CN119403313A 一种led量子阱的外延结构及其生长方法 （南昌大学）_第1页
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及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光2有源层，所述有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，所述量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构，其2.根据权利要求1所述的LED量子阱的外延结3.根据权利要求1所述的LED量子阱的外4.根据权利要求1所述的LED量子阱的外延结构，其特征重复上述铟镓氮层和处理层的生长过程得到满足厚度要求6.根据权利要求5所述的LED量子阱的外延生10.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片中包括如权利要求1至4任意一项所述的3[0001]本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生也被很多光学元件制造企业视为显示中一个[0005]金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延生长铟镓氮（IndiumGalliumNitride，陷作为非辐射复合的中心，降低了辐射复合的几率。另外，由于氮化铟（InN）在氮化镓口小，且容易产生组分的分凝，在InGaN表面产生In金属的残留导致界面特性变差等不利4重复上述铟镓氮层和处理层的生长过程得到满足厚度[0014]在一种可能的技术方案中，进一步地，所述第四温度Temp4高于所述第二温度的恒定时间处理，可以减少InGaN的氮空位缺陷，同时还能减少InGaN的表面粗糙情况和5图4为本发明LED改变处理层的生长时间-如图1所示，为本申请制备的常规量子阱外延结构，包括硅衬底100、氮化铝6在量子阱层610生长过程中，控制反应室内的生长温度保持在760℃,生长时间为为本发明LED。如图1和图2所示，本实施例提供一种LED量子阱的外延结构，其中，包括硅衬底7重复上述铟镓氮层和处理层的生长过程的周期达11次后得到满足厚度要求的量8微米×1000微米的芯片，作为样品A，采用LUXEON形式封装后测试其光电性能。如图4中的A和样品B的峰程中的恒定时长对LED的发光效率有明显影响，可以通过此两层参数的优化实验进一步提示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是相同的实施

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