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文档简介

氮化硅核壳包覆粉末及其制备成的陶瓷与本发明提供氮化硅核壳包覆粉末及其制备化钛包覆在烧结助剂表面，经过SPS烧结后形成25.根据权利要求1所述的氮化硅核壳包覆粉末，其特征在于，所述烧结助剂由Al2O3和3[0003]通过在氮化硅基体中引入具备导电性能的硬质相可以改善氮化硅基陶瓷材料韧[0014](1)将经喷雾干燥的球形氮化硅粉末与烧结助剂干法混合后无压烧结，得到具有4[0017]作为进一步地优选，步骤(1)和步骤(2)中干法混合的工艺参数均为：转速80~[0022]2、本发明采用Al2O3与Y2O3的烧结助剂组合并作为中间层保证高熔点的添加相和氮化硅基体都能够在较低温度下致密化以及促[0026]图1至图5分别是是本发明实施例1_5所得的均匀三维网络结构氮化硅基复合材料[0029]下面将结合本发明实施例和实施例附图，对本发明实施例中的技术方案进行清5中间层保证了高熔点的添加相和氮化硅基体都能够在较低温度下致密化以及促进β_Si3N4[0037](1)将经喷雾干燥的球形氮化硅粉末与烧结助剂干法混合后预烧结，得到具有第[0038](2)将氮化钛粉末与步骤(1)得到的具有第一包覆层的氮结温度为1750℃。6[0046](2)将质量比为5：95的氮化钛粉末(平均直径为50nm)和步骤(1)得到的氮化硅基[0047](3)将步骤(2)得到的混合粉末采用SPS(放电等离子烧结)在1750℃下烧结10min，[0054](3)将步骤(2)得到的混合粉末采用SPS(放电等离子烧结)在1750℃下烧结10min，图8和图9，实施例2的陶瓷材料弯曲强度726.61MPa、断裂韧性7.91MPa·m1/2、硬度[0060](3)将步骤(2)得到的混合粉末采用SPS(放电等离子烧结)在1750℃下烧结10min，7[0066](3)将步骤(2)得到的混合粉末采用SPS(放电等离子烧结)在1750℃下烧结10min，图9和图10，实施例4得到的具有均匀三维网络结构的氮化硅陶瓷，经检测，硬度为[0072](3)将步骤(2)得到的混合粉末采用SPS(放电等离子烧结)在1700℃下烧结10min，图9和图10，实施例5得到的具有均匀三维网络结构的氮化硅陶瓷，经检测，硬度为8[0077](2)将步骤(1)得到的混合粉末采用SPS(放电等离子烧结)在1750℃下烧结10min，[0079]对比例与实施例1_5相比，未添加氮化钛，在氮化硅表面包裹烧结助剂后进行烧[0082]2、本发明采用Al2O3与Y2O3的烧结助剂组合并作为中间层保证高熔点的添加相和氮化硅基体都能够在较低温度下致密化以及促[0085]尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述，但它仅仅9

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