标准解读
《GB/T 42709.40-2026 半导体器件 微电子机械器件 第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法》是一项国家标准，旨在为微电子机械系统（MEMS）中的惯性冲击开关提供一套标准化的测试流程。该标准详细规定了用于确定MEMS惯性冲击开关响应特定加速度水平时激活或关闭所需条件的方法。它涵盖了从设备准备到数据记录与分析的全过程。
在测试准备阶段，首先需要确保待测样品处于良好状态，并按照制造商指南完成所有必要的预处理步骤。接下来，根据标准中指定的要求设置测试环境，包括但不限于温度、湿度等条件，以保证测试结果的一致性和可靠性。
实际测试过程中，使用专门设计的冲击试验台来施加不同强度和方向的加速度脉冲于被测装置上。通过改变输入参数如峰值加速度值、持续时间等，可以探索出能够触发开关动作的确切阈值点。整个实验需重复多次以验证数据准确性，并考虑可能存在的变异性。
此外，《GB/T 42709.40-2026》还提供了关于如何正确安装传感器、校准测量仪器以及安全操作等方面的指导信息。对于每次测试获得的数据，应严格按照规范要求进行记录，并采用适当的方法进行统计分析，从而得出最终结论。
本标准适用于从事MEMS惯性冲击开关研发、生产和质量控制的相关企业和机构，为其提供了一套科学合理且易于执行的技术方案。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 即将实施
- 暂未开始实施
- 2026-07-30 颁布
- 2027-02-01 实施
文档简介
ICS31.200
CCSL55
中华人民共和国国家标准
GB/T42709.40—2026/IEC62047⁃40：2021
半导体器件微电子机械器件
第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值
测试方法
Semiconductordevices—Micro⁃electromechanicaldevices—
Part40：TestmethodsofMEMSinertialshockswitchthreshold
（IEC62047⁃40：2021，IDT）
2026⁃07⁃30发布2027⁃02⁃01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
GB/T42709.40—2026/IEC62047⁃40：2021
目次
前言··························································································································Ⅲ
引言··························································································································Ⅳ
1范围·······················································································································1
2规范性引用文件········································································································1
3术语和定义··············································································································1
4基本特性·················································································································2
4.1推荐工作条件·····································································································2
4.2性能参数···········································································································2
5测试项目及方法········································································································2
5.1开关类型···········································································································2
5.2静态阈值···········································································································3
5.3动态阈值···········································································································5
Ⅰ
GB/T42709.40—2026/IEC62047⁃40：2021
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
本文件是GB/T42709《半导体器件微电子机械器件》的第40部分。GB/T42709已经发布了
以下部分：
——第2部分：薄膜材料拉伸试验方法；
——第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片；
——第5部分：射频MEMS开关；
——第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法；
——第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器；
——第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法；
——第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法；
——第19部分：电子罗盘；
——第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法；
——第22部分：柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法；
——第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法；
——第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法；
——第36部分：MEMS压电薄膜的环境及介电耐压试验方法；
——第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法；
——第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法。
本文件等同采用IEC62047⁃40：2021《半导体器件微电子机械器件第40部分：MEMS惯性冲
击开关阈值测试方法》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动：
a）在列项说明前增加引导语；
b）术语和定义中，对术语解释性的语句放入“注”中。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国集成电路标准化技术委员会（SAC/TC599）和全国微机电技术标准化技术委员会
（SAC/TC336）共同归口。
本文件起草单位：北京智芯传感科技有限公司、北京空间机电研究所、北京大学、安徽京芯传感科
技有限公司、中国电子技术标准化研究院、深圳仕上电子科技股份有限公司。
本文件主要起草人：张威、白先民、张亚婷、冯艳露、赵晓东、杨明、刘若冰、熊志红。
Ⅲ
GB/T42709.40—2026/IEC62047⁃40：2021
引言
MEMS惯性冲击开关可感受外界的加速度，当加速度达到开关的阈值，开关闭合或者断开，广泛
应用于汽车电子、消费电子、物流监控以及医疗保健等。GB/T42709《半导体器件微电子机械器件》
拟由23个部分构成。
——第2部分：薄膜材料拉伸试验方法。目的在于规定MEMS薄膜材料的拉伸试验方法。
——第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片。目的在于规定MEMS薄膜材料拉伸试验用试验片
的相关要求。
——第5部分：射频MEMS开关。目的在于规定射频MEMS开关的术语、定义、特性要求、测试
方法等。
——第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法。目的在于规定MEMS薄膜材料的轴向疲劳试验
方法。
——第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器。目的在于规定MEMS体
声波谐振器、滤波器和双工器的术语、定义、特性要求、测试方法等。
——第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法。目的在于规定用于测量带状薄膜拉伸特
性的弯曲试验方法。
——第9部分：晶圆间键合强度测量。目的在于规定MEMS晶圆的键合强度试验方法。
——第11部分：悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法。目的在于规定悬空MEMS
材料的线性热膨胀系数测试方法。
——第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法。目的在于规定MEMS
薄膜材料弯曲疲劳试验方法。
——第13部分：MEMS结构黏附强度的弯曲和剪切试验方法。目的在于规定MEMS结构的黏
附强度试验方法。
——第16部分：MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法。目的在于规定MEMS
膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法。
——第19部分：电子罗盘。目的在于规定电子罗盘的术语、定义、特性要求、测试方法等。
——第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法。目的在于规定MEMS薄膜材料的泊松比测
试方法。
——第22部分：柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法。目的在于规定MEMS导电薄膜材料的机
电性能拉伸试验方法。
——第26部分：微沟槽和针结构的描述和测量方法。目的在于规定MEMS微沟槽和针结构的描
述和试验方法。
——第27部分：玻璃浆料键合强度的微型V形试验（MCT）测量方法。目的在于规定玻璃浆料键
合强度的MCT试验方法。
——第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法。目的在于规定MEMS器件的悬空导
电薄膜在室温下的机电松弛试验方法。
——第32部分：MEMS谐振器非线性振动测试方法。目的在于规定MEMS谐振器的非线性振
动性能测试方法。
——第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法。目的在于规定柔性机电器件的
弯曲变形状态电特性测试方法。
Ⅳ
GB/T42709.40—2026/IEC62047⁃40：2021
——第36部分：MEMS压电薄膜的环境及介电耐压试验方法。目的在于规定MEMS压电薄膜
的环境及介电耐受性能试验方法。
——第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法。目的在于规定MEMS互连中
金属粉末膏体粘附强度的测试方法。
——第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法。目的在于规定MEMS惯性冲击开关的阈
值测试方法。
——第44部分：MEMS谐振电场敏感器件动态特性测试方法。目的在于规定用于评估和确定
MEMS谐振电场敏感器件动态性能的术语、定义和测试方法。
Ⅴ
GB/T42709.40—2026/IEC62047⁃40：2021
半导体器件微电子机械器件
第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值
测试方法
1范围
本文件描述了MEMS惯性冲击开关阈值的测试条件和测试方法。
本文件适用于常开型
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