CN119400698A 在沟槽侧壁上选择性地形成氮化硅膜的方法 （Asm Ip私人控股有限公司）

在沟槽侧壁上选择性地形成氮化硅膜的方法提供了一种在衬底表面上形成介电材料层2通过包括高频(HF)分量和低频(LF)分量的双射频(RF)等离子体源3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，所7.根据权利要求1_6中任一项所述的方法，其中，所述反应室内的温度在约350℃和约450℃之间。双(二乙基氨基)硅烷(SiH2(NEt2)2)(BEDAS)、双(叔丁基氨基)硅烷(SiH2(NHtBu)2)3通过不对称蚀刻去除在形成沟槽的上表面上形成的部分和在沟槽的底表面上形成的部分，[0003]在沟槽中形成侧壁的一种方法是在低压下使用高RF功率。美国专利号US9,754,[0007]在各种实施例中，高频(HF)可以具有在约13MHz和约27MH并且低频(LF)功率可以具有在约100KHz和约500KHz4三硅烷(Si3H8)、四硅烷(Si4H10)、N(Si2H5)3、三甲硅烷基胺N(SiH3)3、N(SiMe3)[0022]图3a示出了现有技术参考文献中RF功率和形成在沟槽顶表面上的膜的湿蚀刻速率以及形成在沟槽侧壁上的膜的湿蚀刻速率之间关[0023]图3b示出了表示根据本公开的示例性实施例的RF功率与形成在沟槽顶表面上的膜的湿蚀刻速率和形成在沟槽侧壁上的膜的湿蚀刻速率之间的关系的本发明的范围不应被下面描述的具体公开的实施例所5示例性功能关系和/或物理联接。许多替代或附加的功能关系或物理连接可以存在于实际[0038]图1示出了根据本公开示例性实施例的在沟槽侧壁上选择性地形成膜的方法10到衬底上106；以及通过包括高频(HF)分量和低频(LF)分量的双射频(RF)等离子体源产生[0040]在步骤102期间，可以使衬底达到期望的温度，并且可以使反应室达到期望的压6硅烷(Si(SiH3)4)、三甲氨基硅烷(SiH(NMe2)3)、双(二乙基氨基)硅烷(SiH2(NEt2)2)(BEDAS)、双(叔丁基氨基)硅烷(SiH2(NHtBu)2)(BTBAS)、二异丙基氨基)硅烷(SiH3[0043]在提供等离子体步骤108期间，通过包括高频(HF)分量和低频(LF)分量的双射频率可以具有在约100KHz和约500KHz之间的范围内的频率。高频RF功率可以在约400瓦和约[0045]图3a示出了现有技术参考文献中HRF功率与形成在沟槽顶表面上的膜的湿蚀刻速蚀刻速率随着HRF功率的增加而降低，而顶部/底部的湿蚀刻速率随着HRF功率的增加而增[0046]图3b示出了表示根据本公开示例性实施例的HRF功率与形成在沟槽顶表面上的膜7[0053]图4示出了根据本公开示例性实施例的结构的扫描透射电子显微镜图像。通过使[0055]等离子体反应器系统500可以包括在反应室3的内部11(反应区)中平行且彼此面对的一对导电平板电极4、2。通过从功率源25向一个电极(例如电极4)施加HF功率(例如13.56MHz或27MHz)和LF功率(例如450kHz)并将另一个电极(例如电极2)电接地，可以在反8分隔反应区和转移区的分隔板14(该图中省略了将晶片通过其转移到转移室5中或从转移9