤3：采用刻蚀工艺刻蚀介质钝化层(5)的两端，并在AlG区仅在介质钝化层(5)内，介质槽与氟离子注入区共同构成渐变掺杂阶梯氟离子终端(8)；2.根据权利要求1所述的一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方3.根据权利要求1所述的一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方4.根据权利要求1所述的一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方5.根据权利要求1所述的一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方6.根据权利要求1所述的一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方7.根据权利要求1所述的一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方3着从源极到漏极的方向依次变窄的多个窗口90～9N，其中最靠近源极的窗口与栅槽7在竖4[0014]作为优选方式，渐变掺杂阶梯氟离子终端8中的各个氟离子区域81～8N在器件横[0015]作为优选方式，渐变掺杂阶梯氟离子终端8中的各个氟离子区域81～8N在器件横依次变小的窗口一次性干法刻蚀实现深度依次变浅的阶梯槽，最后进行一次性氟离子注5着从源极到漏极的方向依次变窄的多个窗口，其中最靠近源极的窗口与栅槽7在竖直方向67

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