CN119400765A 界面散热材料预成型件、及其制备方法和多芯片封装结构 （宁波施捷电子有限公司）

料预成型件能够同时支持至少两种不同厚度的有助于确保每个多芯片封装的一致性和可重复2所述第二表面上形成有与所述多个芯片匹配的多个芯片固定区域，每个3.根据权利要求1或2所述的界面散热材料预成6.根据权利要求2或5所述的界面散热材料芯片固定区域的交界线的夹角小于90°。3制备界面散热材料初始件；其中，所述界面散在所述第二表面上形成多个芯片固定区域；其中，所述多个芯片在压印的过程中对所述界面散热材料初始件进行加热，以使所在相邻两个芯片固定区域的交界处形成分割部；其中，所述分在每个芯片固定区域的内部形成熔化起点控制部，以在回流所述界面散热材料预成型件具有与所述多个芯片匹配的多个芯片固4散热材料预成型件以各个芯片固定区域与其匹配的芯片正对的方式固定在所述多个芯片所述散热盖以盖面覆盖所述多个芯片的方式固定在所述界面散热材料预成型件的第5界面散热材料预成型件以各个芯片固定区域与其匹配的芯片正对的方式固定在所述多个6所述散热盖以盖面覆盖所述多个芯片的方式固定在所述界面散热材料预成型件图11为本申请一示例性实施例示出的制备[0011]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申7[0014]图1为本申请提供的界面散热材料预成型件实施例一的示意图。图2为图1所示界所述第二表面12上形成有与所述多个芯片匹配的多个芯片固定区域121，每个芯片固定区域121用于固定与该芯片固定区域121匹配的芯片；每个芯片固定区域121和待固至少两个芯片固定区域121的厚度不同，以通过所述界面散热材料预成型件同时固定所述8任意两个具有不同厚度的芯片固定区域之间的厚度差小于或者等于80%B；其中，所述B为所述多个芯片固定区域中厚度最大的芯片固定区域具有[0028]图3为本申请提供的界面散热材料预成型件实施例二的示意图，图4为图3所示界9出的是界面散热材料预成型件的仰视图图6为图5所示界面散热材料预成型件所在多芯[0041]可选的，图8为本申请提供一示例性实施例示出的界面散热材料预成型件的示意三个芯片固定区域121分别记为第一芯片固定区域、第二芯片固定区域和第三芯片固定区定区域和第三芯片固定区域为相邻的两个芯片处可以包括第一芯片固定区域靠近第二芯片固定区域的第一边界处，和/或第二芯片固定芯片固定区域和第二芯片固定区域而言，分割部122设置在第二芯片固定区域上的第二边122同时设置在第一芯片固定区域上的第一边界处、以及第二芯片固定区域上的第二边界片固定区域和第二芯片固定区域的交界处设置有两种形式的分割部122，分别为通孔阵列的长度方向与所述相邻两个芯片固定区域121的交界线的夹角小于90°。[0049]需要说明的是，相邻两个芯片固定区域121之间的间距指的是这两个芯片固定区方向上的宽度在20μm与相邻两个芯片固定区域121之间的间距范围之内，即凹槽的宽度最孔阵列时，通孔阵列中每个通孔的直径在20μm与相邻两个芯片固定区域121之间的间距范述沉槽沿所述相邻两个芯片固定区域121的排列方向上的宽度或所述盲孔阵列中的每个盲孔的直径大于或者等于10μm、且小于或者等于所述相邻两个芯片固定区域121之间的间距之间的间距的2倍的范围之内，即沉槽的宽度最小为10μm，最大为相邻两个芯片固定区域面散热材料预成型件在所述沉槽或所述盲孔阵列所在位置处度处于界面散热材料预成型件在沉槽或盲孔阵列所在位置处的厚度值的5%到95%之内，即温度需要小于或等于界面散热材料初始件的熔化温度的85%，即最大加热温度为界面散热[0074]具体实现时，通过微压印模具或切割模具形成所述分割部或所述熔化起点控制界面散热材料预成型件以各个芯片固定区域与其匹配的芯片正对的方式固定在所述多个所述散热盖以盖面覆盖所述多个芯片的方式固定在所述界面散热材料预成型件