CN118508236B 基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器 （武汉云岭光电股份有限公司）_第1页
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发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂JP2003046185A,2003.02.14基于对接生长工艺的激光器制作方法以及向异性腐蚀液腐蚀InGaAsP层，再用稀释氢氟酸长方法制得。本发明采用对接生长工艺，在InGaAsP层对接生长AlGaInAs层时，AlGaInAs层2S4，采用硫酸系各向异性腐蚀液腐蚀所述InGaAsP层，再用稀释氢氟酸去掉侧壁氧化S5，接着采用对接工艺对接生长AlGaInAs层，所述A7.如权利要求1所述的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法，其特征在于：所述34同时采用AlGaInAs/InP材料体系可以得到耐高温的产品，且通过改进传统对接生长工艺，[0022]图1是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的光栅掩埋[0023]图2是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的干法刻蚀[0024]图3是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的湿法腐蚀[0027]图6是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的阻挡层为[0028]图7是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的阻挡层为[0029]图8是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的阻挡层为[0030]图9是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的阻挡层为[0031]图10是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的阻挡层[0032]图11是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的阻挡层[0033]图12是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的制备好[0034]图13是本发明实施例提供的一种基于对接生长工艺的激光器制作方法的制备好5括光栅掩埋层4，InGaAsP层5，第一InP层6，掩膜层7，对接生长第二InP层12，对接生长意图，包括光栅掩埋层4，InGaAsP层5，第一InP层6，对接生长第二InP层12，对接生长6所述AlGaInAs层13的生长高度不超过所述阻挡层20，所述InP覆盖层14的生长高度与所述78

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