CN116344630B 一种太阳能电池的窗口层、太阳能电池及其制备方法 （西安隆基乐叶光伏科技有限公司）

产业基地航天中路388号员工餐厅二US2018148833A1,201WO2012144420A1,2012.10SukalyanShyam,DebajyotiDas.Phosphorus-dopednanocrysilicon-oxycarbidethiSukalyanShyam,DebajyotiDas.Phosphorus-dopednanocrysilicon-oxycarbidethi能电池及其制备方法。涉及太阳能电池制造领题。太阳能电池的窗口层为N型氢化碳氧化硅薄的范围为0.1～0.5，非化学计量比y的范围为2利用硅源气体和氢源气体通过热丝化学气相沉积方法在所述基底的第一表面形成种在所述基底的第一表面利用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积形成N型氢化碳氧化2.根据权利要求1所述的窗口层制备方法，其特5.根据权利要求1所述的窗口层制备方法，在位于所述第一表面和所述第二表面的所述透明导电层的3x[0005]第一方面，本发明提供一种太阳能电池的窗口层，窗口层为N型氢化碳氧化硅薄yy[0009]在基底的第一表面利用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积形成N型氢化碳氧化[0010]采用上述技术方案时，通过热丝化学气相沉积方法在基底的第一表面沉积形成N催化工艺，使气体形成自由基在基底成膜，相较于现有的通过等离子增强化学气相沉积4原子、碳原子和氮原子的前驱气体实现一步制备N型氢化碳氧化硅薄膜，进而获得高电导量N2骤：利用硅源气体和氢源气体通过热丝化学气相沉积方法在基底的第一表面形成种子层。[0027]采用上述技术方案时，由于太阳能电池的N型氢化碳氧化硅薄膜采用了本申请中5[0039]图3为本发明实施例提供的一种太阳能电池的薄膜制备方法的步骤S200的流程示6x化硅薄膜，N型氢化碳氧化硅薄膜的化学式为nc-SiOxCy:H，其为纳米晶态，以下简称nc-非化学计量比x和y均表示含掺杂元素的气体的流量占整个通入工艺腔内的气体的流量的和碳原子后形成的nc-SiOxCy:H薄膜，该nc-SiOxCy:H薄膜融合了SiOx基体和SiCy基体的优[0054]步骤S200，在基底的第一表面(入光面)利用热丝化学气相沉积方法(Hotwire[0055]通过HWCVD工艺在基底10的第一表面沉积形成N型氢化碳氧化硅薄膜20，HWCVD工7[0056]进一步地，在本实施例中，形成N型氢化碳氧化硅薄膜20的前驱气体包括硅源气全可以将N2催化解离，N2和磷烷相比具有同样的掺杂效果，所以避免了额外杂质气体的引[0063]示例性的，工艺条件如下：SiH4流量可以10sccm～50sccm(standardcubiccentimeterperminute，体积流量单位，表示标况毫升每分)，H2流量可以为300sccm~1000sccm，N2O流量可以为5sccm～30sccm，CH4流量可以为5sccm～30sccm，N2流量可以为10sccm～50sccm，工艺压强可以为1pa～10pa，工艺温度可以为208艺腔室的表面沉积一层非晶硅薄膜，使得载板和工艺腔室表面的杂质被非晶硅薄膜覆盖，源气体和氢源气体通过热丝化学气相沉积方法在基底的[0078]由于直接在基底10的入光面沉积形成纳米晶态的N型氢化碳氧化硅薄膜20并不容[0083]步骤S400，在N型氢化碳氧化硅薄膜20和P型发射极层50的表面均形成透明导电9[0092]采用上述技术方案时，由于太阳能电池的N型氢化碳氧化硅薄膜20采用了本申请[0105]采用上述技术方案时，表面具有绒面结构的N型单晶硅片100具有较好的陷光效℃,保持工艺腔室内的工艺温度为250℃,在载板及工艺腔室内壁先沉积一层非晶硅薄膜，250℃,对带有双面钝化层的N型单晶硅片100的一面沉积N型nc-SiOxCy:H薄膜，维持时间