2025 LED外延芯片用砷化镓衬底

GB/T30856—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替外延芯片用砷化镓衬底与相比除结

GB/T30856—2014《LED》,GB/T30856—2014,

构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了规格见年版的

a)(4.1.2,20144.3);

更改了电学性能的要求见年版的

b)(5.1,20144.4);

更改了参考面及切口的要求见年版的

c)(5.2,20144.4);

更改了表面晶向及晶向偏离的要求见年版的

d)(5.3,20144.5);

更改了位错密度的要求见年版的

e)(5.4,20144.6);

更改了几何尺寸的要求见年版的

f)(5.5,20144.9);

更改了表面质量的要求见年版的

g)(5.6,20144.7);

更改了电学性能的检验方法见年版的

h)(5.2,20144.8);

更改了切口的检验方法见年版的

i)(6.2.3,20145.5.2);

更改了检验规则见第章年版的第章

j)(7,20146);

更改了标志见年版的

k)(8.1,20147.1);

更改了包装见年版的

l)(8.2,20147.2);

删除了使用方块电阻测量仪测量衬底电阻率的方法和衬底室温载流子浓度与迁移率的测量方

m)

法见年版的附录和附录

(2014AB)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位南京集溢半导体科技有限公司中山德华芯片技术有限公司广东先导微电子科

:、、

技有限公司全磊光电股份有限公司山东浪潮华光光电子股份有限公司云南鑫耀半导体材料有限公

、、、

司北京大学东莞光电研究院中国科学院半导体研究所大庆溢泰半导体材料有限公司易事达光电

、、、、

广东股份有限公司深圳市冠科科技有限公司广东中阳光电科技有限公司

()、、。

本文件主要起草人赵中阳郑红军冯佳峰于会永刘建庆孙雪峰张双翔闫宝华林作亮

:、、、、、、、、、

刘强马金峰赵有文赵春锋彭璐徐宝洲兰庆陈皇

、、、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2014,。

Ⅰ

GB/T30856—2025

LED外延芯片用砷化镓衬底

1范围

本文件规定了外延芯片用砷化镓单晶衬底以下简称砷化镓衬底的技术要求试验方法

LED(“”)、、

检验规则标志包装运输贮存及随行文件和订货单内容

、、、、。

本文件适用于外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产检测及质量评价

LED、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

包装储运图示标志

GB/T191

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅片表面平整度测试方法

GB/T6621

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T8760

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T11093

硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

硅片直径测量方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

砷化镓单晶

GB/T20228

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4分类和牌号

41分类

.

411砷化镓衬底按导电类型分为型和型

..np。

412砷化镓衬底按直径分为五种规格

..50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm。

1

GB/T30856—2025

42牌号

.

砷化镓衬底的牌号表示应符合的规定

GB/T14844。

5技术要求

51电学性能

.

砷化镓衬底的电学性能应符合表的规定

1。

表1电学性能

要求

项目

型型

np

电阻率

-2-3-1-3

1×10~1×101×10~1×10

Ω·cm

迁移率

2≥1000≥40

cm/(V·s)

载流子浓度

17181719

-31×10~5×101×10~5×10

cm

截面电阻率不均匀性

<15%<15%

注型掺杂剂包括型掺杂剂包括

:nSi、Te、S、Se、Sn;pZn、Cd、Be、Mn、Fe、Co、Mg。

52参考面及切口

.

521砷化镓衬底参考面的取向和长度应符合表的规定

..2。

表2参考面的取向和长度

参数要求

参考面选择型槽燕尾槽

V

属于个砷面属于个镓面

主参考面取向[011]±0.5°1,[011]±0.5°1,

主参考面垂直于型槽主参考面垂直于燕尾槽

V

副参考面取向从主参考面逆时针转从主参考面顺时针转

90°±0.5°90°±0.5°

直径

50.876.2100.0150.0200.0

mm

主参考面长度

a

16±122±132±148±1—

mm

副参考面长度

或或a

8±111±118±1028±10—

mm

a砷化镓衬底主参考面长度和副参考面长度可参考砷化镓衬底

200.0mm150.0mm。

2

GB/T30856—2025

522和砷化镓衬底切口的取向深度和开角应符合表的规定

..150.0mm200.0mm、3。

表3切口的取向深度和开角

、

项目要求

深度开角

取向

砷化镓衬底切口的取向深度和开角

、mm(°)

[010]±2°1~1.2589~95

注直径不大于的砷化镓衬底无切口要求

:100.0mm。

53表面取向及偏离

.

砷化镓衬底的表面取向及偏离应符合表的规定若需方有其他要求由供需双方协商确定

4,,。

表4表面取向及偏离

表面晶向晶向偏离主边偏向

<100>2°±0.5°[011][011]

<100>6°±0.5°[011][011]

<100>15°±0.5°[011][011]

54位错密度

.

砷化镓衬底的平均位错密度不大于个2如对位错密度有特殊要求由供需双方协商确定

5000/cm,,

并在订货单中注明

。

55几何尺寸

.

砷化镓衬底几何尺寸应符合表的规定

5。

表5几何尺寸

直径

项目

50.8mm76.2mm100.0mm150.0mm200.0mm

直径及允许偏差

50.8±0.276.2±0.2100±0.2150±0.3200±0.3

mm

厚度及允许偏差

(275~650)±20(275~650)±20(300~650)±25(400~675)±25(500~750)±25

μm

总厚度变化

≤12≤12≤15≤15≤20

μm

平整度

≤6≤6≤8≤10≤15

μm

翘曲度

≤12≤15≤60≤60≤60

μm

3

GB/T30856—2025

56表面质量

.

砷化镓衬底的表面应无沾污溶剂残留物及蜡残留物还应符合表的规定

、,6。

表6表面质量

直径近边缘区域径向尺寸要求

近边缘区域合格质量区边缘轮廓

mmmm

50.8≤0.2

76.2≤0.2无划痕桔皮裂缝边缘应光滑无明显的

无崩边、、、,

100.0≤0.5凹坑凸起凹坑或锐利点

、

150.0≤0.5

200.0≤0.8

6试验方法

61电学性能

.

611电阻率

..

砷化镓衬底电阻率的检测按的规定进行

GB/T4326。

612迁移率

..

砷化镓衬底迁移率的检测按的规定进行

GB/T4326。

613载流子浓度

..

砷化镓衬底载流子浓度的检测按的规定进行

GB/T4326。

614截面电阻率不均匀性

..

砷化镓衬底截面电阻率不均匀性的检测按的规定进行

GB/T20228。

62参考面及切口

.

621砷化镓衬底参考面取向的检测按的规定进行

..GB/T13388。

622砷化镓衬底参考面长度的检测按的规定进行

..GB/T13387。

623砷化镓衬底参考面切口取向深度和开角的检测按的规定进行

..、GB/T11093。

63表面晶向及晶向偏离

.

砷化镓衬底表面晶向及晶向偏离的检测按的规定进行

GB/T1555。

64位错密度

.

砷化镓衬底位错密度的检测按的规定进行

GB/T8760。

65几何尺寸

.

651砷化镓衬底直径及允许偏差的检测按的规定进行

..GB/T14140。

4

GB/T30856—2025

652砷化镓衬底厚度及允许偏差和总厚度变化的检测按的规定进行

..GB/T6618。

653砷化镓衬底平整度的检测按的规定进行

..GB/T6621。

654砷化镓衬底翘曲度的检测按的规定进行

..GB/T6620。

66表面质量

.

砷化镓衬底表面质量的检测按的规定进行

GB/T6624。

7检验规则

71检验和验收

.

711产品应由供方或者第三方进行检验保证产品质量符合本文件及订货单的规定

..,。

712需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验如检验结果与本文件或订货单的规定不符时

..。,

应在收到产品之日起个月内向供方提出由供需双方协商解决如需要仲裁由供需双方共同取样或

3,。,

协商确定

。

72组批

.

砷化镓衬底应成批提交验收每批应由同一砷化镓单晶加工而成的具有相同规格的产品组成

,。

73检验项目

.

砷化镓衬底应对电学性能参考面及切口表面晶向及晶向偏离位错密度几何尺寸和表面质量进

、、、、

行检验

。

74取样

.

砷化镓衬底的取样应符合表的规定

7。

表7取样

技术要求检验方法

检验项目取样位置及数量

章条号章条号

电阻率

5.16.1.1

电学迁移率

砷化镓单晶头尾晶向各片5.16.1.2

性能载流子浓度(100)1

5.16.1.3

截面电阻率不均匀性

5.16.1.4

按中一般检验水平

参考面及切口GB/T2828.1—2012Ⅱ,

正常检验一次抽样方案5.26.2

砷化镓单晶头尾晶向各片

表面晶向及晶向偏离(100)1,

切片后复测片5.36.3

1

位错密度砷化镓单晶头尾晶向各片

(100)15.46.4

直径及允许偏差

5.56.5

几何厚度和允许偏差及总厚度变化按中一般检验水平

GB/T2828.1—2012Ⅱ,5.56.5

尺寸平整度正常检验一次抽样方案

5.56.5

翘曲度

5.56.5

按中一般检验水平

表面质量GB/T2828.1—2012Ⅱ,

正常检验一次抽样方案5.66.6

5

GB/T30856—2025

75检验结果的判定

.

砷化镓衬底电学性能表面晶向及晶向偏离位错密度的检验结果中有任一检验结果不合格对不

、、,

合格项目双倍取样进行重复检验如重复检验结果有任一项不合格判该批产品不合格

,,。

砷化镓衬底参考面及切口几何尺寸及表面质量的检验结果中有任一检验结果不合格判定该件产

、,

品不合格

。

8标志包装运输贮存和随行文件

、、、

81标志

.

811砷化镓衬底边缘可进行刻字

..。

812包装盒标志应至少包括以下内容

..:

生产日期

a);

牌号

b);

编号

c);

表面晶向

d);

数量

e)。