电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案

电子科技大学二零XX_至二零XX学年第X学期期终考试

模拟集成电路原理课程考试题A卷（」迎分钟）考试形式：开卷考试日期20XX_年—月—日

课程成绩构成：平时10分,期中0分,实验10分,期末80分

六

—•二三四五七八九十合计

一.选择题（共20题，每题2分，共40分）

I.对于MOS管，当W/L保持不变时，MOS管的跨导随漏电流的变化是（B）

A.单调增加B.单调减小C.开口向上的抛物线D.开口向下的地物线.

2.对与MOS器件,器件如果进入饱和区，跨导相比线性区将（A）

A增加B.减少C不变D可能增加也可能减小

3.在W/L相同时，采用“折荏”儿何结构的MOS管较普通结构的MOS管，它的棚电阻（C）

A增大B不变C减小D可能增大也可能减小

4.关于衬底PNP,下列说法正确的是（A）

A.所有衬底PNP集电极电压必须相同.

B.所有衬底PNP发射极电压必须相同.

C.所有衬底PNP基极电压必须相同.

D.所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定

5.充于扩散电阻，其宽度越大，则电阻值越易做得（A）

A精确,B误差大,C误差可大可小,D电阻间的相对误差大.

6.富温下，扩散电阻阻值的温度系数为（A）

A正,B零,C负，可正可负

7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有（A）

A.大电流密度限制.

B.S1-A1互熔问题.

C.互联线的温度系数

D.是否形成欧姆接触.

8.套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比，它的（B）较大些

A.最大电压输出摆幅

B.差模增益

C.极点频率

D.功耗

9.在版图设计上，采用比例电阻和比例电容的设计可以（C）

A.提高电阻或电容自身的绝对精度，

B.提高电阻或电容自身的相对精度，

C.减小电阻或电容间的比例误差

D.无影响

10.差分对中，不影响其共模抑制比的因素为（C）

A.差分管的对称性

B.电流源的交流阻抗

C.输入电压幅度

D.电阻R。和Rc2的对称性

11.Cascode电流镜的最小输出电压VMIN（⑼的值为（C）

A.VON+VTNB.2（VON+VTN）C.2VoN+VTND.VON+2VTN

12.充于EDNMOS基准电压源电路，其中的两个NMOS的工作状态为（A）

A,都是饱和区

B.一个是饱和区，一个是线性区

C都是线性区

D都是亚阈值区

13正偏二级管正向压降具有（B）温度特性.

A.零B.负C.正D.可正可负

14.MOS共栅放大器的特点是（D）

A.放大器输入输出反相，输入阻抗高

B.放大器输入输出同相，输入阻抗高

C.放大器输入输出反相，输入阻抗低

D.放大器输入输出同相，输入阻抗低

15.电路的主极点是（D）

A离原点最远的极点，它对应电路的-3dB带宽

B离原点最远的极点，它对应电路的单位增益带宽

C离原点最近的极点，它对应电路的单位增益带宽

D.离原点最近的极点，它对应电路的-3dB带宽

16.在CMOS差分输入级中，下面的做法哪个对减小输入失调电压有利（C）

A.增大有源负载管的宽长比.

B.提高静态工作电流..

C.增大差分对管的沟道长度和宽度

D.提高器件的开启（阈值）电压

17.在差分电路中，可采用恒流源替换“长尾”电阻.这时要求替换“长尾”的恒流源的输出电阻（A）

A.越高越好，B.越低越好C,没有要求D.可高可低

18.和共源极放大器相比较，共源共概放大器的密勒效应要（A）

A.小得多B相当，C大得多.D不确定

19.在版图设计上，采用比例电阻和比例电容的设计可以（C）

A.提高电阻或电容自身的绝对精度，

B.提高电阻或电容自身的相对精度，

C.减小电阻或电容间的比例误差

D.无影响

简答题（共5题，每题4分，共20分）

画出共源共榻放大器基本结构，简述其工作原理及特点.

解

如图4.9所示，当匕即E大于',TH时，增益逐渐增大。在尾电流源进入饱和区（Kn<y=%）

后,增益相对保持恒定“最后，如果VMCM大而使输人晶体管进入了线性区（TLc<=匕）,增

益则开始下降。

5.试分析MOS电容的寄生效应.

答：MOS电容普遍使用在双极型工艺中，如下图所示，在制造过程中，插入了一步增加掩膜的步骤老生成

一个跃过集电极扩散的区域，在这个区域将生长一个薄二氧化硅层。然后铝镀层将被置于这个氧化物薄层

上，在铝和发射极扩散区之间制作一个电容，该电容的电容值范围为0.3-0.5Ff/um2,击穿电压为6.-I00V.

该电容具有很强的线性，而且温度系数很低。但由于外延.衬底结的耗尽电容，在n型底片和衬底之间将产

生一个相当大的寄生电容Ciso,但这种寄生在很多应用中并不重要。

三.（10分）

-,5

对于下图的电流源，如果/£]=%E2=0-7V^=0.0267./s=5xlOA,片=200,N=13.7kQ,

R2=700。，求（1）输出电流,（2）输出电阻.

答:

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75=5X10A^=200

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用误差试探法，可以得出：Io=0.97mA

Rs是从T2的基极看进去的等效电阻

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式中93=2.60，g”,3=9S

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四.(15分)

对于下图的差动对，如果&=lmA,(IV/I)12=5O/O.5,(W/L)3,4=50/1

(1)计算差动电压增益

(2)如果/邓上的压降至少为0.4V,求最小的允许输入共模电压.

(3)如令匕RCM等于该最小输入共模电压,计算电路的最大输出电压提幅.

答:

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五（15分）

下图所示的电路中，其中"通过一个工作在饱和区的PMOS器件实现，假定

(W/L),=50/0.5,=1KC/)l=1〃八.

(1)确定PMOS晶体管的宽长比，使得最大允许输出电平为2.6V.最大的峰峰值搓幅是多少?

(2)确定极点和零点.

答:

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