CMP从晶圆走向Panel先进封装打开新增长空间

QYResearch｜全球行业调研报告QYResearch｜全球行业调研报告8月14日，荏原制作所披露2026年上半年经营数据。其PrecisionMachinery业务订单达到2,674亿日元，同比增长89.3%；收入1,836亿日元，同比增长22.0%；营业利润325亿日元，同比增长38.7%。公司同时表示，CMP产品表现明显高于原计划，主要受AI相关Logic/Foundry及Memory客户投资增长推动。相比传统300mm晶圆CMP需求回升，更值得关注的是荏原已将Panel-LevelPackaging（PLP）CMP纳入PrecisionMachinery的高附加值解决方案。公司最新展示的EAPI设备将既有Front-endCMP技术延伸至大型方形Panel，在高密度互连形成过程中实现高水平SurfacePlanarity，并与PanelPlating设备共同面向先进封装市场。事件意义CMP长期是先进逻辑、DRAM和NAND制造中的关键平坦化工艺。设备通过Pad、Slurry及精确压力控制去除材料，并在晶圆表面获得高度平坦化结果。随着互连层数增加、材料体系复杂化，CMP步骤持续增加，因此设备需求与先进节点工艺复杂度高度相关。当前最重要的变化之一，是CMP的应用正在从晶圆向更大面积的Panel延伸。Panel-LevelPackaging采用面积大于300mm晶圆的矩形或方形载板，希望通过一次处理更多封装单元提升生产效率；但Panel尺寸扩大后，Warpage、局部厚度差以及不同区域去除速率的一致性控制难度也同步上升。荏原EAPI的产业意义正在于此。公司明确表示，该设备利用既有前道CMP技术，对Panel-LevelPackaging进行高平坦度加工。这意味着成熟的晶圆制造设备技术正在向AdvancedPackaging迁移，而不是简单为封装环节开发一套低精度平坦化设备。这也反映出先进封装制造正在逐步“晶圆厂化”。RDL、Via、CopperPlating、CMP以及更严格的Metrology正在共同进入先进封装流程，前道与后道之间原本相对清晰的设备技术边界持续弱化。产业影响第一，CMP设备的潜在处理对象正由圆形Wafer扩展至大型Panel。两者核心目标均是实现高质量平坦化，但设备机械结构、压力均匀性、Pad设计、SlurryDistribution及EdgeControl无法简单复制。Panel面积越大，面内均匀性和边缘效应控制越困难，因此有望形成独立的高端设备市场。第二，Panel-LevelPackaging将进一步强化CMP与电镀之间的工艺协同。荏原最新方案同时配置EAPIPanelCMP和UFPPanelPlating，后者用于在方形Panel上形成Bump、RDL及Via等FinePattern。由于金属沉积后需要持续控制Topography，未来Plating—CMP—Cleaning之间的ProcessIntegration重要性将进一步提升。第三，先进封装设备价值量将越来越取决于工艺步骤和制程复杂度，而不仅是Package出货数量。随着RDL层数、I/ODensity及Panel尺寸提升，单块Panel需要更复杂的沉积、电镀、平坦化、清洗和量测流程。即使终端芯片出货增长相对温和，单位封装面积对应的设备价值量仍可能持续提高。AppliedMaterials在2026年披露的OptaQuadCMP也提供了另一条产业验证。该平台重点改善WaferEdgeProfile及Wafer-within-waferTotalThicknessVariation，以提升后续3D堆叠良率。这说明CMP技术升级正在Wafer-level与Panel-level两个方向同步发生。全球CMP设备竞争格局、现状及趋势全球CMP设备是半导体前道设备中集中度较高的细分市场之一。按照QYResearch测算，2025年AppliedMaterials与Ebara合计占全球市场约78.8%，加入华海清科后CR3达到约90.2%，形成“AppliedMaterials+Ebara双寡头、华海清科第三极、其他厂商差异化竞争”的格局。其高集中度并非来自机械抛光本身，而是因为先进CMP必须同时解决纳米级平坦度、高速运动控制、抛光头压力控制、SlurryDistribution、PadConditioning、EndpointDetection、Post-CMPCleaning及颗粒/缺陷控制，并针对不同膜层、材料和器件结构长期积累ProcessKnow-how。设备一旦进入先进逻辑或存储量产线，客户更换供应商通常需要重新完成Recipe、良率、缺陷和可靠性验证，因此供应商黏性较强。未来竞争的核心将更多体现为头部厂商在先进制程、HBM、HybridBonding和先进封装领域的份额再分配。从全球头部厂商看，AppliedMaterials仍保持第一，但Ebara正在缩小差距。Applied的优势来自Reflexion系列平台以及沉积、刻蚀、CMP、先进封装和量测检测之间的跨工艺协同，使其能够更早参与Leading-edgeLogic、DRAM/HBM及先进互连材料变化。不过，中国区收入下降及出口限制对其市场扩张形成一定约束，QYResearch据此将其CMP份额由2024年的53.98%下调至2025年的约50.20%。Ebara则是2025年表现较强的CMP专业厂商，CMPSystems收入同比增长35.1%至2,126亿日元，并继续将2nm/14Å逻辑、GAA、HBM4/5、3DDRAM、HybridBonding和AdvancedPackaging列为重点机会。未来第一梯队更可能呈现“Applied保持综合平台与先进节点优势、Ebara依靠CMP专业化和亚洲客户基础扩大份额”的竞争态势。中国市场则已由“华海清科单一国产龙头”逐步进入“华海清科领先、晶亦精微和众硅科技加速追赶”的阶段，但梯队差异仍然明显。华海清科8英寸和12英寸CMP累计出货已超过1,000台，AdvancedProcess机型在多家头部晶圆厂推进验证，并进一步切入HBM、3DIC及先进封装应用，竞争重点正由“国产替代”转向先进制程份额提升和平台化扩张。晶亦精微在8英寸市场已实现批量产业化，12英寸设备完成28nmCuCMP工艺验证，并向SiC等应用延伸；众硅科技已形成6英寸、8英寸和12英寸CMP产品体系，2025年获得产业资本战略投资，后续整合有望增强技术、客户和供应链资源。下一阶段评估中国CMP厂商竞争力，不应只看国产化率，更应关注12英寸先进节点覆盖数量、先进制程CMPStep覆盖率、HBM/HybridBonding客户验证、累计量产晶圆数量、设备重复采购率及海外客户导入情况。过去全球CMP设备竞争主要围绕300mm先进晶圆制造展开，AppliedMaterials和Ebara是核心平台供应商，ACCRETECH/TokyoSeimitsu等厂商也提供300mmCMP产品。以ChaMP332为例，其强调ZoneControl、低压力控制和均匀压力分布，反映先进晶圆CMP已进入高精度ProcessControl竞争阶段。下一阶段值得重点观察的是WaferCMP与PanelCMP是否逐步形成两套差异化竞争格局。WaferCMP将继续围绕先进逻辑、DRAM及3DNAND提升工艺控制精度；PanelCMP则需要重点解决大面积方形基板的Warpage、EdgeEffect、Uniformity和Throughput等问题。因此，PanelCMP并不是简单把300mmCMP设备“放大”。真正形成产品壁垒的将是大面积压力控制、Pad与Carrier设计、Slurry均匀分布、面内去除率控制，以及与Plating、Cleaning和Metrology之间的ProcessIntegration能力。从荏原2026年上半年经营数据看，CMP需求已经明显回升；从其高附加值产品布局看，公司同时在主动将前道CMP技术迁移至先进封装。如果Panel-LevelPackaging进一步进入规模量产，CMP有望成为继电镀、曝光和检测之后，又一个从WaferFab显著延伸至先进封装的设备类别。全球半导体CMP设备市场规模根据QYResearch《全球及中国半导体CMP设备市场现状及发展研究2026-2032》，2025年全球半导体CMP设备市场规模约为43亿美元，预计2032年达到74亿美元，2026—2032年CAGR约6.8%。从产业趋势看，全球半导体CMP设备正由传统晶圆厂资本开支周期驱动，逐步转向“晶圆产能扩张+单位晶圆CMP步骤增加”的双重驱动。AI带动先进逻辑、DRAM/HBM和高层数3DNAND持续升级，逻辑由FinFET向GAA及BacksidePowerDelivery演进，存储器则向更高密度、更复杂三维结构发展，材料体系和界面数量持续增加，因此晶圆需要更多介质层、金属层和关键界面的平坦化步骤。SEMI最新CMP材料研究也将GAA、HBM和3DNAND列为新CMP工艺与材料的重要技术驱动。由此看，未来CMP设备增长不再只取决于晶圆面积，而将越来越受CMPStepCount、设备Throughput、Defectivity控制及单片晶圆工艺复杂度影响。第二个重要增量来自先进封装，CMP正在由传统Front-endPlanarization向“前道+先进封装”双应用场景延伸。HBM、CoWoS、2.5D/3DIC、Chiplet、TSV及HybridBonding均对键合前表面平坦度、粗糙度、颗粒和金属残留提出更高要求；同时，Panel-LevelPackaging进一步把处理对象从圆形Wafer扩展到大面积方形Panel。设备平台也将从传统Polisher向“抛光+清洗+终点检测+ProcessControl”一体化演进，性能评价由MaterialRemovalRate进一步升级至Within-waferUniformity、Wafer-to-waferUniformity、EdgeControl、Defectivit