CN117497565B 一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法 （湖北九峰山实验室）_第1页
CN117497565B 一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法 （湖北九峰山实验室）_第2页
CN117497565B 一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法 （湖北九峰山实验室）_第3页
CN117497565B 一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法 （湖北九峰山实验室）_第4页
CN117497565B 一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法 （湖北九峰山实验室）_第5页
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文档简介

环依次环绕在主结区的外周且至少场限环沿平第一方向上沿沟槽下边延伸至掩埋层或外延层通过制作终端沟槽并保证至少场限环沿平行第层可以作为JTE结构辅助场限环终端结构，该结2（2）主结区包括位于外延层二中的第一部分以及位于掩埋层中和/或外延层一中的第在外延层二中且所述掩蔽层和电流终止通道在第一方向上的投影部分或全部重叠形成掩制作依次层叠设置的外延层一、掩埋层和外3[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体终端结构及其制作方构存在对场限环和/或JTE的浓度和界面电荷敏感、击穿电压较低以及耐压能力差等问题，[0006](2)主结区包括位于外延层二中的第一部分以及位于掩埋层中和/或外延层一中所述衬底背离外延层一的一侧制作有漏电极，所述主结区背离掩埋层的一侧制作有源电4通道在第一方向上的投影部分或全部重叠形成掩蔽[0028]图10本发明实施例1中所提供的一种宽禁带半导体终端结构击穿时电场分布情5方向的正投影位于终端沟槽内，场限环6在第一方向上沿沟槽下边延伸至掩埋层或外延层沟槽并保证至少所述场限环6沿平行第一方向的正投影位于终端沟槽内，之后在相同条件[0040](2)主结区包括位于外延层二4中的第一部分和位于掩埋层中和/或外延层一2中[0048]当该终端结构的外周从外延层二4向下刻蚀至掩埋层形成终端沟槽时，终端结构[0049]当该终端结构的外周从外延层二4向下刻蚀至外延层二4该终端结构还包括设置在场限环6外周的电流终止通道9和掩蔽层10，电流终止通道9贯穿掩埋层3设置，掩蔽层10制作在外延层二4中且掩蔽层10和电流终止通道9在第一方向上的6[0050]当该终端结构的外周从外延层二4向下刻蚀至外延层一2P+掩埋层和N-外延层二，终端结构的外周从外延层二向下刻蚀至外延层二中形成终端沟7的掩蔽结构调制了终端区域电场，降低了击穿电压对N+电流终止通道和P+掩蔽层的浓度P+掩埋层和N-外延层二，终端结构的外周从外延层二向下刻蚀至外延层二中形成终端沟P+掩埋层和N-外延层二，终端结构的外周从外延层二向下刻蚀至掩埋层终止形成终端沟中的第二部分且两者不连接，场限环从终端沟槽的底部沿第一方向延伸至N-外延层一中。89

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