CN119404291A 半导体装置的制造方法 （株式会社Hpsp）

2024.12.23PCT/KR2023/0087512023.06.23WO2023/249451KO2023.12.2822.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述绝缘层包含二氧化硅2)成分。骤在200℃至500℃的温度范围内执行。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法气压的压力范围和200℃至500℃的温度范围内执行。在所述第一绝缘层上形成介电常数比所述第一绝缘层更高的第述第二微波热处理工序在200℃至500℃的温度范围内执行。气压的压力范围和200℃至500℃的温度范围内执行。3)也作为活性层一同在半导体装置的制造过程中可适用的有效且经济的员可以从以下记载的本说明书的实施例更加明确地理解未提及的本说明书的其他目的及4[0013]根据实施例，在半导体装置的制造过程中，可在比较低温状态下不会损坏[0016]根据实施例，可以改善半导体装置的P型晶体管(PMOS)负偏压温度不稳定性5而，在其中的约为1％以下中形成悬键(Danglingbond)，因这种微弱结合，即，缺陷的频带范围和200℃至500℃的温度范的步骤(b)可在2.45GHz频带及250℃至450℃的温度范围内执行0.5分钟至120分钟。[0031]温度条件可根据微波(MW)强度确定。微波(MW)热处理不[0032]在一个实施例中，在第一绝缘层110上形成导电层120的步骤(c)可意味着金属工[0034]因上述工序，可在比较低温的条件下不损坏(Damage)导电层120的状态下钝化界而，在其中的约为1％以下中形成悬键(Danglingbond)，因这种微弱结合，即，缺陷的频带范围和200℃至500℃的温度范的步骤(b)可在2.45GHz频带及250℃至450℃的温度范围内执行0.5分钟至120分钟。[0039]温度条件可根据微波(MW)强度确定。微波(MW)热处理不6[0040]在第一绝缘层110上形成介电常数比第一绝缘层更高的第二绝缘层130的步骤(c)中，第二绝缘层的介电常数可大于第一绝缘层的介电常数。例如，第二绝缘层130可包含HfO2、HfSix、HfAlx、HfSiO中的至少一种成分。优选地，第二绝缘层130可包含二氧化铪[0041]执行第二微波(MW)热处理工序的步骤(d)可在5.7GHz至5.9GHz的频带范围和200℃至500℃的温度范围内执行。在另一个实施例中，执行第二微波(MW)热处理工序的步骤二微波(MW)热处理工序的步骤(d)也可以在2.4GHz至2.5GHz的频带或1GHz至5GHz的频带范[0042]在一个实施例中，在第二绝缘层130上形成导电层120的步骤(e)可意味着金属工盖(Overlap)整个或一部分第二绝缘层[0043]在另一个实施例中，在导电层120与第二绝缘层130之间也可形成第三绝缘层(未[0044]在一个实施例中，执行氢(H2)热处理工序的步骤(f)可在上述步骤(e)之后执行。为氮(N2[0045]因上述工序，可在比较低温的条件下不损坏(Damage)导电层120的状态下钝化界2)或氯(Cl)热处理工序。而，在其中的约为1％以下中形成悬键(Danglingbond)，因这种微弱结合，即，缺陷7的步骤(b)可在2.45GHz频带及250℃至450℃的温度范围内执行0.5分钟至120分钟。[0052]温度条件可根据微波(MW)强度确定。微波(MW)热处理不陷(Defect)。并且，未经微波(MW)[0053]在根据一个实施例的第一绝缘层110上形成导电层120的步骤(c)可意味着金属工[0054]根据一个实施例的执行氟(F2)或氯(Cl)热处理工序的步骤(d)可在上述步骤(c)之后执行。执行氟(F2)或氯(Cl)热处理工序的步骤(d)可在0.1可在比较低温的条件下不损坏(Damage)导电层120的状态下钝化界面电荷及固定电荷。由处理工序；步骤(e)，在第二绝缘层13而，在其中的约为1％以下中形成悬键(Danglingbond)，因这种微弱结合，即，缺陷的频带范围和200℃至500℃的温度范的步骤(b)可在2.45GHz频带及250℃至450℃的温度范围内执行0.5分钟至120分钟。[0061]温度条件可根据微波(MW)强度确定。微波(MW)热处理不8[0062]在第一绝缘层110上形成介电常数比第一绝缘层更高的第二绝缘层130的步骤(c)中，第二绝缘层的介电常数可大于第二绝缘层的介电常数。例如，第二绝缘层130可包含[0063]执行第二微波(MW)热处理工序的步骤(d)可在5.7GHz至5.9GHz的频带范围和200℃至500℃的温度范围内执行。执行第二微波(MW)热处理工序的步骤(d)也可以在4GHz至[0064]根据一个实施例的在第二绝缘层130上形成导电层120的步骤(e)可意味着金属工[0065]根据一个实施例的执行氟(F2)或氯(Cl)热处理工序的步骤(f)可在上述步骤(e)之后执行。执行氟(F2)或氯(Cl)热处理工序的步骤(f)可在0.1导电层120的状态下钝化界面电荷及固定电荷。由此，可以钝化未经微波热处理修复的缺陷。并且，由此，界面电荷及固定电荷的密度变低，从而可以确保优秀的电子移动度高氟(F2)环境的温度并测定电子移动度(Mobility)的结果，在300°C至500℃的温度范围