【答案】《半导体物理》(电子科技大学)章节期末中国大学慕课答案

第一章半导体的晶体结构与价键模型第一章半导体的晶体结构与价键模型测试题1.单选题：Ge半导体的晶体结构是（）。

选项：

A、由单个Ge原子形成的面心立方组成的金刚石结构；

B、由两个Ge原子各自形成的简单立方沿着体对角线1/4套构成的纤锌矿结构；

C、由两个Ge原子各自形成的面心立方沿着体对角线1/4套构成的金刚石结构；

D、由两个Ge原子各自形成的面心立方沿着体对角线1/4套构成的闪锌矿结构；

答案：【由两个Ge原子各自形成的面心立方沿着体对角线1/4套构成的金刚石结构；】2.单选题：Si半导体晶体中，原子面密度最大的晶面为（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】3.单选题：GaAs半导体中的化学键中具有（）的成分。

选项：

A、离子键

B、键

C、范德华力

D、金属键

答案：【离子键】4.单选题：第三代半导体一般指禁带宽度大于（）的高温半导体材料。

选项：

A、1.12eV

B、1.46eV

C、3.2eV

D、0.66eV

答案：【3.2eV】5.单选题：晶格中重复的最小单元称为（）。

选项：

A、晶胞

B、原胞

C、点阵

D、基元

答案：【原胞】6.单选题：以下选项中正确表达等效晶面的是（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】7.单选题：Si晶体半导体中化学键为（）。

选项：

A、离子键

B、共价键

C、金属键

D、键

答案：【共价键】8.单选题：杂质工程是通过掺入特定杂质来调控半导体的（）和电导能力的工程。

选项：

A、导电类型

B、晶体结构

C、温度特性

D、力学特性

答案：【导电类型】9.单选题：理想的无杂质和缺陷的半导体材料称为（）。

选项：

A、元素半导体

B、晶体半导体

C、本征半导体

D、非本征半导体

答案：【本征半导体】10.单选题：以电子导电为主的半导体称为（）。

选项：

A、施主半导体

B、n型半导体

C、p型半导体

D、受主半导体

答案：【n型半导体】第二章半导体的电子结构第二章半导体的电子结构测试题1.单选题：硅原子核外的最外层电子数为（）。

选项：

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：【4】2.单选题：在量子力学理论中，认为微观粒子有时表现为波动性，有时表现为粒子性，这一性质称为（）。

选项：

A、随机性

B、波粒二象性

C、不确定性

D、多样性

答案：【波粒二象性】3.单选题：半导体的光生载流子一般指在外界条件激励下共价键断裂产生了电子空穴对。下述外部条件不会产生光生载流子的是（）。

选项：

A、有光照且有施加电压

B、有光照但无施加电压

C、无光照但有施加电压

D、无光照且无施加电压

答案：【无光照且无施加电压】4.单选题：在日常生活所发生的下列现象或应用中，主要利用了光与半导体的相互作用的是（）。

选项：

A、避雷针

B、太阳能电池

C、光合作用

D、温室效应

答案：【太阳能电池】5.单选题：量子力学认为，于同一粒子不可能同时确定其坐标和动量，该原理称为（）。

选项：

A、能量守恒原理

B、动量守恒原理

C、海森堡不确定性原理

D、相对性原理

答案：【海森堡不确定性原理】6.单选题：下述关于半导体和金属导体的比较，理解正确的是（）。

选项：

A、用半导体制造的电阻一定比金属导体大

B、半导体中的电子浓度一般比金属导体的小

C、相同电场下，半导体中的电子运动速度比金属导体的慢

D、光电效应不会发生在半导体中

答案：【半导体中的电子浓度一般比金属导体的小】7.单选题：本征半导体中，电子可能处在共价键束缚中，也可能处在准自由导电状态。本征半导体中电子一般不会存在于（）。

选项：

A、价带

B、导带

C、禁带

D、允带

答案：【禁带】8.单选题：原子结合成晶体后，电子可能会在相邻的原子的相似壳层间运动，这种现象称为（）。

选项：

A、共有化运动

B、漂移运动

C、跃迁运动

D、壳间运动

答案：【共有化运动】9.单选题：禁带指的是导带底与价带顶之间的（）区域。

选项：

A、长度

B、体积

C、能量

D、质量

答案：【能量】10.单选题：以下科学家中，对直接推动量子力学的理论完善具有重要意义的是（）。

选项：

A、牛顿

B、法拉第

C、麦克斯韦

D、爱因斯坦

答案：【爱因斯坦】第三章半导体中的载流子"半导体中的载流子的定性描述”测试题1.单选题：热平衡状态时，载流子的浓度值是一定的。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】2.单选题：空穴导电为主的半导体为p型半导体。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】3.单选题：杂质的受主能级位于禁带中央能级的下面。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】4.单选题：浅能级杂质的作用是改变导电能力和改变掺杂类型。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】5.单选题：间接能隙半导体中无直接复合过程。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】6.单选题：陷阱和复合中心都属于深能级，会影响载流子的寿命。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】7.单选题：深能级杂质的能级离导带底和价带顶都较远。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】8.单选题：温度一定时，禁带宽度越大，本征载流子浓度也越大。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】9.单选题：高度补偿Si半导体也可以制备高性能的半导体器件。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】10.单选题：深能级杂质可用于高速高频器件中。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第四章半导体中载流子的定量统计描述“第四章半导体载流子的定量统计描述”测试题1.单选题：三维半导体的导带的状态密度与（）成正比。

选项：

A、能量E

B、体积V

C、电子浓度n

D、空穴浓度p

答案：【能量E】2.单选题：中低掺杂浓度的半导体中，载流子分布可以简化为波尔兹曼分布，该半导体可称为（）。

选项：

A、简并半导体

B、非简并半导体

C、本征半导体

D、n型半导体

答案：【非简并半导体】3.单选题：一定温度下半导体中的电子浓度和空穴浓度之和（）。

选项：

A、等于该温度下的本征载流子浓度的平方；

B、大于该温度下的本征载流子浓度的平方；

C、小于该温度下的本征载流子浓度的平方；

D、不确定；

答案：【不确定；】4.单选题：一定温度下半导体内直接复合的小注入过剩载流子寿命与（）成反比。

选项：

A、多子浓度；

B、少子浓度；

C、过剩载流子浓度；

D、电子浓度n0；

答案：【多子浓度；】5.单选题：半导体中过剩载流子间接复合的四个过程中，电子发射过程是指电子从杂质能级跳跃至（）能级的过程。

选项：

A、导带

B、价带

C、禁带

D、复合中心

答案：【导带】6.单选题：中等掺杂浓度下，n型半导体的载流子满足波尔兹曼分布，不满足费米分布。（）

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】7.单选题：一定温度下，半导体材料的禁带宽度越宽本征载流子的浓度越低。（）

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】8.单选题：半导体材料在强电离温区时无本征激发载流子。（）

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】9.单选题：n型半导体中有效陷阱中心的能级一般出现在费米能级附近微低于费米能级处。（）

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】10.单选题：绝对零度时，电子在半导体费米能级之上的能级的占有概率大于零，小于1/2.

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第六章金属和半导体的接触第六章金属半导体的接触测试题1.单选题：如果在半导体表面形成带负电的耗尽区，此时表面势大于0。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】2.单选题：对于金属-p型半导体形成的金-半接触，Wm>Ws时，半导体表面形成阻挡层。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】3.单选题：理想情况下，金属和半导体材料一定时，金属-半导体接触制成二极管的肖特基势垒高度为一定值。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】4.单选题：金属-n型半导体接触制成的肖特基二极管，外加反向偏压越大，耗尽区宽度越小。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】5.单选题：对于n型半导体，掺杂浓度越高，功函数越大。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】6.单选题：实际工艺中，可利用金属-n+-n结构实现欧姆接触。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】7.单选题：肖特基二极管为多子器件。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】8.单选题：金半接触二极管，半导体掺杂浓度越小，耗尽区宽度也越小。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】9.单选题：外加正向偏压后，半导体内费米能级处处相等。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】10.单选题：反向电场越强，由于镜像力效应引起的势垒降低量越大，金属和半导体两侧的势垒高度均降低。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第五章三维半导体中载流子的电输运“第五章三维半导体中载流子的电输运”测试题1.单选题：空穴的漂移电流的方向，与()相同。

选项：

A、空穴流密度的方向

B、空穴扩散方向

C、空穴浓度梯度方向

D、电场方向

答案：【电场方向】2.单选题：对于工作在低电场下的本征半导体，决定其迁移率的最主要因素是（）。

选项：

A、掺杂浓度

B、温度

C、电场

D、电压

答案：【温度】3.单选题：下列关于硅的空穴电导率的描述正确的是（）。

选项：

A、表示单位电场下的电流大小

B、与电场大小无关

C、只要本征激发不起主导作用，温度越高，则电导率越大

D、室温下，同一块本征硅的空穴电导率比电子电导率小

答案：【室温下，同一块本征硅的空穴电导率比电子电导率小】4.单选题：集成电路中一般优先选择使用n沟道MOSFET而尽量不用p沟道MOSFET，这是因为就电学性能而言，电子迁移率通常（）空穴迁移率。

选项：

A、大于

B、等于

C、小于

D、无法比较

答案：【大于】5.单选题：半导体中载流子在电场下发生的运动称为（）。

选项：

A、漂移运动

B、扩散运动

C、产生机制

D、复合机制

答案：【漂移运动】6.单选题：以下半导体中的现象可以用扩散运动解释的是（）。

选项：

A、光照产生了电子空穴对

B、温度升高后导电能力提高

C、强电场下发生碰撞电离

D、光照后发生了载流子浓度不均匀

答案：【光照后发生了载流子浓度不均匀】7.单选题：已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为，则其掺杂浓度最可能为()。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】8.单选题：对于P型均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与空穴浓度变大的方向相同时，空穴漂移电流密度与空穴扩散电流密度（）。

选项：

A、方向相同

B、方向相反

C、大小相同

D、大小不同

答案：【方向相反】9.单选题：下列情形中，室温下迁移率最小的是()。

选项：

A、含硼、磷的硅

B、含硼、磷的硅

C、含硼、磷的硅

D、本征硅

答案：【含硼、磷的硅】10.单选题：半导体中的电子在运动过程中可能发生散射作用，导致（）变大。

选项：

A、电导率

B、运动速度

C、电子浓度

D、电阻率

答案：【电阻率】第七章半导体表面效应和MIS结构第七章半导体表面效应和MIS结构测试题1.单选题：室温下，对于n型半导体构成的理想MIS结构，当加上一定的外加负电压，使得半导体表面的空穴浓度大于半导体的多子浓度，这时半导体表面的状态是()。

选项：

A、多子积累

B、平带

C、耗尽

D、反型

答案：【反型】2.单选题：室温下，对于某p型半导体构成的理想MIS结构，如果栅极电压为零，则半导体表面处于（）状态。

选项：

A、多子积累

B、平带

C、耗尽

D、反型

答案：【平带】3.单选题：对于p型半导体构成的理想MIS结构，当加上绝对值较大的外加负电压时，半导体表面的状态是()。

选项：

A、多子积累

B、平带

C、耗尽

D、反型

答案：【多子积累】4.单选题：室温下，对于p型半导体构成的理想MIS结构，当加上一定的外加正电压，使得半导体表面的少子浓度大于半导体的掺杂浓度，这时半导体表面的状态是()。

选项：

A、多子积累

B、平带

C、耗尽

D、反型

答案：【反型】5.单选题：室温下，对于p型半导体构成的理想MIS结构，当加上较小的外加正电压时，半导体表面的载流子浓度几乎可以忽略，这时半导体表面的状态是()。

选项：

A、多子积累

B、平带

C、耗尽

D、反型

答案：【耗尽】6.单选题：MIS结构中的“I”是指（）。

选项：

A、金属

B、绝缘体

C、半导体

D、不确定

答案：【绝缘体】7.单选题：在正栅压下，观察到理想MIS结构的高频C-V曲线出现最小饱和值，则半导体为p型半导体。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】8.单选题：开启电压是在低频下使得半导体表面临界强反型时所施加的栅电压。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】9.单选题：MIS结构的电容等效为绝缘层电容与半导体表面电容串联。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】10.单选题：在正栅压下，观察到理想MIS结构的低频C-V曲线出现最大值，则半导体为p型半导体。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】《半导体物理》期末考试《半导体物理》期末测试1.单选题：对于n-Si，减少施主浓度将使得其功函数（）。

选项：

A、变小

B、不变

C、变大

D、不确定

答案：【变大】2.单选题：对于n-Si，减少施主浓度将使得其电子亲合能（）。

选项：

A、变大

B、不变

C、变小

D、不确定

答案：【不变】3.单选题：室温下，某非简并p-Ge，如果其掺杂浓度增加一倍，电场强度不变，则半导体中产生的漂移电流密度将（）。

选项：

A、增加

B、不变

C、减小

D、不确定

答案：【增加】4.单选题：室温下，某非简并半导体，如果其空穴的浓度梯度增加三倍，则半导体中产生的扩散电流密度将增加（）倍。

选项：

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：【3】5.单选题：某n-Si，在恒定的小注入光照下，其非平衡载流子特指（）。

选项：

A、非平衡电子

B、非平衡空穴

C、电子

D、空穴

答案：【非平衡空穴】6.单选题：室温下，对于非简并n型半导体，由于电离杂质散射，施主浓度减少将导致其电子迁移率（）。

选项：

A、变大

B、不变

C、变小

D、不确定

答案：【变大】7.单选题：对于n型半导体构成的理想MIS结构，低频下，半导体表面强反型的时候其表面出现浓度大于体内多子浓度的（）。

选项：

A、空穴

B、电子

C、施主

D、受主

答案：【空穴】8.单选题：室温下，p型半导体构成的理想MIS结构的绝缘层厚度一定时，如果掺杂浓度增加，则其C-V曲线的平带电容的数值将（）。

选项：

A、不变

B、减小

C、增加

D、不确定

答案：【增加】9.单选题：室温下，p型半导体构成的理想MIS结构的掺杂浓度一定时，如果绝缘层厚度减薄，则其C-V曲线的平带电容的数值将（）。

选项：

A、不变

B、增加

C、减小

D、不确定

答案：【减小】10.单选题：对于p型半导体构成的理想MIS结构，当半导体表面多子积累程度较高时，其电容值将达到（）。

选项：

A、最大

B、最小

C、零

D、不确定

答案：【最大】11.单选题：对于补偿半导体，如果其中的施主浓度（）受主浓度，于是补偿之后就得到p型半导体。

选项：

A、大于

B、等于

C、小于

D、不确定

答案：【小于】12.单选题：在p型半导体中，电子陷阱俘获的是（）。

选项：

A、多子

B、少子

C、电离施主

D、电离受主

答案：【少子】13.单选题：Si晶体的导带底电子的有效质量（）价带顶空穴的有效质量。

选项：

A、大于

B、等于

C、小于

D、不确定

答案：【小于】14.单选题：电子浓度（）空穴浓度的半导体称为n型半导体。

选项：

A、大于

B、等于

C、小于

D、不确定

答案：【大于】15.单选题：室温下，某非简并n-Si的掺杂浓度一定，如果其掺杂浓度增加0.5倍，则其本征载流子浓度（）。

选项：

A、增加

B、减少

C、不变

D、以上都不是

答案：【不变】16.单选题：对于非简并的n-GaAs，小注入下，（）施主杂质的浓度能够缩短载流子的寿命。

选项：

A、增加

B、减少

C、不改变

D、不确定

答案：【增加】17.单选题：室温下，具有一定掺杂浓度的某非简并p-Ge，如果其掺杂浓度增加一倍，则半导体的电导率将（）。

选项：

A、不变

B、减少

C、增加

D、不确定

答案：【增加】18.单选题：温度升高，导致禁带变窄，则本征载流子浓度（）。

选项：

A、增加

B、减少

C、不变

D、不确定

答案：【增加】19.单选题：室温下，具有一定掺杂浓度的某非简并n-Si，如果其掺杂浓度增加0.5倍，则其电子浓度（）。

选项：

A、增加

B、不变

C、减少

D、不确定

答案：【增加】20.单选题：室温下，具有一定掺杂浓度的某非简并n-Si，如果其掺杂浓度增加0.5倍，则其空穴浓度（）。

选项：

A、减少

B、增加

C、不变

D、不确定

答案：【减少】21.单选题：面心立方结构的有效原子数是（）。

选项：

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：【4】22.单选题：简立方结构的有效原子数是（）。

选项：

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：【1】23.单选题：金刚石型结构是两个面心立方结构互相沿体对角线滑移（）对角线长度套构而成。

选项：

A、1/2

B、1/3

C、1/4

D、1/5

答案：【1/4】24.单选题：Si晶体的晶体结构是（）。

选项：

A、金刚石型结构

B、纤锌矿型结构

C、闪锌矿型结构

D、钙钛矿型结构

答案：【金刚石型结构】25.单选题：GaAs晶体的晶体结构是（）。

选项：

A、金刚石型结构

B、纤锌矿型结构

C、闪锌矿型结构

D、钙钛矿型结构

答案：【闪锌矿型结构】26.单选题：制备微电子集成电路的材料是（）。

选项：

A、固体

B、液体

C、气体

D、不确定

答案：【固体】27.单选题：从能带图来看，半导体与绝缘体的最大差异在于（）的不同。

选项：

A、导带底

B、价带顶

C、禁带宽度

D、不确定

答案：【禁带宽度】28.单选题：半导体的禁带宽度的负温度系数特征表明，温度升高，半导体的禁带宽度会（）。

选项：

A、变宽

B、变窄

C、不变

D、不确定

答案：【变窄】29.单选题：半导体中有（）种载流子。

选项：

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：【2】30.单选题：能带三要素是指导带底、价带顶和禁带宽度。其中，最为重要的是（）。

选项：

A、导带底

B、价带顶

C、禁带宽度

D、不确定

答案：【禁带宽度】31.单选题：如果绝缘层出现正电荷，p型半导体构成的MIS结构的C-V曲线将相对于理想C-V曲线向正栅压方向平移。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】32.单选题：对于n-Si构成的金属-半导体接触，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则形成阻挡层。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】33.单选题：对于p-Si构成的金属-半导体接触，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则形成反阻挡层