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文档简介

该电压控制信号对上述多条位线施加电压;其2遍历测试程序集合中的测试程序,并根据遍历到的测试程序生成激活信号在遍历完所述测试程序集合中的测试程序后,检测所述多个根据遍历到的所述第一测试程序生成第一激活信号与第一电压控3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述测试程序集合中还包括第二测试程根据遍历到的所述第二测试程序生成第二激活信号与第二电压控4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述测试程序集合中还包括第三测试程根据遍历到的所述第三测试程序生成第三激活信号与第三电压控5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述测试程序集合中还包括第四测试程根据遍历到的所述第四测试程序生成第四激活信号与第四电压控在所述激活信号与所述电压控制信号的保持时长等于预设38.根据权利要求1至5任一项所述的方法在每个所述存储单元中写入第一数据或第二数据;所述第一数据与所述第二数据不从所述多个存储单元中读取存储数据,并根据所述测试数据与所述存储若所述存储数据与所述测试数据相同,则确定所述多个存储单若所述存储数据与所述测试数据不同,则将所述存储数据与所4[0004]目前,为了提升存储器的产品质量,通常会通过对存储器进行老化(Burn_in)测条位线中的偶数条位线施加第一电压,以及对所述多条位线中的奇数条位线施加第二电5[0021]在一些实施例中,所述根据遍历到的测试程序生成激活信号与电压控制信号之67通过BL将数据信号写入到上述电容器中进[0056]其中,当存储器中的弱存储单元的数据保留时间少于存8[0062]在一些实施例中,本公开实施例中可以应用于DRAM芯片在125℃高温下的老化bit故障在早期更容易暴露出来,有助于在早期检测出比较弱的相邻的存储单元与存储单9[0084]在一些实施方式中,在根据遍历到的测试程序生成激活信号与电压控制信号之中,在奇数条WL打开的状况下,偶数条BL上的存储单元和奇数高电平和低电平,可以使相邻的存储单元(doublebit)因为电压差具有更强的应力效果。BL存储单元之间的电压差可以进化效果更强的老化效果,能够使得隐蔽的doublebit数据中存在差异的比特位置对应的存储单元确定条位线中的偶数条位线施加第一电压,以及对所述多条位线中的奇数条位线施加第二电[0137]需要说明的是,本公开实施例中信号生成模块1001、处理模块1002及检测模块

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