CN115841937B 炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法 （株式会社国际电气）

第二密封部件与该上侧入口部连接；以及固定在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的2上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于反应管的下部第二突部，其设置于所述反应管的下端，且以不与所述下侧所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部所述反应管的设置有所述排气管的部分的厚度比其所述上侧入口部的所述流路配置于所述第一突上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于反应管的下部第二突部，其设置于所述反应管的下端，且以不与所述下侧3所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部具有制冷剂供给部，该制冷剂供给部向所述上侧入口部具有控制部，该控制部能够根据所述加热机构的设定温度，控制部，其根据所述加热机构的设定温度对设置于所述下侧入口部的加热器进行控上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于所述反应管的下部4第二突部，其设置于所述反应管的下端，且以不与所述下侧所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方，5[0002]作为半导体装置的制造工序的一工序，进行在基板上形成膜的处理(例如参照专[0020]图3是表示本公开实施方式中优选使用的反应管的下端即排气管的连接的炉口部[0022]图5是本公开实施方式中优选使用的基板处理装置的控制器的概要结构图，是表6[0031]如图1所示，基板处理装置100的处理炉202具有作为加热单元(加热机构)的加热管(Outertube)2031和在外管2031内部设置的内管(Innertube)2032构成。反应管203的圆筒形状。在内管2032的筒中空部形成有处理室201，且构成为能够将作为基板的晶圆[0033]在反应管203的下方设置有对处理室201内的气氛进行排气的排气管231。在排气管231上经由作为压力检测器的压力传感器245和作为压力调整器的APC(AutoPressure开闭来对处理室201内进行真空排气或者停止真空排气，且构成为能够调整阀开度来调整口部209由上侧入口部2091和下侧入口部2092构成且分别形成为上端和下端开口的圆筒形状的空间从内管2032的下部沿着上部的内壁朝向晶圆200的装载方向立起。在第一喷嘴7[0037]上侧入口部2091设置为从下侧对在外管2031的下端部设置的突出部(也称为第一突部或凸缘)203A进行支撑。在上侧入口部2091的上表面与外管2031的突出部203A的下表[0039]固定环(也称为环部)229设置在上侧入口部2091的上侧和外管2031的突出部203A的上侧。在上侧入口部2091的上侧设置的固定环229构成为与上侧入口部2091连结并从上[0040]在上侧入口部2091和固定环229的内部分别设置能够流通液体(例如水)等的冷却203B构成为能够将上侧入口部2091的内壁2091b的至少一部分覆盖。突出部203B构成为以不与下侧入口部2092的上表面2092c抵接且将上侧入口部2091的内壁2091b覆盖的方式向口部2091的内壁2091b之间的距离减小(或缩窄)，从而能够抑制上侧入口部2091的内壁[0043]构成为使突出部203B与上侧入口部2091的内壁2091b接近而使得上侧入口部2091[0044]在下侧入口部2092的下方(下端)设置有作为炉口盖体的密封盖(也称为盖体)8在密封盖219的上表面设置有作为第三密封部件的O型环220c，该O型环220c与下侧入口部[0045]入口加热器207a、温度传感器(也称为温度开关)208设置于下侧入口部2092的外壁2092a的外侧。入口加热器207a被用作对下侧入口部2092的外壁2092a进行加热的加热够对下侧入口部2092的外壁2092a进行加热，因此能够抑制由于来自被冷却介质冷却的上[0046]在密封盖219的与处理室201的相反侧设置有使后述的晶舟217旋转的旋转机构舟217旋转而使晶圆200。晶舟217和密封盖219构成为能够利用在反应管203外部配置的作侧入口部2092等)处于预定的温度范围的[0051]如图5所示，控制部(控制单元)即控制器280由计算机构成，该计算机具备：CPU9量分别进行控制的作为流量控制装置的未图示的MFC(质量流量控制器)和开闭阀、压力传[0054]CPU280a从存储装置280c读取控制程序并执行，并且构成为按照从输入输出装置控制。CPU280a构成为能够根据来自温度传感器208的信号来执行对入口加热器207a的控温度)、与上侧入口部2091的预先指定的部分和下侧入口部2092的预先指定的部分的温度在下侧入口部2092设置的入口加热器207a。加热器207的设定温度例如若为第一温度(T1)2092a进行加热，从而能够提供一种抑制了冷却介质对上侧入口部2091和下侧入口部2092[0057]这里，所谓预定的温度范围是指：不会在构成炉口部209的各部件附着副产物的(副产物的气化温度)温度以上，并且不会在构成炉口部209的各部件发生金属污染的温度使构成炉口部209的各部件(上侧入口部2091、下侧入口部2092等)处于预定的温度范围的口部2092等)的温度处于预定的温度范围的结构，因此能够抑制在具有二重反应管203207的设定温度(处理温度)、与上侧入口部2091的预先指定的部分和下侧入口部2092的预在下侧入口部2092的外壁2092a设置有入口加热[0061]在图6至图9中示出了在作为炉内加热器示出的加热器207的设定温度为T0(350℃)至T2(850℃)的情况下，并且作为冷却介质的冷却水的温度恒定为50℃时的各部(下侧的搬入工序)，在处理室201内对晶圆200进行氨退火处理，之后连续地进行形成氮化硅[0069]利用晶圆移载装置将多张晶圆200以彼此平行且中心线一致的状态装填于晶舟口加热器207a，将下侧入口部2092和密封盖219的外周缘边部的温度维持于预先设定的预[0073]供给的退火用气体在内管2032的处理室201内上升，从上端开口向由内管2032和[0074]当经过了实施退火处理的预先设定的处理时间后，接下来进行排气以使处理室[0077]供给的成膜气体在内管2032的处理室201内上升，从上端开口向由内管2032和外并开放炉口部209，并且将晶圆200组以被晶舟217保持的状态从炉口部209搬出到反应管[0080](1)构成为使冷却介质流通于在上侧入口部2091和固定环229各自的内部设置的部件(上侧入口部2091和下侧入口部2092)的温度处于预定的温度二突部203B与内壁2091b之间缩小(或变窄)，从而能够抑制内壁2091b的不必要的温度降[0083](4)在下侧入口部2092设置对下侧入口部2092的外壁2092a进行加热的加热部(加却的上侧入口部2091的影响而导致下侧入口部20[0084](5)反应管203(外管2031)构成为，设置排气管231的部分的厚度(t1)比其它部分[0085](6)设置有与下侧入口部2092经由第三密封部件220c连接的盖体219，由反应管[0086](7)上侧入口部2091和环部(固定环229)的截面形状为コ字形状(横倒的U字形[0087](8)反应管203具有：在内部设置有对基板200进行处理的处理室20[0088](9)对下侧入口部2092的内壁进行了涂覆处理。由于对构成炉口部209的各部件[0090](11)在下侧入口部2092设置对下侧入口部2092的外壁2092a进行加热的加热部冷却的上侧入口部2091的影响而导致下侧入口部20控制部280，其构成为当下侧入口部2092的外壁2092a的温度成为比预先设定的温度(例如体)冷却的上侧入口部2091的影响而导致下侧入口部2092的侧入口部2092等)处于预定的温度范围(这里为180℃~350℃)的结构。件(上侧入口部2091、下侧入口部2092等)的温度控制于预定的温度范围(这里为180℃~口部209的各部件(上侧入口、下侧入口等)处于预定的温度范围(这里为180℃~350℃)的质对上侧入口部2091和下侧入口部2092的内壁的过度冷却[0095]本公开不限于半导体制造装置，也能够用于对LCD装置等的玻璃基板进行处理的[0110]所述第二突部以不与所述下侧入口部抵接且将所述上侧入口部的内壁覆盖的方[0122]利用所述第一密封部件、所述第二密封部件和所述第三密封部件将由所述反应[0155]还具有控制部，其构成为当成为比所述预先设定的温度(例如所述加热部的设定