CN115085705B 一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法 （清华大学）_第1页
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CN115085705B 一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法 （清华大学）_第3页
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文档简介

一种功率半导体器件的驱动保护电路及控本发明提供了一种功率半导体器件的驱动或实现门极与阴极之间电位差小于功率半导体2所述开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元相互并联，所述静态保护单元为多个开关元件并联电路或多个开关元件串并联电路或多个开关所述多个开关元件与单向流通元件串并联电路包括并联的第一支6.一种功率半导体器件的驱动保护电路的控制方法，用于权利要求1-5任一项所述的3在上电过程中，先由静态保护单元和动态保护单元运行，上在下电之前，由开通及关断模块保证功率半导体器件门极7.根据权利要求6所述的一种功率半导体器件的驱动保护电路的控制方法，其特征在用于保证功率半导体器件阳极出现较大的瞬时电压时功率半导体器件的门极电位低于阴4过程期间，驱动无法为期间提供可靠的低于阴极电位的门极电位，从而器件能够耐受电压及电压变化率的能力将不能达到额定值。因此，不含驱动保护电路的器件需要外界对驱动体器件阳极出现较大的瞬时电压时功率半导体器件极易5一支路设置有第一开关元件S1，且第一支路两端分别与功率半导体器件的门极与阴极连6态保护单元均用于保证功率半导体器件阳极出现较大的瞬时电压时功率半导体器件的门7[0048]进一步地，如图3所示，多个开关电路串并联电路包括并联的第一支路和第二支8与器件本身阳极结构的结合导致器件失去反向阻断能力，在某些特殊工况下避免反向通9D3能够防止在驱动完全失电期间静态保护单元与器件本身阳极结构的结合导致器件失去[0067]进一步地，驱动保护电路包括静态保护单元和动态保护单元中的一种或二者组[0069]需要说明的是，静态保护单元实现方案可由多个开关元件及单向通流元件串联、单元均用于保证功率半导体器件阳极出现较大的瞬时电压时功率半导体器件的门极电位[0083]若功率半导体器件的驱动保护电路仅包含静态保护单元，或仅包含静态保护单

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