CN119404284A 获得关于样品表面的形貌信息的电子光学装置和方法 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.19PCT/EP2023/0695472023.07.13WO2024/017765EN2024.01.25获得关于样品表面的形貌信息的电子光学公开了用于获得关于样品表面的形貌信息于测量样品表面的相应部分的位置的一组近端制带电粒子设备以使用多束在可多束处理的区感测系统至少使用远端传感器来在处理路径的2沿着多束路径向样品投射多束带电粒子，所述多束路径在子束在所述多束路径内具有期望地以栅格布使用一组近端传感器来测量所述样品表面的相应部分相对于所述近端传感器的位置，所述一组近端传感器被定位成接近所述多个子束的使用比所述近端传感器更远离所述子束的所述路径定位的一个或多个远端传感器来测量所述样品表面相对于所述一个或多个远端传感器的一提供所述可多束处理的区域与所述样品之间的相对移动，使得所述可多束在所述可多束处理的区域到达所述处理路径的选定部分之前，个远端传感器来在所述处理路径的所述选定部分中获得关于所述样品所述处理路径的另一部分中使用所述多束来处理所述3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括当所述4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述一个或分上移动之前在相同的路线中测量所述样品表面的所述一部分的6.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一个远端传感器包括与所述可多束处理的区域沿所述路线的相对移动垂直的相对于所述可多束处理的区域的尺寸基本上居中定7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中且在所述可多束处理的区域位于所述路线中的不同路线内时测量所述路线中的一条路线9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中311.根据权利要求10所述的方法，其中所述一个或多个远端传感器还包括第二远端传端传感器中的一个近端传感器的位置连接的矢量基本上等于将近端传感器中的一个近端传感器的位置与所述可多束处理的区域的中心连接的矢量或与带电粒子设备，被配置为沿着在可多束处理的区域中与所述样一组近端传感器，被定位成接近所述多个子束的路径，每一个或多个远端传感器，所述远端传感器或每个远端传感器控制所述带电粒子设备以使用所述多束处理所述可多束处理的区域中的所述样品表及控制所述感测系统以至少使用所述一个或多个远端传感器来在所述可多束处理的区域到达所述处理路径的选定部分之前在所述处理路径的所述选定部分中获得关于所述样4[0002]本申请要求于2022年7月21日提交的EP申请22检查和/或测量)衬底或其他物体/材料的表面是其制造过程中和/或之[0005]已知评估工具(本文中称为评估系统)使用带电粒子束来评估物体(可以称为样[0007]本公开的目的是提供支持使用多束带电粒子评估样品的布置中的改进的焦点控5束的路径，每个近端传感器被配置为测量样品表面的相应部分相对于近端传感器的位置，在可多束处理的区域到达处理路径的选定部分之前获得关于处理路径的选定部分中的样粒子子束在多束路径内具有期望地以栅格布置的路径；以及包括多个传感器的感测系统，每个传感器被配置为测量可多束处理的区域之外的样品表面的相应部分相对于传感器的传感器和第三传感器被定位成使得在传感器和可多束处理的区域的位置在平行于样品的位置接合到可多束处理的区域的中心的矢量或与一个或多个远端传感器来测量样品表面相对于一个或多个远端传感器的一个或多个相应至少一个或多个远端传感器来在处理路径的选定部分中获得关于样品表的位置的矢量位置基本上等于将第三传感器的位置连接到可多束处理的区域的中心的矢6[0013]通过结合附图对示例性实施例的描述，本公开的上述和其他方面将变得更加明[0015]图2是示出作为图1的示例性带电粒子束检查装置的一部分的示例性多束装置的[0016]图3是包括会聚透镜阵列、物镜阵列和带电粒子检测器阵列的示例性电子光学列[0017]图4是示例性布置的具有检测器阵列的示例性布置的物镜阵列的一部分的示意性7要求中所述的关于本发明的各个方面一致的装置[0036]电子设备的计算能力的增强可以通过显著增加IC芯片上的电路组件(诸如晶体75％产率(其中一个步骤可以指示晶片上形成的层数)，每个单独步骤的产率必须大于生成初级电子的电子源以及用于利用一个或多个聚焦的初级电子束扫描诸如衬底等样品称为带电粒子束评估系统或简称为评估系统。图1的带电粒子束检查装置100包括主室10、装载端口。第一装载端口30a和第二装载端口30b可以例如容置衬底前开式传送盒(FOUP)，该衬底FOUP包含要检查的衬底(例如半导体衬底或由(多种)其他材料制成的衬底)或样品8作为图1的示例性带电粒子束检查系统100的部分。电子束装置40包括电子源201和评估装向样品208引导的投射装置或由其组成。电子源201和带电粒子设备230可以一起被称为用240检测来自样品208的信号带电粒子(例如电子)。检测器240在检测到信号带电粒子时产[0047]带电粒子设备230被配置为将初级电子束202转换为多个带电粒子束211、212、统称为多束或束栅格。具有如此多束(例如超过一千个束)的束栅格可以具有例如超过[0048]控制器50(例如包括分布式控制器的控制系统)可以被连接到图1的带电粒子束检9射电子通常具有在50电子伏特(50eV)与初级电子束211、212和213的着陆能量之间的电子[0050]检测器240可以将在检测器240中生成的检测信号(例如作为成像或检测信号)发与带电粒子设备230分离，例如通过提供次级光学列来取器可以被配置为执行所获取图像的亮度和对比度等的调节。存储设备可以是诸如硬盘、[0052]图像获取器可以基于从检测器240接收的成像信号来获取样品208的一个或多个的图像可以包括在一个时间段内多次采样的样品208的单个成像区域的多个图像。多个图像可以被存储在存储器中。控制器50可以被配置为用样品208的相同位置的多个图像执行的样品结构的图像。所重建的图像可用于揭示样品208的内部或外部结构的各种特征。由[0054]控制器50可以控制致动台209以在样品208的检查期间移动样品208，例如以提供台相对于初级束路径的扫描运动。控制器50可以使得被致动的台209能够在诸如台的扫描[0055]图3是用于评估装置中的示例性带电粒子设备41的示意图。带电粒子设备41可以[0056]电子源201将电子向形成带电粒子设备230的一部分的聚焦透镜231的阵列引导。电子源201期望地是在亮度与总发射电流之间具有良好折衷的高亮度热场发射器。可以有[0060]可选地，控制透镜阵列250设置在偏转器235与物镜阵列401之间。控制透镜阵列250的上游的宏观扫描偏转器。在一个实施例中，这种宏观扫描偏转器可以对源束进行操[0063]图3的带电粒子设备41可以被配置为通过改变施加到控制透镜和物镜的电极的电[0065]在一些实施例中，物镜阵列组件包括具有在物镜阵列401的至少一个电极下游的如，可以通过将CMOS芯片检测器集成到物镜阵列401的底部电极中来实现检测器模块402。将检测器模块402集成到物镜阵列中可以代替次级列或附加于次级列。CMOS芯片优选地定之间的距离可以例如在10微米至400微米的范围内，期望地在50微米至200微米的范围内，[0067]在图4中示出了集成到物镜阵列401中的检测器的示例性实施例，图4以示意性截[0068]当与具有可调着陆能量的工具一起使用时，上述集成检测器模块402是特别有利阵列(或捕获电极检测器模块甚至是阵列形式)的检测器模块也可以集成到其他[0069]可以提供电源以向物镜阵列401的物镜和控制透镜阵列250的控制透镜的电极施带电粒子束聚焦到相同样品208的不同区域上。阵列中的每个带电粒子设备可以从不同的自不同带电粒子设备的多个带电粒子束同时聚焦到相同样品的不同区域上允许增加同时[0071]图7示意性地描述了带电粒子设备41的另一示例。与上述相同的特征用相同的附生成和发射的任何光子。光子到电子转换器可以电连接到电子电路装置以处理检测信号。[0076]可以使用测量到样品表面各个部分的距离的传感器来获得关于样品表面形貌的子子束的多束102和例如位于多束102的路线之外(或远离多束102的路线)的传感器104A_[0077]每个传感器104A_104D面向样品208并且能够测量传感器104A_104D与样品208之间的距离Zm(例如，传感器104A_104D与面向传感器104A_104D的样品表面的一部分之间的距离，例如沿着多束路径103的方向)。每个传感器104A_104D提供表示测量结果的输出数差分模式操作。来自传感器104A_104D的输出数据可以例如由控制器500或控制器500的部控制提高了样品208上的一个或多个子束的聚焦质量。目的是将由每个子束处理的样品表[0078]图9是图8所示类型的布置下游的样品208的一部分的示意性侧视图。在这种情况束102具有用于所有子束的公共焦平面108。聚焦质量对于接近焦平面108的位置的样品表面的位置范围是可接受的。位置的范围可以由上限110(例如上限位置)和下限112(例如下限位置)限定。上限和下限取决于多束的束的焦距范围。每个束的焦距范围通常可以是±致这种聚焦问题，因为与传感器104A_104D相对的样品表面的部分被定位在焦平面108处。样品208的形貌使样品表面在多束路径103内的部分被定位在产生可接受聚焦质量的位置聚焦误差。位置(例如空间自由度(例如沿参考轴的方向围绕参考轴的角位移))校正可以应用于样品。改善聚焦的位置和/或定向校正可以基于不电粒子子束。子束具有如上所述的多束路径103内的路线。路线可以期望地被布置在栅格处理的部分)。由栅格线限定的局部区域可以是用于由多束的相应子束处理的可子束处理[0080]多束路径103在可多束处理的区域114中与样品208相交。可多束处理的区域可以包括束栅格的子束可处理区域。可多束处理的区域114定义了对于多束102相对于样品208的给定位置可由多束处理的区域(忽略子束在小距离上的扫描，例如相邻子束之间的距感器在可多束处理的区域114之外测量样品表面的相应部分相对于传感器的位置。这些传与样品表面的公共平面正交的方向和/或在与多束路径的方向平行的方向上。传感器能够例如在多束路径的方向上和/或期望地在与样品表面的公共平面正交的方向上和/或在基本上与传感器的主表面的平面正交的方向上进行测量，主表面例如在操作中面向样品表[0083]图10_图12描述了在带电粒子设备的参考系中感测系统的传感器120_124相对于可多束处理的区域114的示例位置。图10_图12描绘了传感器120_124和可多束处理的区域些投影示出了电子光学装置的各个特征与样品208相互作用的相对位置(例如，在传感器120_124的情况下测量样品208的各个部分的位置，并且在多束的情况下评估/检查可多束传感器120A_120D。近端传感器120A_120D接近多个子束的路径定位。因此，近端传感器120A_120D接近多束路径103。每个近端传感器120A_120D测量样品表面的相应部分相对于该近端传感器120A_120D的位置(例如，样品表面最表面的相应部分之间的间隔。由近端传感器120A_120D测量的样品表面的部分接近可多束品表面的部分比由近端传感器120A_120D测量的样品表面的部分更远离可多束处理的区域[0086]在一个实施例中，近端传感器120A_120D的主要功能可以是向控制系统提供直接[0087]近端传感器120A_120D和远端传感器121_124可以被定位在距台和样品208基本相[0088]近端传感器120A_120D和远端传感器121_124可用于获得关于样品表面的形貌信[0089]近端传感器120A_120D测量远离可多束处理的区域114或在可多束处理的区域114于确定关于可多束处理的区域114附近或其中的样品表面的形貌信息。近端传感器120A_120D的组合可用于获得关于可多束处理的区域114中的样品表面的倾斜信息。近端传感器120A和120B(或近端传感器120C和120D)可用于获得关于相对于Y轴的倾斜的信息，例如关域114中相对于X轴(例如关于X轴)的倾斜的信息，例如关于在样品表面的公共平面的第二121的部分的高度和远离可处理区域114(其可被认为是可在可多束处理的区域114外部的外部区域115)的相邻部分的倾斜的信息。穿过可多束处理的区域114的是由虚线表示的路感器121和近端传感器120A和120B的测量的组合可以提供关于区域115中的相对于X轴和Y[0091]参考图11，例如，如参考图10所示和描述的远端传感器121(或初级远端传感器121)可以用于获得关于样品表面的面向远端传感器121的部分的高度和远离可处理区域114的相邻部分的倾斜的信息(可以将其视为在可以在可多束处理的区域114之外的外部区关于远端传感器123正下方的样品表面的高度的信息，而且可以获得关于可多束处理的区关于样品表面的面向次级远端传感器121的部分的高度和远离可处理区域114的相邻部分远端传感器121和近端传感器120A和120B的测量的组合可以提供关于相对于区域115中的X位于次级路径上。第四传感器124可以被定位在可多束处理的区域114的与第二传感器123在可多束处理的区域114到达处理路径的选定部分之前获得关于处理路径的选定部分中的调整可以改善处理期间的聚焦(或至少改善多束的[0094]在图11的示例中，如果在使用远端传感器121(例如，初级远端传感器)和/或123端传感器获得的形貌信息来改善聚焦。因为区域115和/或116的形貌测量刚好在相同的区[0095]如上所述，图12示出了其中提供了另外的远端传感器122和124(例如第三传感器和第四传感器)的布置。这些另外的远端传感器122和124为在样品表面上沿不同方向移动可多束处理的区域114提供了灵活性(例如样品209和多束路径103之间的相对移动的相反束处理的区域114提供了灵活性，同时仍然能够在多束处理样品表面的部分之前获得这些[0096]图13图17描述了使用图11所示的传感器布置处理样品208的实施例的不同器123)的位置被投射到样品208的平面上(例如样品表面的公共平面)，以示出由传感器测的区域114和样品表面相对于彼此移动，使得可多束处理的区域114(或者备选地表示为多114和四个近端传感器120中的三个近端传感器不在样品208上，而远端传感器121和123在121和123能够在处理样品的早期阶段获得关于样品形貌关联的箭头指示可多束处理的区域114沿着路线132、133例如在样品的参考系中的相对移115(或相对于可多束处理的区域的前进区域)中的样品形貌传感器测量的样品表面上移动之前，并且进一步沿着路线132的一部分相对于可多束处理沿着处理路径在样品表面上移动时如何从可多束处理的区域114的位置之前的样品表面的执行功能。控制系统500可以包括或由采用以上参考图1描述的任何形式的控制器50组成。系统500可以包括被配置为执行所有控制功能的单个单元，或者可以包括一起允许实现所需功能的单元的分布式系统。控制系统500可以至少部分地由计算机实现。可以提供元件考虑时，可多束处理的区域114和样品208之间的相对移动通常主要或完全通过移动样品[0102]在一个实施例中，控制系统500控制感测系统以至少使用一个或多个远端传感器121_124来在可多束处理的区域114到达处理路径的选定部分之前获得关于处理路径的选定部分中的样品表面的形貌信息。上述区域115和116是相对于可多束处理的区域114的这面的各部分的形貌信息，样品表面的各部分对应于前进区域115和/或侧区域116相对于可多束处理的区域114在样品表面上沿着处理路线132的位置。控制系统500可被配置为控制感测系统和带电粒子设备以获得形貌信息并同时处理处理路径的不同的相应部分中的样移尺寸可以基本上等于或小于平行于偏移方向的可多束处理的区域114的尺寸(例如，宽度)。通过沿着相邻路线移动可多束处理的区域114而处理的条130(例如样品表面的)因此系统500可以在处理路径的不同路线132的处理之间使可多束处理的区域114和路线132相样品表面的处理路径的不同路线之间相对于彼此将样品208和栅格(以及因此可多束处理线132可以在方向上交替以减小台需要被移动以处理所有路线1[0106]在一些实施例中，一个或多个远端传感器121_124包括相对于可多束处理的区域个远端传感器121_124可以包括相对于栅格和处理路径定位的至少一个远端传感器，以测的前向传感器121被定位成在可多束处理的区域114在样品表面的一部分上移动之前测量一远端传感器是前向传感器121的示例性布置。图11_图12描绘了具有这种前向传感器121的尺寸基本居中定位的远端传感器121，该尺寸与可多束处理的区域114沿路线132的相对器121定位在中心允许远端传感器121直接获得关于可多束处理的区域114的中心部分将穿然能够获得有用的形貌信息。前向传感器121期望地被定位成至少能够测量样品表面的一[0108]在一些实施例中，至少一个远端传感器121_124包括后向传感器122(其备选地称为尾部传感器122)和前向传感器121。后向传感器122和前向传感器121可以被定位成能够器121可以沿着相同的路线从栅格移位。这种类型的示例性配置在图12中示出。在该视图器123、124被定位为在可多束处理的区域114在样品表面的一部分上移动之前并且在可多束处理的区域114在不同的一条路线132内时测量路线133中的一条路线中的样品表面的该定位成测量样品表面的一部分，该部分在与可多束处理的区域114沿路线中的一条路线的相对移动垂直的方向上与可多束处理的区域114的中心基本对准(例如，如图11和图12所此，一个或多个远端传感器可以包括在与处理路径正交的方向上远离栅格定位的侧传感以被定位成能够同时测量可多束处理的区域114的相对侧上的样品表面的部分，期望地在[0111]该一组近端传感器120的空间分布没有特别限制。提供多个近端传感器使得可以可以以可多束处理的区域114为中心(使得相应的传感器120被定位以定义以多束为中心的传感器121_124可以包括第一远端传感器121，第一远端传感器121被定位成测量样品表面的相应部分，该相应部分在平行于矩形的第一边(即，由图120D的投影位置形成的矩形边中的一条边，其分别限定样品表面的限定矩形的顶点的部[0113]如上所述，期望使用关于可多束处理的区域114中的样品表面的形貌信息来校正和Y的间距(dX是传感器104A和104B之间以及104C和104D之间的间距；dY是传感器104A和[0116]如果简单地通过在整个样品表面上扫描单个传感器来获得拓扑信息以获得由台[0117]减少或避免台测量系统中的不准确性的方法是使用来自不同近端传感器的测量B示意性所示，该方法将不能检测与定位相关的样品的表面形貌的某些周期性特征或特性，研究表明，具有H量级的这种空间分量的局部样品不平坦性将导致计算出的样品表面高度[0118]以类似于上面参考图10_图17讨论的实施例的方式，根据本公开的实施例通过提以上参照图10_图17描述的电子光学装置和方法的实施例的变型。根据本实施例的类的电[0119]图19和图20描绘了本实施例的类的传感器141_145和可多束处理的区域114的位常竖直向下)的方向观察时，投影示出了传感器141_145和可多束处理的区域114的相对定的中心的矢量152(或多束路径103的中心路径与平行于例如传感器141至145的位置投射到近端传感器143与可多束处理的区域114的中心之间的近端矢量。矢量151可以被称为位于远端传感器或第一传感器141与可多束处理的区域114的中心之[0121]远端矢量151和近端矢量152的相等或相反的性质使得可以使用第一传感器141和第二传感器142来确定衬底表面上的两个位置之间的高度差，这两个位置相对于彼此具有与第三传感器和可多束处理的区域114的中心之间的空间关系相同的空间关系。这使得可以从第三传感器143的单次测量中得出可多束处理的区域114的中心处的样品表面的高度，尽管没有传感器能够直接测量可多束处理的区域114的中心处的样品表面的高度。第三传[0122]由上述表达式(1)给出的校正项对应于图19所示的近端矢量152。相对于图8的布的矢量表示第一传感器142和第三传感器143之间的距离沿X方向的一半的移位以及第二传感二传感器142的输出获得的移位映射提供校正数据，该校正数据使得有可能使用来自第三在图18所示类型的不平坦的情况下，也可以使用来自第三传感器143的输出来精确地控制如相对于初级远端传感器121所描述的那样样品表面的高度和由第二传感器142测量的样品表面的高度之间多束处理的区域114的第二位置使得第三传感器143被定位为测量样品表面的与第一传感器141被定位为在可多束处理区域114处于第一位置时测量的样品表面的基本相同的部分。这意味着在步骤S3中生成的校正值将适用于从第三传感器143的测量获得关于第二位置处的测量结果和所生成的校正值，确定当可多束处理的区域114处于第一位置时关于样品表[0134]在步骤S7中，使用在步骤S6中获得的形貌信息来调整样品208的位置和/或定向置连接到可多束处理的区域114的中心的矢量155、156(或近端矢量或第三和第四近端矢量)基本上等于或相反于将第三传感器143的位置连接到可多束处理的区域114的中心的近端矢量152(或第一近端矢量)或将第二传感器142连接到可多束处理的区域114的中心的矢量154(或第二近端矢量)。第一近端矢量至第四近端矢量全部具有相同的长度但具有不同具有与第二近端矢量154相反的方向。第一近端矢量至第四近端矢量可以具有与远端矢量量151可以将第一传感器141与第二传感器142连接。第二远端矢量153可以将第一传感器些几何关系为获得校正因子提供了增强的灵活性，校正因子可用于使用传感器141_145的生成的校正值可用于使用来自附加传感器144的输出来获得关于可多束处理的区域114的二远端矢量)生成的校正值可以用于使用来自第二传感器142或附加传感器145的输出来获得关于可多束处理的区域114的中心处的样品表面的信息(因为矢量154和155(例如第二近传感器用来获得关于可多束处理的区域114的中心处的143和可多束处理的区域114的中心可以限定菱形或甚至平行四边形的顶点。第一传感器二传感器142之间的距离可以基本上等于第一传感器141和第三传感器14量152基本上等于连接第三传感器143和第一传感器141的位置的矢量153或与矢量153。因此，第一传感器141和第三传感器143之间的距离可以与第三传感器143和多束路径中心之[0140]多个传感器141_145可以包括近端传感器120A_120D和远端传感器121_124，其布得至少一个远端传感器121被定位成使得在传感器和可多束处理的区域114的位置在平行于样品208的平面上的投影中，将远端传感器121的位置连接到近端传感器120之一的位置的矢量基本上等于将近端传感器120中的一个近端传感器的位置连接到可多束处理的区域第一传感器141，近端传感器120对应于图19和图20中的第二传感器142和第三传感器143。类似地，至少一个远端传感器121可以被定位成使得远端传感器121和两个近端传感器120被配置为测量样品表面的相应部分，这些部分与多束处理区域114的中心一起限定菱形或甚至平行四边形的顶点。在一个实施例中，多个传感器141_145被配置为使得第一传感器和/或本领域已知的允许执行所需计算操作的其它元件。所需的计算操作可以由一个或多一个或多个远端传感器来在所述处理路径的所述选定部分中获得关于所述样品表面的形[0146]条款2.根据条款1所述的装置，其中所沿着所述处理路径定位在所述可多束处理的区域之前的至[0150]条款6.根据条款5所述的装置，其中理的区域移动到所述样品表面的所述部分之前测量所述相同路线中的所述样品表面的所[0151]条款7.根据条款6所述的装置，理的区域的沿着与所述路线的相对移动垂直的相对于所述可多束处理的区域的尺寸基本[0156]条款12.根据前述条款中任一项所述[0158]条款14.根据条款13所述的装置，其[0159]条款15.根据条款14所述的装置[0160]条款16.根据条款12至15中任一项[0161]条款17.根据前述条款中任一到所述近端传感器中的一个近端传感器的位置的矢量与将所述近端传感器中的一个近端传感器的位置连接到所述可多束处理的区域的中心的矢量基本[0162]条款18.根据前述条款中任一项所述的装传感器和所述第三传感器被定位成使得在所述传感器和所述可多束处理的区域的位置到测量所述样品表面的与所述第一传感器在所述可多束处理的区域处于所述第一位置时被可多束处理的区域处于所述第二位置时由所述第三传感器获得的所述测量结果和所生成的所述校正值来确定关于当所述可多束处理的区域位于所述第二位置时由所述可多束处[0165]条款21.根据条款19或20所述的[0166]条款22.根据条款19至21中任[0167]条款23.根据条款22所述的装置[0168]条款24.根据条款19至23中任一[0169]条款25.根据条款19至24中任一项所述的[0170]条款26.根据条款19至25中任一项所述的传感器之间的距离基本等于所述第一传感器与所述第三[0171]条款27.根据条款19至26中任一束处理的区域的中心的位置的矢量与连接所述第三传感器和所述第一传感器的位置的矢[0172]条款28.根据条款19至27中任一项所述的传感器之间的距离基本等于所述第三传感器与所述多束路径的所[0173]条款29.根据条款19至28中任一项所述的传感器以及期望地在设置的所述附加传感器情况下的所述附加传感器中的至少一个附加传感器是近端传感器，并且所述第一传感器和期望地至少一个另外的传感器是远端传感感器并且所述远端传感器的位置与两个所述最近近端传感器中的每个最近近端传感器之一个或多个远端传感器还包括位于所述格栅的与所述第一侧传感器相对的一侧的第二侧穿过所述样品表面的所述处理路径的不同路线之间相对于彼此将所述样品和所述栅格移地在路线之间相对于彼此顺序移动所述样品[0179]条款35.根据条款34所述的装置，其述栅格和所述处理路径定位成测量相同路线中的所述样品表面的一部分的至少一个远端[0180]条款36.根据条款35所述的装置，其量沿着所述路线从所述栅格移位的所述样品表面的一部分的前向传感器和后向传感器中[0181]条款37.根据从属于条款31的条款34器被定位成测量与所述多束路径中的所述路线在不同路线中的所述样品表[0182]条款38.根据条款37所述的装置，其中用所获得的形貌信息来动态地定位所述样品和/或在所述多束体积到达所述处理路径的所处理所述样品表面，所述多束包括在多束路径内具有期望地以栅格布置的路径的多个子[0186]使用比所述近端传感器更远离所述子束的所述路径的一个或多个远端传感器来测量所述样品表面相对于所述一个或多个远端传感器的一或多个远端传感器来在所述处理路径的所述选定部分中获得关于所述样品表面的形貌信[0190]条款43.根据条款41或42所述的表面的形貌信息来控制所述样品的位置和/[0191]条款44.根据条款41至43中任一包括沿着所述处理路径定位在所述可多束处理的区域[0193]条款46.根据条款41至45中任一项所述一部分移动之前测量所述相同路线中的所述样品表面的所述一部分的[0194]条款47.根据条款46所述的方法，束处理的区域沿着所述路线的相对移动垂直的相对于所述可多束处理的区域的尺寸基本[