CN119395936A 一种掩模版及其制造方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

2衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二二遮蔽结构，所述第一遮蔽结构覆盖部分所述第一相移结构并沿所述第二区域的边缘设提供衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表在所述衬底的第一表面上形成第一相移材料层，所述刻蚀所述第一相移材料层以在所述第二区域的所述第二相移材料层以在所述第一区域的第二表面上形成第二相移3以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述第一遮蔽材料层和所述第一相移材料层至所述方法还包括：去除位于所述第二区域的中间区域的所述第一遮蔽以所述第二图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述第二遮蔽材料层和所述第二相移材料层至所述方法还包括：去除位于所述第一区域的中间区域的所述第二遮蔽4述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表[0013]在一些实施例中，所述第一相移结构的透光率大于所述所述第一相移结构用于形成存储器的阵列区，所述第二相移结构用于形成存储器的核心5刻蚀所述第二相移材料层以在所述第一区域的第[0025]以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述第一遮蔽材料层和所述第一相移材料[0030]以所述第二图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述第二遮蔽材料层和所述第二相移材料67或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应至图3对本公开实施例提供的掩模版再作进一[0053]在实际操作中，本公开实施例提供的掩模版可以用于制造动态随机存取存储器8移结构11分立设置在第二区域102的第一表面S1上，多个第二相移结构13分立设置在第一从衬底10被第二相移结构13覆盖的位置处透过的出射光束与从衬底10位于相邻的第二相[0058]在一实施例中，第一相移结构11的透光率的范围在15％至50％之间(包括端点[0059]第一相移结构11和第二相移结构13的材料包括氮氧硅化钼(MoSiON)、硅化钼结构12覆盖部分第一相移结构11并沿第二区域102的边缘设置，第二遮蔽结构14覆盖部分[0062]图1中示出的第一遮蔽结构12和位于第二区域102边缘位置的第一相移结构11在部分位于第二区域102边缘位置的第一相移结构11，第二遮蔽结构14还可以仅覆盖部分位9氧碳化铬(CrCO)、氮氧碳化铬(CrCON)、铬化钼(MoCr)、氧化铬钼(MoCrO)、氮化铬钼[0068]本公开实施例通过设置第一相移结构11远离第二区域102的表面W1与第一区域101的第一表面S1齐平，以及第二相移结构13远离第一区域101的表面W2与第二区域102的[0074]步骤S103、刻蚀第一相移材料层以在第二区域的第一表并刻蚀第二相移材料层以在第一区域的第二表面上形成第[0075]图5至图12为本公开实施例提供的掩模版的制造方法的工艺流程图，图13至图15第二遮蔽材料层149覆盖第二相移材料层139。[0083]在一实施例中，第一相移材料层119的透光率大于第二相移材料层139的透光移结构11(参见图8)，并刻蚀第二相移材料层139以在第一区域101的第二表面S2上形成第及第二遮蔽材料层149可以通过一种或多种薄膜沉积工艺来形成，例如化学气相沉积[0091]以第一图案化掩膜层15为掩膜刻蚀第一遮蔽材料层129和第一相移材料层119至暴露衬底10，以将第一图案化掩膜层15的图案转移至第一遮蔽材料层129和第一相移材料[0095]以第二图案化掩膜层17为掩膜刻蚀第二遮蔽材料层149和第二相移材料层139至暴露衬底10，以将第二图案化掩膜层17的图案转移至第二遮蔽材料层149和第二相移材料移结构11分立设置在第二区域102的第一表面S1上，多个第二相移结构13分立设置在第一过衬底10被第二相移结构13覆盖的位置处的出射光束与透过衬底10位于相邻的第二相移了不同图案对相移结构透光率的不同要求，从而能[0102]图1中示出的第一遮蔽结构12和位于第二区域102边缘位置的第一相移结构11在部分位于第二区域102边缘位置的第一相移结构11，第二遮蔽结构14还可以仅覆盖部分位[0103]图1中示出的衬底10的第一区域101的第一表面S1与第二区域102的第一表面S1齐的厚度与第二预设高度差H2相等，位于第一区域101的第二相移材料层139远离第一区域101的表面W4与第二区域102的第二表面S2在第二区域102的第一表面S1上形成第一相移结构11以及沿第二区域102的边缘设置的第[0110]本公开实施例通过设置第一相移结构11远离第二区域102的表面W1与第一区域101的第一表面S1齐平，以及第二相移结构13远离第一区域101的表面W2与第二区域102的第二表面S2齐平，使得第一区域101和第二区域102的出射光束的焦点趋向于落在同一平