CN119403190A 半导体器件及其制作方法 （深圳市昇维旭技术有限公司）

第二牺牲层；去除开口的底部剩余的第一绝缘2在衬底上形成堆叠膜层，所述堆叠膜层包括沿竖直方向依次堆形成第二绝缘层和第一牺牲层，所述第二绝缘层至少覆盖所述开口的步骤S2，蚀刻位于所述开口的底部的所述第一保护层3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法步骤S5，蚀刻位于所述开口的底部的所述第二重复步骤S4步骤S6，直至所述第一导电层中与所述开口的底部正对的区域的表面上3在位于所述沟槽的侧壁上的所述第二绝缘层的4[0006]在衬底上形成堆叠膜层，所述堆叠膜层包括沿竖直方向依次堆叠的第一导电层、[0010]去除所述开口的底部剩余的所述第一绝缘层，以形成露出所述第一导电层的沟[0018]在本公开的一种示例性实施例中，所述第二牺牲层的致密度大于或等于2.09g/5[0020]在本公开的一种示例性实施例中，去除所述开口的底部[0024]重复步骤S4步骤S6，直至所述第一导电层中与所述开口的底部正对的区域的表第二导电层，所述第二绝缘层还形成于所述开口中由所述第三绝缘层围成的侧壁的表面，可通过第一牺牲层对开口侧壁上的第二绝缘层进行保护，进而减小损伤第二绝缘层的概部剩余的膜层的过程中，可通过第一牺牲层和第一牺牲层同时对第二绝缘层进行双重保护，有助于减小去除开口底部剩余的第一绝缘层的过程对开口侧壁上的第二绝缘层的损67通过第一牺牲层对开口侧壁上的第二绝缘层进行保护，进而减小损伤第二绝缘层的概率；826可位于第一绝缘层22远离衬底1的表面，且第四绝缘层26可与第二导电层23以及位于第的方向)上对第二导电层23进行绝缘保护，以防止第二导电层23与周围其他导电结构之间9缘层22内。开口201的底面在衬底1上的正投影可位于第一导电层21在衬底1上的正投影之[0086]在本公开的一种示例性实施例中，去除部分位于所述开口201的底部的所述第一的一些实施例中，在具有第一牺牲层4的开口201的侧壁及底部形成第一保护层6可包括采(C4F6[0089]S2，蚀刻位于所述开口201的底部的所述第一保护层6及所述开口201的底部与所口201侧壁上的第一保护层6也会被蚀刻(即，位于开口201侧壁上的第一保护层6可以防止开口201侧壁上的第一牺牲层4在干法蚀刻过程中被消耗，第一保护层6用于保护位于开口201侧壁上的第一牺牲层4，可通过第一牺牲层4和第一保护层6对开口201侧壁上的第二绝[0092]在位于开口201侧壁上的第一保护层6中的部分区域被蚀刻完之后，第一保护层6可通过合理的选择清洗的气体，以保证清洗过程中只能去除第一保护层6及蚀刻过程中的步骤S3的过程中开口201的底部与第一保护层6相邻接的膜层则变为第二绝缘层3，当开口续重复步骤S1步骤S3的过程中开口201的底部与第一保护层6相邻接的膜层则变为第一绝[0097]第二牺牲层5可至少覆盖第一牺牲层4的表面，以便通过第二牺牲层5和第一牺牲层4对第二绝缘层3进行双重保护，进而增强在后续蚀刻形成沟槽202的过程中对位于开口[0098]在本公开的一种示例性实施例中，第二牺牲层5可为致密度相对较大的薄膜，例强对开口201侧壁上的第二绝缘层3的保护，以防止第一牺牲层4因工艺过程中的磨损而减对开口201侧壁上的第二绝缘层3的损伤，降低因第二绝缘层3损伤而对最终形成的半导体等离子体穿过第二牺牲层5进而损伤开口201侧壁上的第一牺牲层4及第二绝缘层3的概率，[0102]在本公开的一种示例性实施例中，去除所述开口201的底部剩余的所述第一绝缘[0103]S4，在具有所述第二牺牲层5的所述开口201的侧壁及底部形成第二保护层(图中的具体形成过程与步骤S1中的第一保护层6的形成过程类似，第二保护层的具体形成细节[0106]在第二保护层沉积完成之后，可通过干法蚀刻的方式对位于开口201底部的第二开口201侧壁上的第二保护层也会被蚀刻(即，位于开口201侧壁上的第二保护层可以防止开口201侧壁上的第二牺牲层5在干法蚀刻过程中被消耗，第二保护层用于保护位于开口第二保护层对第二牺牲层5的保护效果减弱，可去除蚀刻过程中的残留物，然后重复步骤[0110]在本公开的一些实施例中，为了保证最终形成的沟槽202能够完全露出第一导电[0114]在去除第二牺牲层5之后可切换蚀刻溶液，继续采用湿法蚀刻的方式去除第一牺需要对多晶硅层进行n型掺杂或p型掺杂，在此不对掺杂后形成的沟道层7的掺杂类型做特质层8对沟槽202中相对分布的两个侧壁上的第二导电层23可作为结型场效应晶体管的栅极、第二绝缘层3可作为结型场效应晶体管的及沟槽202的底部时，对多晶硅层进行掺杂后形成的沟道层7也同时覆盖沟槽202的侧壁上者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识