CN119400749A 在具有非平坦表面的支撑件上制造膜的方法 （索泰克公司）

201880070872.12018.10.31在具有非平坦表面的支撑件上制造膜的方法在具有非平坦表面的支撑件上制造膜的方在供体衬底(10)中形成脆化区(11)以界定待转移的所述膜(12)，在待转移的膜(12)的非平坦2供应供体衬底(10)，所述供体衬底的表面至少具有由铺设在晶圆(100使所述供体衬底(10)沿着所述脆化区(11)分离，以将每个相应膜(3.根据权利要求1至2中的一项所述的方法，其中5.根据权利要求1至2中的一项所述的方法，其中，通过热处理来导致所述供体衬底7.根据权利要求1至2中的一项所述的方法，其中对于每个相应的转移的膜(12)的材料的热系数差的绝对值小于5x10_6K_1。3供体衬底(10)，所述供体衬底的表面至少具有由铺设在晶圆(1000支撑件(20)，所述支撑件沉积在至少具有由所述多个衬垫(14[0001]本申请是原案申请号为201880070872.1的发明专利申请(国际申请号：PCT/[0006]因此，本发明的一个目的是构思一种在具有非平坦表面的支撑件上制造膜的方[0010]通过沉积在待转移的膜的非56K1。[0033]另一目的涉及一种在供体衬底上沉积支撑件之后获得的中间结构。所述结构包[0038]图1A是包括具有凹陷图案的表面的供[0039]图1B和图1C以示意性方式示出图1A的供体衬底[0040]图1D以示意性方式示出沉积在图1B[0042]图1F以示意性方式示出由图1E的供体衬底沿着脆化区[0043]图1G以示意性方式示出在转移的膜上沉积附加膜[0044]图2A和图2B以与有关步骤的相反顺序对应[0045]图3A是包括弯曲表面的供6[0046]图3B以示意性方式示出在图2A的[0047]图3C以示意性方式示出在图3B的[0048]图3D以示意性方式示出由供体衬底沿着脆化区[0049]图4A是包括纹理化表面的供[0050]图4B以示意性方式示出在图4A的[0051]图4C以示意性方式示出在图4B的[0052]图4D以示意性方式示出由供体衬底沿着脆化区[0053]图5A至图5E以示意性方式示出根据本发明的一个实施[0056]图8A至图8C以示意性方式示出根据本发明的另一材料或依次沉积在供体衬底上的至少两种不同的材料的层叠[0059]供体衬底的表面的非平面性可能是由于所述表面的至少一个部分的曲率(凹或[0060]图1A示出供体衬底10，其包括由旨在形成薄膜的材料构成的至少一个浅表部[0061]所述供体衬底10的表面10a包括相对于参考平面的一定数量的凹陷图案100(或浮3232重点常常放在优化其形成条件以便获得例如晶粒的特定密度和尺寸，和/或优先的晶体取[0066]转移的膜的厚度由脆化区11在供体衬底10中的深度限定。有利地，该深度介于[0067]在供体衬底10中形成脆化区12可通过注入离子物质(图1B中由箭头示意性地示7[0068]如果穿过已经具有凹陷和/或浮雕图案的表面执行注入，则脆化区可遵循与这些[0069]在相邻图案之间的过渡区附近膜的连续性及其质量可尤其取决于膜的厚度与浮并且可优选确保图案的表面与参考平面的表面之间的角度小于或等于45°。被期望的，则稍后必须执行图案100的蚀刻，使得蚀刻深度小于脆化区11的深度(参见图[0078]支撑件的厚度通常介于1μm和50μm之间(此厚度足够低以使得支撑件可与片材类[0079]此外，要注意支撑件在供体衬底上的粘附足以避免在膜转移方法期间支撑件分83N4[0080]更一般地，可在沉积支撑件20之前在膜12上沉积中间层21(最终结构表示在图1E支撑件的材料被选择为表现出足够的韧性，以便在转移方法期间转移的膜不会遭受损害[0086]由支撑件20和膜12(以及可能的附加膜)形成的结构可用于形成尤其可应用于微9性质。其居里温度为1140℃,而众多其它材料在大约100℃至250℃的温度范围时就失去其[0106]因此对于在这些温度范围内利用压电和/或热电的系统，它代表一种令人感兴趣[0110]在所述衬底10中注入氦离子，以形成脆化区11并界定薄LiNbO3膜12(参见图1B)。系统中用作固体隔膜以起到电解液的作用。这些系统在必须小型化时(此时这称为微型且其深度大约为2μm。有利地控制沟槽的侧面100a(将限定波纹管的高区与低区之间的过[0124]通过在该硅衬底中蚀刻来生成希望遵循的弯曲形状。在图[0127]在低温下(通常低于200℃,以免导致沿着脆化区过早分离)通过沉积技术在膜12化或其它粗糙度来使界面和后表面几何上不完美。如果设想使用某些单晶材料(例如，[0132]在所述衬底10中注入氢离子穿过表面10a，以形成脆化区11并界定单晶LiTaO3薄可选择纳米压印光刻技术以限定在大约0.05μm的深度上具有略微亚微米横向尺寸特征的[0135]在低温下(通常低于100℃,以免导致沿着脆化区过早分离)通过沉积技术在膜12