2026年山东省高三物理二轮复习第三章电磁感应强化练习题库试卷

2026年山东省高三物理二轮复习第三章电磁感应强化练习题库试卷一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.如图所示，一个边长为L的正方形金属导线框，总电阻为R，以速度v匀速进入一个宽度大于L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于线框平面。在进入磁场的整个过程中，下列说法正确的是（）A.线框中产生的感应电流方向始终不变B.线框受到的安培力方向始终向左C.线框中产生的感应电动势最大值为BLvD.线框受到的安培力始终做负功参考答案：C解析：线框进入磁场时，磁通量增加，产生感应电流，根据楞次定律，电流方向先逆时针后顺时针，A错误；安培力方向与感应电流方向及磁场方向有关，进入时向左，离开时向右，B错误；感应电动势最大值出现在进入瞬间，为BLv，C正确；进入时安培力方向与速度方向相反做负功，离开时方向相同做正功，D错误。2.如图所示，两根平行长直导线分别通有大小相等方向相反的电流，一个矩形导线框从两导线正中间位置水平向右匀速通过。在穿过两导线的过程中，下列说法正确的是（）A.线框中始终产生顺时针方向的感应电流B.线框受到的合外力始终为零C.线框进入左侧导线时感应电流最大D.线框离开右侧导线时感应电流最大参考答案：D解析：穿过左侧导线时，左侧磁场增强，右侧磁场减弱，总磁通量变化率最大，感应电流最大，方向逆时针；穿过右侧导线时，左侧磁场减弱，右侧磁场增强，总磁通量变化率同样最大，方向顺时针；进入和离开中间位置时磁通量变化率为零，无感应电流，B错误；合外力不为零，因为两侧安培力方向相反，C错误，D正确。3.如图所示，一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，下列说法正确的是（）A.环进入磁场瞬间，加速度等于gB.环进入磁场后，机械能守恒C.环完全进入磁场后，做匀速直线运动D.环离开磁场时，速度比进入时大参考答案：A解析：进入瞬间，重力等于合力，加速度为g；进入后，机械能不守恒，因为部分转化为电能，B错误；完全进入后，重力等于安培力，做匀速运动，C正确；离开时安培力做负功，速度比进入时小，D错误。A正确。4.如图所示，一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，下列说法正确的是（）A.电阻R消耗的功率为(BLv)²RB.电容器上板带正电C.恒力F做的功全部转化为电能D.金属棒受到的安培力大小为(B²L²v²)/R参考答案：B解析：电阻R消耗的功率为(BLv)²R/r，A错误；金属棒切割磁感线产生感应电动势，右端电势高，电容器上板带正电，B正确；恒力F做的功一部分转化为机械能，一部分转化为电能，C错误；安培力大小为(BIL)/r，I=BLv/R+r，D错误。5.如图所示，一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以加速度a做匀加速直线运动，下列说法正确的是（）A.框架进入磁场瞬间，感应电动势为BLaB.框架完全进入磁场后，感应电流方向为逆时针C.框架完全进入磁场后，加速度仍为aD.框架完全进入磁场后，恒力F做功功率为(F-mg)av参考答案：C解析：进入瞬间，感应电动势为BLv，v=at，所以电动势为BLa，A正确；完全进入后，磁通量不变，无感应电流，B错误；完全进入后，安培力为零，加速度仍为a，C正确；恒力F做功功率为Fv，D错误。6.如图所示，一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，下列说法正确的是（）A.圆环进入磁场瞬间，感应电动势为BrvB.圆环离开磁场瞬间，感应电动势为BrvC.圆环穿过磁场过程中，产生的焦耳热为(B²πr²v)/RD.圆环受到的安培力始终做负功参考答案：C解析：进入和离开瞬间，有效切割长度为2πr，感应电动势为2πBrv，A、B错误；穿过过程中，磁通量变化量ΔΦ=Bπr²，感应电动势E=ΔΦ/t=πBr²v，焦耳热Q=(E²/R)t=(B²πr²v)/R，C正确；安培力方向与速度方向无关，始终做正功，D错误。7.如图所示，一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，下列说法正确的是（）A.框架进入磁场瞬间，感应电动势为BLvB.框架完全进入磁场后，感应电流方向为顺时针C.框架完全进入磁场后，安培力大小为(B²L²v)/RD.框架完全进入磁场后，恒力F做功功率为Fv参考答案：A解析：进入瞬间，有效切割长度为L，感应电动势为BLv，A正确；完全进入后，磁通量不变，无感应电流，B错误；安培力大小为(BIL)/r，I=BLv/R+r，D错误。8.如图所示，一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，下列说法正确的是（）A.环进入磁场瞬间，加速度等于gB.环进入磁场后，机械能守恒C.环完全进入磁场后，做匀速直线运动D.环离开磁场时，速度比进入时大参考答案：A解析：进入瞬间，重力等于合力，加速度为g；进入后，机械能不守恒，因为部分转化为电能，B错误；完全进入后，重力等于安培力，做匀速运动，C正确；离开时安培力做负功，速度比进入时小，D错误。A正确。9.如图所示，一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，下列说法正确的是（）A.电阻R消耗的功率为(BLv)²RB.电容器上板带正电C.恒力F做的功全部转化为电能D.金属棒受到的安培力大小为(B²L²v²)/R参考答案：B解析：电阻R消耗的功率为(BLv)²R/r，A错误；金属棒切割磁感线产生感应电动势，右端电势高，电容器上板带正电，B正确；恒力F做的功一部分转化为机械能，一部分转化为电能，C错误；安培力大小为(BIL)/r，I=BLv/R+r，D错误。10.如图所示，一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以加速度a做匀加速直线运动，下列说法正确的是（）A.框架进入磁场瞬间，感应电动势为BLaB.框架完全进入磁场后，感应电流方向为逆时针C.框架完全进入磁场后，加速度仍为aD.框架完全进入磁场后，恒力F做功功率为(F-mg)av参考答案：C解析：进入瞬间，感应电动势为BLv，v=at，所以电动势为BLa，A正确；完全进入后，磁通量不变，无感应电流，B错误；完全进入后，安培力为零，加速度仍为a，C正确；恒力F做功功率为Fv，D错误。二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，电阻R消耗的功率为______。参考答案：BLv，(BLv)²/R2.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，环完全进入磁场后受到的安培力大小为______。参考答案：BLv，mg3.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向为______，电容器上板带______电。参考答案：向左，正4.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为______。参考答案：2BLv，05.一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，圆环离开磁场瞬间产生的感应电动势为______。参考答案：2πBrv，2πBrv6.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以加速度a做匀加速直线运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为______。参考答案：BLa，07.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，环完全进入磁场后受到的安培力大小为______。参考答案：BLv，mg8.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向为______，电容器上板带______电。参考答案：向左，正9.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为______。参考答案：2BLv，010.一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为______，圆环离开磁场瞬间产生的感应电动势为______。参考答案：2πBrv，2πBrv三、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLv，电阻R消耗的功率为(BLv)²/R。参考答案：正确2.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间，重力等于合力，加速度为g。参考答案：正确3.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向向左，电容器上板带正电。参考答案：正确4.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为2BLv，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。参考答案：正确5.一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv，圆环离开磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv。参考答案：正确6.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以加速度a做匀加速直线运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLa，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。参考答案：正确7.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间，重力等于合力，加速度为g。参考答案：正确8.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向向左，电容器上板带正电。参考答案：正确9.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为2BLv，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。参考答案：正确10.一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv，圆环离开磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv。参考答案：正确四、简答题（本大题共8小题，每小题2分，共16分）1.如图所示，一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLv，电阻R消耗的功率为(BLv)²/R。请解释为什么框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLv。参考答案：框架进入磁场瞬间，有效切割长度为L，速度为v，根据法拉第电磁感应定律，感应电动势E=BLv。2.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间，重力等于合力，加速度为g。请解释为什么环进入磁场瞬间，重力等于合力。参考答案：环进入磁场瞬间，磁通量变化，产生感应电流，受到安培力，但此时安培力为零，所以重力等于合力，加速度为g。3.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向向左，电容器上板带正电。请解释为什么金属棒受到的安培力方向向左。参考答案：金属棒切割磁感线产生感应电流，根据右手定则，电流方向为逆时针，安培力方向根据左手定则，向左。4.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为2BLv，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。请解释为什么框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。参考答案：框架完全进入磁场后，磁通量不变，无感应电流，所以安培力为零。5.一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv，圆环离开磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv。请解释为什么圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv。参考答案：圆环进入磁场瞬间，有效切割长度为2πr，速度为v，根据法拉第电磁感应定律，感应电动势E=2πBrv。6.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以加速度a做匀加速直线运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLa，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。请解释为什么框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLa。参考答案：框架进入磁场瞬间，有效切割长度为L，速度为at，根据法拉第电磁感应定律，感应电动势E=BL(at)=BLa。7.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间，重力等于合力，加速度为g。请解释为什么环进入磁场瞬间，重力等于合力。参考答案：环进入磁场瞬间，磁通量变化，产生感应电流，受到安培力，但此时安培力为零，所以重力等于合力，加速度为g。8.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向向左，电容器上板带正电。请解释为什么金属棒受到的安培力方向向左。参考答案：金属棒切割磁感线产生感应电流，根据右手定则，电流方向为逆时针，安培力方向根据左手定则，向左。五、应用题（本大题共8小题，每小题4分，共24分）1.如图所示，一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLv，电阻R消耗的功率为(BLv)²/R。请计算框架进入磁场瞬间产生的感应电流大小，并解释其方向。参考答案：感应电流大小为I=BLv/(R+r)，方向为逆时针。2.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间，重力等于合力，加速度为g。请计算环进入磁场瞬间受到的安培力大小，并解释其方向。参考答案：安培力大小为F=B²L²v²/(R+r)，方向与重力相反。3.一个U形金属导轨，左端连接一个电阻R，右端连接一个电容为C的电容器，导轨上放置一根质量为m、电阻为r的金属棒，整个装置处于竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B。现用水平恒力F拉金属棒，使其以速度v匀速向右运动，金属棒受到的安培力方向向左，电容器上板带正电。请计算金属棒受到的安培力大小，并解释其方向。参考答案：安培力大小为F=BIL=B²L²v/(R+r)，方向向左。4.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为2L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以速度v匀速向右运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为2BLv，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。请计算框架进入磁场瞬间产生的焦耳热功率，并解释其方向。参考答案：焦耳热功率为P=(2BLv)²/(R+r)，方向为电能转化为热能。5.一个半径为R的金属圆环，总电阻为R，放置在水平面上，圆环上方有一个半径为r的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，磁场方向垂直于圆环平面。现用水平恒力F拉圆环，使其以速度v匀速穿过磁场区域，圆环进入磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv，圆环离开磁场瞬间产生的感应电动势为2πBrv。请计算圆环进入磁场瞬间产生的焦耳热功率，并解释其方向。参考答案：焦耳热功率为P=(2πBrv)²/R，方向为电能转化为热能。6.一个边长为L的正方形金属框架，总电阻为R，放置在水平面上，框架上方有一个宽度为L的匀强磁场区域，磁场方向垂直于框架平面。现用水平恒力F拉框架，使其以加速度a做匀加速直线运动，框架进入磁场瞬间产生的感应电动势为BLa，框架完全进入磁场后受到的安培力大小为0。请计算框架进入磁场瞬间产生的机械能变化量，并解释其方向。参考答案：机械能变化量为ΔE=1/2ma²，方向为动能增加。7.一个质量为m、电阻为r的金属圆环，从高h处由静止自由下落进入一个水平方向的匀强磁场区域，磁场方向垂直于环面。不计空气阻力，环进入磁场瞬间，重力等于