CN119421095A 一种压电结构的制备方法 （成都纤声科技有限公司）_第1页
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文档简介

提供基底结构，并在基底结构上形成第一压电构的制备方法利用了压电材料刻蚀过程中存在2在所述第一压电层上形成金属层，其中，所述金属层完全覆采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属层和所述第一压电层所述采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属层和所述第一压采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属所述采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属层、所述采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属层、采用刻蚀气体刻蚀所述第三电极层和所述第三压电层，以形成贯穿所3所述采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属层、456本申请的实施例中的各个特征可以相互结合，结合后的实施例依然在本申请的保护范围申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不解为指示或暗示相对重要性。述术语在本申请中的具体含义。为0.1μm~2μm。7覆盖部分第一压电层21时，金属层30需要至少覆盖第一压电层21上用于形成第一缝隙100若基底结构10在后续工艺中会被去除，则一次刻蚀时只需第一缝隙100贯穿第一压电层21显高于对第一压电层21和第二压电层22的刻蚀速率。压电刻蚀气体主要用于刻蚀压电层，其对第一压电层21和第二压电层22的刻蚀速率明显高于对金属层8[0040]由于上述再沉积效应的存在，第一缝隙100的侧壁会发生倾斜且存在一层再沉积[0048]如此设置，可以使刻蚀金属层30时产生的反应产物能够顺利沉积在第一缝隙1009蚀过多膜层导致的无法形成能够贯穿第一电极层61的第先采用刻蚀气体刻蚀第二压电层22上方的膜层，该部分膜层的刻蚀可以仅进行一次刻蚀，[0067]当然，刻蚀后进行清洗工艺也是压电式MEMS麦克风制造第二缝隙200或第三缝隙300表面的再沉

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